《炬丰科技-半导体工艺》光刻前砷化镓的表面处理

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：光刻前砷化镓的表面处理

编号：JFKJ-21-181

作者：炬丰科技

关键词:光刻胶，砷化镓，湿法蚀刻，表面处理，轮廓

摘要  

  在补救的实验结果在喷湿化学品时，光刻胶粘附失效报道了InGaP/GaAs NPN hbt的刻蚀。确定了影响黏附和黏附的因素采用实验设计方法研究选定因素的影响和相互作用。最显著的附着力改善确定是在蚀刻之前加入天然氧化物光阻剂的外套。除提高附着力外，这种预涂处理也改变了湿蚀刻轮廓砷化镓使蚀刻反应受限较多与未经过表面处理的晶圆片相比各向同性;轮廓都有一个积极的锥度，但锥角并不相同。

介绍  

  光刻胶的附着力能起到至关重要的作用湿法蚀刻的结果和随后产生的电流和光学设备。有很多因素可以有助于光刻胶在半导体上的粘附衬底。然而，具体的信息很少砷化镓在开放文献和硅常用的方法，如六甲基二硅氮烷预处理对GaAs可能无效。此外，GaAs的表面难以控制能对看似微小的工艺条件如此敏感，用水冲洗晶圆片的时间。据我们所知，只有一处引用采用预涂层的天然氧化物对砷化镓进行蚀刻来改善粘附。参考研究表明，预涂膜基于水滴接触角的处理是很有前景的经过实验，并验证了其附着力光致抗蚀剂开发步骤。没有引用在湿蚀刻过程中，使用涂层前处理的附着力 也没有观察到对湿蚀刻剖面的影响，这是通常归因于GaAs晶体结构以及腐蚀剂的性质。

背景   略

湿法腐蚀过程    略

抵制粘附能源部   略

最初的分歧   略