《炬丰科技-半导体工艺》高性能单片清洗系统

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：高性能单片清洗系统

编号：JFKJ-21-185

作者：炬丰科技

  批次SPM清洗不符合当前的清洁规范，以及单晶片清洗替代方案对环境造成严重破坏。 为了解决这个难题，ACM开发了Ultra-C作为植入后、cmp后和蚀刻后清洁的环保选择。 收集的数据演示了Ultra-C Tahoe如何满足28nm的要求，同时节省超过80%的SPM。 

摘要  

  批处理SPM系统不满足当前28nm以下的清洁规范/要求。 单晶圆SPM系统在满足清洗要求的同时，使用大量的化学物质进行排水规格低于28 nm。 本文介绍了间歇式SPM系统的使用情况，并对SPM系统的性能进行了分析单一晶圆在集成系统，结果满足技术规格和使用少于80%的SPM化学成分用于单晶圆系统。数据收集结果表明，该系统符合规范要求。

介绍  

  采用干法和湿法相结合的方法，开发了传统的有机光刻胶带材工艺治疗方法。 然而，以反应性等离子体灰化为基础的干燥处理已经出现问题，如等离子体诱导的损伤，抗爆裂，不完全的抗移除，副产品再次沉积，后续需要湿条/清洁。 为了避免等离子问题，湿剥离基于酸性化学反应的工艺，如硫酸和过氧化氢(SPM在80℃-150℃)。目前的SPM纯湿法工艺无法达到所需的清洁性能由于晶圆上的高颗粒和缺陷，使得SPM是单一的硅片加工是唯一的解决方案。 单片SPM工艺要求对混合物进行加热到高温时，只有一小部分热SPM接触晶圆片表面和大部分SPM剥离晶圆片。 这个化学反应就这样消失了。 这就产生了大量的硫酸的消耗和废物的处理是昂贵的和对环境有害的。

......

结论  

  本文提出了一种新的SPM清洗工艺方法。 这种新的环保该技术将传统的工作台SPM清洗和单晶片清洗相结合设备，采用两步法优化湿工作台和单晶圆片的优势清洗。   略