《炬丰科技-半导体工艺》250℃电子束沉积湿法蚀刻

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：250℃电子束沉积湿法蚀刻

编号：JFKJ-21-200

作者：炬丰科技

目的:

  客户希望我们用电子束蒸发器在较高的温度下沉积ITO薄膜，并且薄膜电阻更小时薄膜厚度为100 nm时，薄膜厚度大于100 。  

样品:

  一个双面抛光的2英寸蓝宝石晶片，以及一个小的单边抛光硅片。  

实验:  

1)样品清洗:蓝宝石晶片，DI漂洗，N2吹干，硅片:丙酮，甲醇超声浴，DI漂洗，在BHF中浸泡1分钟，DI再次漂洗，N2吹干。  

2) ITO电子束蒸发:  

a)将蓝宝石晶片和硅片装入2号电子束的样品座;  

b)泵送下腔室，设定加热器温度为580℃(实际阶段温度为250℃);  

c)设置标称ITO厚度为150 nm，工装系数为69.9;  

d)待室真空度达到1.94e-6 Torr时，开启高压和灯丝电流，然后设置在ITO材料，光束沿纵向和横向扫描，并使纵向和横向升高扫描频率分别为46和27  

e)将O2流进弧度(必须同时打开电压和电流; 否则，它们就不会亮了：

f) 5分钟后，打开快门，将电流调大，使速率达到~0.5 Å/s。  

g)到达目标厚度后，关闭电压和电流，关闭加热器;  

h)在关闭氧气流动前等待20分钟，然后，放气室，取样品(非常小心样品台非常热) 

3)薄膜性能测量:

a)硅片上的椭偏仪测量:使用Cauchy模型，在薄膜和衬底之间有天然氧化层(10Å) 拟合曲线为:632.8 nm波长处(MSE=50.8) d=1660 Å， n=1.970;  

b)在蓝宝石晶圆(16点)上进行4探头电阻测量，平均薄片电阻为27.0543 W/sq。

蓝宝石晶圆的光刻    略

用盐酸湿法蚀刻ITO膜      略