《炬丰科技-半导体工艺》稀释化学蚀刻剂清洗硅片的方法

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：稀释化学蚀刻剂清洗硅片的方法

编号：JFKJ-21-256

作者：炬丰科技

发明背景

  本发明总体上涉及硅体的生产，具体地说，涉及从这种的表面可控蚀刻二氧化硅的方法。在优选实施例中，本发明特别涉及。涉及一种清洁单晶硅体表面的方法。例如晶片微电子半导体器件通常在单晶硅晶片上制造，单晶硅晶片由通过众所周知的直拉法商业生长的单晶锭生产。

发明概述

  提供一种更简单、更具成本效益的化学方法来强力清洗硅体 ,特别是一种清洗试剂不会引入金属沉淀污染物的方法。

发明详述

  适用于许多应用。氢氧化锻水溶液是碱性羟基 蚀刻剂的示例，所有这些在本领域已知和使用 的条件下基本上分解成羟基离子。

  本发明，在兆频超声波场的存在下，通过蚀刻. 剂化学蚀刻二氧化硅房。可以使用任何化学蚀刻剂，包 括酸性和腐蚀性蚀刻剂。包含羟基离子的碱性蚀刻剂， 例如氢氧化镣、氢氧化四甲基镣、氢氧化钾或氢氧化钠 ，通常是提供给蚀刻剂槽的功率约为216瓦。