《炬丰科技-半导体工艺》第三代宽带隙半导体氮化镓器件研究进展

最新推荐文章于 2024-09-16 12:36:03 发布
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文章标签： 算法 人工智能
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《炬丰科技-半导体工艺》中介绍了第三代宽带隙半导体氮化镓器件的最新研究，因其出色的电学和光学特性备受瞩目。GaN在照明领域的应用日益增长，从1993年高亮度蓝色LED的诞生至今，已实现商业化。原位生长法和离子注入法是GaN材料制备的主要技术，其中GaN∶Eu的电荷转移态增强其发光效果。
摘要由CSDN通过智能技术生成

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：第三代宽带隙半导体氮化镓器件研究进展

编号：JFKJ-21-300

作者：炬丰科技

摘要

  第三代宽带隙半导体氮化镓引起了广泛的关注因其优异的电学和光学性能而受到工业界和研究界的关注。离子掺杂GaN材料不仅具有稀土元素的优良光学性能，而且具有优良的光学性能

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