《炬丰科技-半导体工艺》硅片超声清洗方法及配置

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：硅片超声清洗方法及配置

编号：JFKJ-21-316

作者：炬丰科技

摘要

  通过增强微观蚀刻剂浓度均匀性和减少氢气泡粘附来形成亚微米级基本无缺陷硅结构的方法。蚀刻剂混合物经受超声波的应用。超声波促进在微观水平上混合蚀刻剂混合物的空化，并且还有助于促进气泡脱离。将润湿剂添加到蚀刻剂混合物中以增强硅表面的亲水性，从而减少气泡粘附。还公开了执行形成硅结构的方法的装置。