《炬丰科技-半导体工艺》MEMS制造中微结构的UV固化压印光刻

本文介绍了使用UV固化方法在微机电系统(MEMS)制造中的压印光刻工艺,该工艺能实现高复制精度和薄残留抗蚀剂层。通过控制加载力和固化时间,成功复制了具有高深宽比的微结构,降低了图案传输失真,展示了在微/纳米结构制造中的高保真度潜力。
摘要由CSDN通过智能技术生成

书籍:《炬丰科技-半导体工艺》

文章:MEMS制造中微结构的UV固化压印光刻

编号:JFKJ-21-403

作者:炬丰科技

摘要

   压印光刻作为一种制造微机电系统的新方法越来越受欢迎。IL 的主要优点是其极低的设置成本、高复制精度和扩展的制造关键尺寸。与传统的光刻相比,IL具有能够制作高深宽比的复杂图案结构的优势。然而,热和负载误差会降低图案传输保真度。本文在IL工艺中采用UV固化方法,可以避免工具的热变形。此外,还开发了将模板压入抗蚀剂膜的六步加载过程。该工艺的性能包括:加载轨迹连续且精度非常高(10nm),压力释放控制(精度高达1 psi)可以减少和避免模板结构和舞台支架的变形。该工艺可以实现厚度为20nm的残留层,并避免弹性印章变形(20nm以下)同时。压力可达 300 psi 6 cm2 模型尺寸,但脱模过程中的摩擦力可以降低到 30 psi。实验结果表明,这是一种新颖且稳健的工艺,在微/纳米结构制造中具有高保真度。

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