《炬丰科技-半导体工艺》半导体制造设备的超声波清洗方法

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：半导体制造设备的超声波清洗方法

编号：JFKJ-21-415

作者：炬丰科技

摘要

  一种用于清洗半导体制造设备的超声波清洗方法，用于清洗溅射设备的部件的喷砂处理表面，其中浸入该部件的脱气清洗水的溶解气体浓度不超过 10 ppm，以及对清洗水施加超声波的超声波振动器的超声波功率为50W以上。

发明领域

  本发明涉及半导体制造设备的清洗，尤其涉及一种溅射设备元器件的超声波清洗方法，更具体地说，涉及一种对经过喷砂处理的元器件表面进行清洗的超声波清洗方法。

发明背景

  在半导体元件的生产过程中，通常会进行半导体晶圆的清洗，以提高良品率。同样，半导体制造设备的部件，例如溅射设备的部件，也被清洁以防止出现灰尘。作为上述清洗的方法，通常使用将部件浸入纯水中并对其施加超声波的超声波清洗。在超声波清洗中，表面上的异物通过施加到其上的超声波产生的清 洗水中的气穴作用被去除。

  通过最近的研究，揭示了清洗水中溶解氧（或溶解气体）浓度与超声波产生的空化量之间的密切关系。更具体地说，其爆炸引起的空化强度和冲击强度受溶解氧浓度的影响很大。即，溶解气体的浓度越低，则促进气穴的产生，从而提高异物去除性能。

发明内容

   本发明是为解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种清洗方法，有效去除溅射设备部件喷砂处理表面残留的喷砂磨料，提高半导体元件的良品率。 .

  为达到上述和其他目的，根据本发明的清洗半导体制造设备的超声波清洗方法用于清洗溅射设备的部件的喷砂处理表面，其中浸没该部件的脱气清洗水溶解气体的浓度不超过10ppm，对清洗水施加超声波的超声波振动器的超声波功率为50W或更高。

  图 4示出了使用脱气水的本实施例的超声波清洗的清洗水中溶解氧浓度和收集的灰尘量之间的相关性。如上所述，将面积为50mm 2 、厚度为3mm且其表面由SiC#24的喷砂磨料处理过的Ti板用于待清洗的样品对象。对于该样品对象，以 1.2 kW 的超声波功率进行 10、30 和 60 分钟的超声波清洗。如图所示。4、收集粉尘量随溶解氧浓度增加而减少。此外，发现收集的灰尘量随着洗涤时间的增加而增加。