《炬丰科技-半导体工艺》MOCVD多晶ZnO的生长

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：MOCVD多晶ZnO的生长

编号：JFKJ-21-645

作者：炬丰科技

摘要

本文提出了多晶氧化锌薄膜低压化学气相沉积(LPCVD)的生长模型。这个模型是基于不同厚度和生长温度下各层表面形态和晶体学关系的实验观察。结果表明，薄膜的择优取向从c轴向a轴演化，生长温度从110℃增加到220℃，然后向a轴演化.此时，当薄膜厚度增加时，在150℃的生长温度下，表面形貌从小的圆形颗粒演变为大的金字塔形。不同沉积条件下各种优先取向的选择归因于最初形成的具有不同结晶取向的团簇之间的生长竞争。

介绍

   由于其宽带隙和高激子结合能，氧化锌(ZnO)在过去几年中备受关注，特别是用于光电应用。 ZnO的另一个重要前景是用作薄膜(TF)太阳能电池应用的透明导电氧化物(TCO).关于ZnO的生长，它可以通过各种技术合成，如金属有机化学气相沉积(MOCVD)、溅射、分子束外延(MBE)5或甚至溶胶-凝胶方法以及对于光伏应用。

实验细节

znofilmserverededbylpcvd process 44cm 20.5mm厚的AF45 Schott玻璃基板。在沉积之前，在超声波浴中用酸和碱对基底进行化学清洗。二乙基锌(DEZ)和水(H2O)蒸汽用作前体，其流量分别设定为16.2和32 sccm。乙硼烷(B2H6)用作掺杂气体，在氩气中以1%稀释。反应器内的总压力保持在0.5毫巴(0.37托)，生长温度从110℃变化到380℃。用原子力显微镜和扫描电子显微镜对不同的样品进行了表征以研究表面形态，而用XRD测定了薄膜不同生长阶段的结晶取向。

结果和讨论

多晶薄膜中织构的显形可以通过多种机制来解释，如择优成核和不同晶面的生长速率各向异性。还表明织构化表面的起源是在初始(成核)阶段或生长阶段发现的。在这项工作中，首次研究了晶体取向随110℃生长的薄膜沉积厚度的演变。

  结合图1中不同生长值的情况可以看出，两个初始簇被认为具有平行于衬底表面的不同晶体取向，非最小表面自由能(NMSE)和最小表面自由能(MSE)平面.在低温度下(110℃)，原子的表面迁移率很低。结果，到达衬底表面的原子具有低扩散长度的特征，并且由于表面自由能最小化，它们有与PO (0002)产生新团簇的趋势，如薄层的XRD光谱所示，其中(0002)峰占优势。对于MSE平面平行于衬底到达晶粒上的原子，由于它们的位置较低，它们也有在它们到达的位置停留的趋势。

 

 

 

结论

总之，在不同温度下生长的薄膜和厚膜上研究了LPCVD生长的ZnO层的取向和表面形貌演化。结果表明，当生长温度从110℃升高到220℃时，薄膜PO从C轴向a轴演化，然后在380℃时回到C轴，由此提出了解释LPCVD多晶ZnO薄膜生长的机理。这种机制基于初始层中不同代表的温度依赖性选择。这种选择是通过对某些颗粒的进化选择来实现的，这些颗粒的垂直生长速度会随着其表面的适应性而增加.这项工作可以帮助我们理解到目前为止在文献中呈现的各种结果，并有助于解释在氧化锌生长中观察到的不同取向。此外，对多晶LPCVD氧化锌生长的理解是提高光伏应用层性能的第一步。