《炬丰科技-半导体工艺》HF溶液中二氧化硅刻蚀机理

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：HF溶液中二氧化硅刻蚀机理

编号：JFKJ-21-741

作者：炬丰科技

摘要

   在高频水溶液中，SiO的蚀刻可以通过电场的应用而被阻碍或停止。在CMOS制造中，非常低水平的光可以导致这种影响。对溶解过程提出了平行反应路径，并加上电场在中间步骤中停止或重定向反应的能力。

介绍

    SiO2在高频溶液中的溶解是集成电路制造的一个基本步骤。基于这些技术背后的知识，蚀刻结构如图所示1。与n