《炬丰科技-半导体工艺》GaN 表面的清洁

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：GaN 表面的清洁

编号：JFKJ-21-744

作者：炬丰科技

关键词：俄杰电子能谱(AES)、氮化镓、金属化、欧姆接触、表面分析、表面清洁、热解吸

摘要

   本文所描述的工作是对氮化镓的表面清洁和欧姆接触策略的系统研究的一部分。本研究的目的是确定最有效的湿化学和热解吸清洗去除氧(O)和C)碳的方法。比较了氢氯（HC1）和氢氟(HF)酸基清洗处理，并在超高真空(UHV)条件下将热解吸作为温度的函数进行了表征。在整个研究过程中，俄杰电子能谱(AES)分析用于监测表面O和C的存在。对于去除表面氧化物，hcl基溶液被发现是最有效的；在清洁的空气暴露条件下，HC