《炬丰科技-半导体工艺》TSV芯片中超临界二氧化碳电镀铜参数的研究

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：TSV芯片中超临界二氧化碳电镀铜参数的研究

编号：JFKJ-21-766

作者：炬丰科技

关键词:超临界二氧化碳，电镀铜，TSV，密封

摘要

本研究使用超临界电镀来填充芯片中的硅通孔。本研究利用电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP RIE)工艺技术刻蚀硅通孔，讨论了不同的超临界CO2电镀参数，如超临界压力、电镀电流密度对TSV铜柱填充时间、伏安曲线、电阻和气密性的影响。此外，上述所有测试的结果都与传统电镀技术的结果进行了比较。对于测试，我们将首先讨论TSV铜柱的密封性，使用氦泄漏测试设备来评估制造的TSV铜柱的真空密封。此外，本研究还对电气特性进行了测试，包括测量TSV在水平方向两端的电阻，然后通过大电流(10 A，由于探头限制)，以检查TSV是否能够承受而不烧毁。最后，将TSV的横截面切成两半，以观察超临界电镀对铜柱的填充，并检查空隙。这项研究的重要特点是使用超临界电镀工艺，不添加任何表面活性剂来帮助填充硅氧烷，而是利用超临界流体的高渗透性和低表面张力来实现我们的目标。这项研究的结果表明，超临界压力为2000磅/平方英寸，电流密度为3安DM 2，提供了最佳的电镀填充和密封性&