STM32CUBEMX_H750_NAND_FLASH
NAND FLASH信号线
NAND FLASH存储结构
W29N01HVSINA:1个Plane,1024个block,64个page,1个page(2k+64)共128M
一列8位,2112字节,列地址需要12个地址线,分2周期发送
需要确定plane block page个数 NAND FLASH最小擦除单位是block
NAND FLASH 由2部分组成:数据存储区(data area)和备用区域(spare area)
数据存储区大小为 2K 字节,备用区域大小为 64 字节。我们存储的有效数据,一般都是存储在数据存储区( data area)。备用区域( spare area),一般用来存放 ECC( Error Checking and Correcting)校验值,利用这个区域,来实现 NAND FLASH 坏块管理和磨损均衡。
ECC校验