STM32CUBEMX_H750_NAND_FLASH

最新推荐文章于 2025-06-10 17:29:53 发布

MY_QuinTA

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本文链接：https://blog.csdn.net/hqy450665101/article/details/111059862

本文详细介绍了如何使用STM32CUBEMX配置H750微控制器与NAND FLASH的交互，包括NAND FLASH的存储结构、ECC校验原理及实现、地址寻址方式以及STM32硬件ECC的使用。重点讨论了ECC在数据完整性保护中的作用以及FMC模块在NAND操作中的配置和初始化。

摘要生成于 C知道，由 DeepSeek-R1 满血版支持，前往体验 >

STM32CUBEMX_H750_NAND_FLASH

NAND FLASH信号线
在这里插入图片描述
NAND FLASH存储结构

W29N01HVSINA:1个Plane，1024个block，64个page，1个page（2k+64）共128M

在这里插入图片描述
一列8位，2112字节，列地址需要12个地址线，分2周期发送

需要确定plane block page个数 NAND FLASH最小擦除单位是block
NAND FLASH 由2部分组成：数据存储区（data area）和备用区域(spare area)
数据存储区大小为 2K 字节，备用区域大小为 64 字节。我们存储的有效数据，一般都是存储在数据存储区（ data area）。备用区域（ spare area），一般用来存放 ECC（ Error Checking and Correcting）校验值，利用这个区域，来实现 NAND FLASH 坏块管理和磨损均衡。

ECC校验
在这里插入图片描述 <

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