1.4 Cubemx_NandFlash_STM32F4\H7

最新推荐文章于 2024-04-15 08:31:48 发布

车间溜盖子

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分类专栏： Cubemx 文章标签： stm32 单片机

本文链接：https://blog.csdn.net/oDuanYanGuHong/article/details/107363805

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NandFlash目录

1. 硬件描述
2. HAL库解析
- 2.1 NAND_DeviceConfigTypeDef
- 2.2 库函数
3 STM32F429 cubemx的配置
4 驱动代码

写这篇文章的时候，我已经花了三天搞这个东西了。期间遇到两个问题，搞了好久才解决：
1、生成的代码全速跑，弹框提示 Could not stop Coretx-M device!Please check the JTAG cable。
2、ID可以读出，但是数据写进去与读出来不一致，出现错位。
上面问题我网上搜索了很久，很多人遇到的问题，但是只是提，没人答。

先介绍两颗芯片

1. 硬件描述

1.1 MT29F4G08

在这里插入图片描述
由图可知：MT29F4G08 由 2 个 plane 组成，每个 plane 有 2048 个 block，每个 block 由 64 个 page 组成，每个 page 有 2K+64 字节（2112 字节）的存储容量。所以，MT29F4G08 的总容量为：2 * 2048 * 64*（2K+64）= 553648128 字节（512MB）。其中，plane、block、page 等的个数根据 NAND FLASH 型号的不同，会有所区别，大家注意查看对应 NAND FLASH 芯片的数据
手册。
2plane =2 * 2048block=2 * 2048 * 64page
1page=2K+64Byte 2K: 数据区data area, 64Byte:备用区spare area。

NAND FLASH 的 page 由 2 部分组成：数据存储区（data area）和备用区域（spare area），
对 MT29F4G08 来说，数据存储区大小为 2K 字节，备用区域大小为 64 字节。我们存储的有效数据，一般都是存储在数据存储区（data area）。备用区域（spare area），一般用来存放 ECC（Error Checking and Correcting）校验值，可利用这个区域，来实现 NAND FLASH 坏块管理和磨损均衡。

1.2 H27(U_S)4G8_6F2D

H27(U_S)4G8_6F2Dseries is a 512Mx8bit with spare 16Mx8 bit capacity.
数据区：512M8bit
备用去：16M8bit

X8: (2K + 64) bytes x 64 pages x 4096 blocks
X16: (1k+32) words x 64 pages x 2048 blocks

PAGE SIZE

X8: (2048 + 64 spare) bytes
X16:(1024 + 32spare) Words

Multiplane Architecture

Array is split into two independent planes.
Parallel operations on both planes are available, having
program and erase time.

从上面两颗芯片对比，你可以发现，结构、引脚、存储方法、内存大小等等和MT29F4G08是一模一样的，不一样可能就是里面某些性能参数。

1.3 芯片引脚描述

开发板NANDFALSH芯片：H27U4G8F2ETR-BI
4Gbit Nandflash
在这里插入图片描述

上图是常见的Nand Flash所拥有的引脚(Pin)所对应的功能，简单翻译如下：

1、I/O0 ~ I/O7：I/O0 ~ I/O7：用于输入地址/数据/命令，输出数据。
2、CLE：Command Latch Enable，命令锁存使能，在输入命令之前，要先在模式寄存器中，设置CLE使能。
3、ALE：Address Latch Enable，地址锁存使能，在输入地址之前，要先在模式寄存器中，设置ALE使能
4、CE#：Chip Enable，芯片使能，在操作Nand Flash之前，要先选中此芯片，才能操作。
5、RE#：Read Enable，读使能，在读取数据之前，要先使CE＃有效。
6、WE#：Write Enable，写使能,在写取数据之前，要先使WE＃有效。
7、WP#：Write Protect，写保护
8、R/B#:Ready/Busy Output,就绪/忙,主要用于在发送完编程/擦除命令后,检测这些操作是否完成,忙,表示编程/擦除操作仍在进行中,就绪表示操作完成.
9、Vcc：Power，电源
10、Vss：Ground，接地
11、N.C：Non-Connection,未定义，未连接
（字母上面带横杠说明引脚是低电平有效，为书写方便，在字母后面加“#”表示）

1.4 STM32 nandflash原理图

在这里插入图片描述

根据STM32F7中文参考手册如下:
在这里插入图片描述
存储芯片与单片机的关系

如下编程操作和读操作的时序。首先先拉低NCE片选，只有选中芯片才能让他工作。

Nand Flash是通过 ALE/CLE 来区分数据线上的数据是命令(CLE有效)，地址(ALE有效)还是数据(CLE/ALE都无效)。通过NWE/NRE来区分数据线上的数据是写操作(NWE有效)还是读操作(NRE有效)。

1.5 FMC存储区域

FMC的存储区域外部储存分配图如图。其中Nand Flash为储存区域3，4x64MB。起始地址为0x8000 0000。
在这里插入图片描述

1.6 时序图

一下时H27U4G8F2E芯片资料上的截图:

1.6.1 Table 28: AC Timing Characteristics

在这里插入图片描述

1.6.2 Figure 5: Command Latch Cycle

在这里插入图片描述

1.6.3 Figure 6: Address Latch Cycle

在这里插入图片描述

1.6.4 Figure 7: Input Data Latch Cycle

在这里插入图片描述

1.6.5 Figure 8: Sequential Out Cycle after Read

在这里插入图片描述

1.6.6 Figure 10: Status / EDC Read Cycle

在这里插入图片描述

1.6.7 Figure 12: Read Operation (Read One Page)

在这里插入图片描述

1.6.8 Figure 14: Random Data Output

在这里插入图片描述

1.6.9 Figure 15: Page Program Operation

在这里插入图片描述

1.6.10 Figure 16: Random Data In

在这里插入图片描述

1.6.11 Figure 19: Block Erase Operation (Erase One Block)

在这里插入图片描述

1.6.12 Figure 20: Multiple plane page program

在这里插入图片描述

1.6.13 Figure 27: ID Read

在这里插入图片描述

1.6.14 Figure 29: Reset operation timing

在这里插入图片描述

1.6.15 …

还有其他很大时序图，请参考芯片手册

1.7 时序图解析

在这里插入图片描述
从上面图中命令序列：
命令1# + Col.Addr1 + Col.Addr2 + Row.Addr1 + Row.Addr2 + Row.Addr3 +命令2#

Col：列地址（等价于页里具体地址）
Row：行地址（等价于总页地址）

NAND FLASH 的地址分为三类：
块地址（Block Address）、页地址（Page Address）和列地址（Column Address）。以 MT29F4G08 为例，这三个地址，通过 5 个周期发送，如表 46.1.1.2所示：

在这里插入图片描述
表中，CA0~CA11 为列地址（Column Address），用于在一个 Page 内部寻址，MT29F4G08的一个 Page 大小为 2112 字节，需要 12 个地址线寻址；PA0~PA5 为页地址（Page Address），用于在一个 Block 内部寻址，MT29F4G08 一个 Block 大小为 64 个 Page，需要 6 个地址线寻址；BA6~BA17 为块地址（Block Address），用于块寻址，MT29F4G08 总共有 4096 个Block，需要12 根地址线寻址。

整个寻址过程，分 5 次发送（5 个周期），首先发送列地址，在发送页地址和块地址。这里提醒一下：块地址和页地址，其实是可以写在一起的，由一个参数传递即可，所以表中的 BA并不是由 BA0 开始的，大家可以理解为这个地址（PA+BA）为整个 NAND FLASH 的 Page 地址。在完成寻址以后，数据线 I/O0~ I/O7 来传输数据了。

举例：
在这里插入图片描述
该指令用于读取 NAND 的一个 Page（包括 spare 区数据，但不能跨页读），该指令时序如上图由图可知，READ PAGE 的命令分两次发送，首先发送 00H 命令，然后发送 5 次地址
（Block&Page&Column 地址），指定读取的地址，随后发送 30H 命令，在等待 RDY 后，即可读取 PAGE 里面的数据。注意：不能跨页读，所以最多一次读取一个 PAGE 的数据（包括 spare
区）。

1.8 命令列表

在这里插入图片描述

2. HAL库解析

2.1 NAND_DeviceConfigTypeDef

typedef struct
{
   
  uint32_t        PageSize;              /*!< NAND memory page (without spare area) size measured in bytes
                                              for 8 bits adressing or words for 16 bits addressing             */

  uint32_t        SpareAreaSize;         /*!< NAND memory spare area size measured in bytes
                                              for 8 bits adressing or words for 16 bits addressing             */

  uint32_t        BlockSize;             /*!< NAND memory block size measured in number of pages               */

  uint32_t        BlockNbr;              /*!< NAND memory number of total blocks                               */

  uint32_t        PlaneNbr;              /*!< NAND memory number of planes                                     */

  uint32_t        PlaneSize;             /*!< NAND memory zone size measured in number of blocks               */

  FunctionalState ExtraCommandEnable;    /*!< NAND extra command needed for Page reading mode. This
                                              parameter is mandatory for some NAND parts after the read
                                              command (NAND_CMD_AREA_TRUE1) and before DATA reading sequence.
                                              Example: Toshiba THTH58BYG3S0HBAI6.
                                              This parameter could be ENABLE or DISABLE
                                              Please check the Read Mode sequnece in the NAND device datasheet */
} NAND_DeviceConfigTypeDef;

芯片：H27U4G8F2ETR-BI
容量：（2K+64Byte）* 64 * 2048 * 2 =512M Byte

1、PageSize: 1页里出去备用区数据大小 :2048Byte。
2、SpareAreaSize: 1页备用区数据大小:64Byte。
3、BlockSize： NAND内存块大小（以页数为单位）:64page
4、BlockNbr：设备内存总块数:4096 block
5、PlaneNbr: 设备 plane数:2 plane
6、PlaneSize: 1plane多少Block（以块数为单位）: 2048 block

2.2 库函数

HAL_StatusTypeDef  HAL_NAND_Read_Page_8b(NAND_HandleTypeDef *hnand, NAND_AddressTypeDef *pAddress, uint8_t *pBuffer, uint32_t NumPageToRead);
HAL_StatusTypeDef  HAL_NAND_Write_Page_8b(NAND_HandleTypeDef *hnand, NAND_AddressTypeDef *pAddress, uint8_t *pBuffer, uint32_t NumPageToWrite);
HAL_StatusTypeDef  HAL_NAND_Read_SpareArea_8b(NAND_HandleTypeDef *hnand, NAND_AddressTypeDef *pAddress, uint8_t *pBuffer, uint32_t NumSpareAreaToRead);
HAL_StatusTypeDef  HAL_NAND_Write_SpareArea_8b(NAND_HandleTypeDef *hnand, NAND_AddressTypeDef *pAddress, uint8_t *pBuffer, uint32_t NumSpareAreaTowrite);

HAL_StatusTypeDef  HAL_NAND_Read_Page_16b(NAND_HandleTypeDef *hnand, NAND_AddressTypeDef *pAddress, uint16_t *pBuffer, uint32_t NumPageToRead);
HAL_StatusTypeDef  HAL_NAND_Write_Page_16b(NAND_HandleTypeDef *hnand, NAND_AddressTypeDef *pAddress, uint16_t *pBuffer, uint32_t NumPageToWrite);
HAL_StatusTypeDef  HAL_NAND_Read_SpareArea_16b(NAND_HandleTypeDef *hnand, NAND_AddressTypeDef *pAddress, uint16_t *pBuffer, uint32_t NumSpareAreaToRead);
HAL_StatusTypeDef  HAL_NAND_Write_SpareArea_16b(NAND_HandleTypeDef *hnand, NAND_AddressTypeDef *pAddress, uint16_t *pBuffer, uint32_t NumSpareAreaTowrite);

HAL_StatusTypeDef  HAL_NAND_Erase_Block(NAND_HandleTypeDef *hnand, NAND_AddressTypeDef *pAddress);

函数中第二个地址参数详解：

NAND_AddressTypeDef temp;//地址句柄
temp.Plane = 1;   //(第几个plane 0-1)
temp.Block = 2047;//(第几个block 0-2047)
temp.Page = 63;		//(第几个papge 0-63)

了解了这之后，基本上可以开始搞代码了

3 STM32F429 cubemx的配置

在这里插入图片描述

特别注意了：
当space timing in HCLK cycles那四个时间参数配置错了（上下是一样的），就会出现写读出来的数据移位，不一致的情况。至于怎么计算来的，我也不太懂。具体可以参考：仅供参考，不一定对。
仅供参考
我测出来可用的数据如下：至于什么关系，我也没搞多么清楚
这里面的值是生成代码里面static void MX_FMC_Init(void)函数
在这里插入图片描述

  /* ComSpaceTiming */
  ComSpaceTiming.SetupTime = 4;
  ComSpaceTiming.WaitSetupTime = 4;
  ComSpaceTiming.HoldSetupTime = 4;
  ComSpaceTiming.HiZSetupTime = 3;
  /* AttSpaceTiming */
  AttSpaceTiming.SetupTime = 4;
  AttSpaceTiming.WaitSetupTime = 4;
  AttSpaceTiming.HoldSetupTime = 4;
  AttSpaceTiming.HiZSetupTime = 3;

NAND 属性信息根据自己NANDFlash来填写，我的是
NAND=2plane =22048block=22048*64page
1page=2K+64Byte
2K: 数据区data area,
64Byte:备用区spare area。

Page size：2048      //一页多少字节数，不包含备用区
Spare area size：64 //一页备用区多少字节
Block size：64           //一个bock有多少page
Block number:4096   //Device 多少个block
Plane number：2      //Device 多少plane
Plane size：2048      //1plane多少block

在这里插入图片描述

这里也需要特别注意：FMC_NWAT是就绪/忙碌信号，低电平为忙碌，高电平为准备就绪。如果配置的时候不拉高，会弹框提示：Could not stop Coretx-M device!Please check the JTAG cable。程序卡死再读ID那个地方。
至于为什么会出现，那是因为R/B脚是低电平，NANDFLASH 没有准备就绪。所以读ID就死掉。经过测试发现它整个过程并没有对R/B脚操作，它一直默认为就就绪态，就是一直是高电平。所以配置的时候必须要高电平。
经过测试还发现，当执行HAL_NAND_Reset(&hnand1);复位函数时，R/B有0.2uS拉低的一个动作。
配置好后直接生成代码就可以了：
下面附上测试代码：

  /* USER CODE BEGIN 2 */
	bsp_init();
	NAND_FLASH_TEST();

  /* USER CODE END 2 */

在这里插入图片描述
结果就会出现，读出与写入一致.

4 驱动代码

测试代码：
bsp_nandflash.c

#include "bsp_nandflash.h"
#include "pub_delay.h"
#include <stdio.h>
#include <string.h>
//#include "malloc.h"

//NAND_HandleTypeDef NAND_Handler;    //NAND FLASH句柄
nand_attriute nand_dev;             //nand重要参数结构体

extern NAND_HandleTypeDef hnand1;
#define NAND_Handler hnand1
#define FMC_Bank3 FMC_Bank3_R

//初始化NAND FLASH
u8 NAND_Init(void)
{
    
	NAND_IDTypeDef id;
	NAND_MPU_Config(); 
		
	HAL_NAND_Reset(&NAND_Handler);
	nand_dev.id=NAND_ReadID();
	
	//HAL_NAND_Read_ID(&NAND_Handler, &id);

	printf("NAND ID:%#x\r\n",nand_dev.id);
	NAND_ModeSet(4);			        //设置为MODE4,高速模式 
	if(nand_dev.id==MT29F16G08ABABA)    //NAND为MT29F16G08ABABA
	{
   
			nand_dev.page_totalsize=4320;       
			nand_dev.page_mainsize=4096;       
			nand_dev.page_sparesize=224;
			nand_dev.block_pagenum=128;
			nand_dev.plane_blocknum=2048;
			nand_dev.block_totalnum=4096;    
	}
	else if(nand_dev.id==MT29F4G08ABADA)//NAND为MT29F4G08ABADA  H27U4GBF
	{
   
			nand_dev.page_totalsize=2112;
			nand_dev.page_mainsize=2048;
			nand_dev.page_sparesize=64;
			nand_dev.block_pagenum=64;
			nand_dev.plane_blocknum=2048;
			nand_dev.block_totalnum=4096; 
	}
	else
		return 1;	//错误，返回
   return 0;
}



//配置MPU的region
void NAND_MPU_Config(void)
{
   
	MPU_Region_InitTypeDef MPU_Initure;
	
	HAL_MPU_Disable();							//配置MPU之前先关闭MPU,配置完成以后在使能MPU
	
	//配置RAM为region1，大小为256MB，此区域可读写
	MPU_Initure.Enable=MPU_REGION_ENABLE;			//使能region
	MPU_Initure.Number=NAND_REGION_NUMBER;			//设置region，NAND使用的region0
	MPU_Initure.BaseAddress=NAND_ADDRESS_START;		//region基地址
	MPU_Initure.Size=NAND_REGION_SIZE;				//region大小
	MPU_Initure.SubRegionDisable=0X00;
	MPU_Initure.TypeExtField=MPU_TEX_LEVEL0;
	MPU_Initure.AccessPermission=MPU_REGION_FULL_ACCESS;	//此region可读写
	MPU_Initure.DisableExec=MPU_INSTRUCTION_ACCESS_ENABLE;	//允许读取此区域中的指令
	MPU_Initure.IsShareable=MPU_ACCESS_NOT_SHAREABLE;
	MPU_Initure.IsCacheable=MPU_ACCESS_NOT_CACHEABLE;
	MPU_Initure.IsBufferable=MPU_ACCESS_BUFFERABLE;
	HAL_MPU_ConfigRegion(&MPU_Initure);
	
	HAL_MPU_Enable(MPU_PRIVILEGED_DEFAULT);			//开启MPU
}

//读取NAND FLASH的ID
//返回值:0,成功;
//    其他,失败
u8 NAND_ModeSet(u8 mode)
{
      
	*(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_CMD)=NAND_FEATURE;//发送设置特性命令
	*(vu8*)(NAND_ADDRESS|NAND_ADDR)=0X01

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