GoWin—Tang Nano BSRAM使用方法

hushichuanren

于 2024-03-24 22:55:31 发布

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本文链接：https://blog.csdn.net/hushichuanren/article/details/136994225

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本文讨论了SRAM的不同读写模式，包括Bypass（低延迟但高功耗）、Pipelined（高吞吐量但可能延迟较高）以及Write-through和Read-before-write（确保数据一致性），帮助用户根据应用需求选择合适的模式。

摘要由CSDN通过智能技术生成

调用IP生成ram模块，SP代表single port 单端口模式，即同一时间只能控制读或写

其中读模式

Bypass（绕过）读模式：在 Bypass 读模式下，SRAM 的读操作是直接从存储单元读取数据，并将其输出到读取端口。这种模式下的读取速度较快，但需要等待存储单元的延迟时间，因为数据需要通过存储单元的传输门（pass gate）进行传输。Bypass 读模式适用于对读取延迟要求较高的应用，但可能会消耗更多的功耗。
Pipelined（流水线）读模式：在 Pipelined 读模式下，SRAM 使用流水线结构进行读取操作。读取请求经过多个阶段的流水线处理，分解成不同的操作步骤，以实现更高的读取吞吐量。在 Pipelined 模式中，读取请求在多个时钟周期内完成，允许多个读取请求同时进行处理。这种模式下的读取速度相对较慢，但可以实现更高的吞吐量和更好的性能。

选择使用哪种读模式取决于具体的应用需求。如果对读取延迟要求较高，且对吞吐量要求不高，可以选择 Bypass 读模式。而如果对吞吐量要求较高，可以选择 Pipelined 读模式，即使在单个读取操作的延迟较高的情况下，整体的读取效率仍然可以得到提升。

写模式

"Normal"、"Write-through" 和 "Read-before-write" 是 SRAM（静态随机存储器）中常见的三种操作模式，用于描述读取和写入操作的行为。

Normal（普通模式）：在普通模式下，读取和写入操作是基本的、标准的操作方式。读取操作从存储单元中获取数据，并将其输出到读取端口。写入操作将数据写入到指定的存储单元中。
Write-through（写透模式）：在写透模式下，写入操作会同时更新 SRAM 中的存储单元和外部存储器（如缓存或主存）。这意味着写入操作会立即更新 SRAM 和外部存储器中的对应数据。这种模式用于确保存储器数据的一致性，因为任何对 SRAM 的写入操作都会被立即传递到外部存储器，保持数据的同步。
Read-before-write（先读后写模式）：在先读后写模式下，写入操作发生之前会先进行一次读取操作。这样做是为了获取要被写入的存储单元中的当前数据，并在写入之前进行适当的处理或检查。先读后写模式常用于需要根据当前存储单元的值进行条件写入或修改的场景。

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