MOS管的重要参数（自总结）

MOS管的重要参数

结构

N型掺杂：掺杂五价磷<会有一个自由电子>
P型掺杂：掺杂三价硼<会有一个空穴>
原理：扩散作用在N、P交界处形成耗尽层（空穴填满电子），在两块N层上面加一层绝缘层再加一层金属板，外加电源，中间绝缘层会形成一个从上到下的指向性电场。通电后，在绝缘层下方聚集很多自由电子，使得两块N区域联通起来，后区域称为 N沟道，这样通过外加电压即可控制导通。

耗尽层：栅和衬底形成了电容，随着V_G增大，栅极上出现很多正电荷，从而使得P型衬底上的空穴要远离栅极方向。留下负离子来镜像栅极上的正电荷—形成耗尽层
栅极氧化层和耗尽层均不导电，表现为两个电容串联

反型层：
随着V_G的进一步增加，界面电势达到一个足够高的值后，将吸引电子到栅极氧化层下方，以镜像栅极上更多的正电荷。
该电子是自由电子，在栅极下方形成导电“沟道”

MOS管一级模型

V_TH：阈值电压
漏源电流：
I_D=μ_n C_ox W/L[(V_GS-V_TH ) V_DS-1/2 V_DS^2]
V_DS 比较小时，MOS管工作在三极管区（线性区）
V_GS不变，V_DS变大时，靠近D极反型层开始出现夹断【夹断：沟道长度变短，意味着沟道电荷变为0，出现一个很强的横向电场，可以让电子快速通过】，进入饱和区。
饱和区的漏源电流：
I_D=(μ_n C_ox)/2.W/L 〖(V_GS-V_TH)〗^2
只考虑一级效应的MOS管大信号模型概述：

由上知，过驱动电压V_OV=V_GS-V_TH。
当V_GS<V_TH时，MOS管处于截止状态；
当V_GS>V_TH、V_DS<V_OV时，MOS管导通，且处在线性区，此时可以等效为线性电阻。
当V_GS>V_TH、V_DS>V_OV时，MOS管导通，且处在饱和区，此时可以等效为电压控制的电流源。
只要MOS管导通，且V_GS>V_DS，则MOS管一定处在饱和区。