推挽电路整理-MOS管电路-01

1、三极管回顾:

三极管推挽电路输出特点:Vout=Vin-0.3V(如下图所示)

这中输出方式跟三极管的特性分不开。下文中提到的MOS管推挽电路将规避这个问题:

涉及知识:三极管导通特性需要考虑压降,MOS管导通是没有压降这个概念,只需要考虑导通阻抗问题(Rds-on)

2、MOS管推挽电路设计

上N上N型推挽电路:如下图所示。Vout几乎等于VCC(这种方式是轨对轨方式(rail-rail))

工作特性:一般工作在频率比较高,功率比较大的电路。

重点:其中工作方式与之前三极管推挽电路工作方式相同;但上管导通时需要考虑自举电路设计。

上P上N型推挽电路:如下图所示。

温故MOS管导通条件:

        P:Vgs<Vth 

        N:Vgs>Vth 

所以,上P下N型推挽电路需要设计时序,方式上管和下管同时导通。

工作特性:一般工作相对于上N下N型推挽电路频率比较低,功率比较低的电路。(原因是P管相对于N管开关速度慢,Rds-on相对于N管大一点)

### MOS推挽驱动电路图设计 MOS推挽驱动电路是一种常见的功率电子电路结构,用于高效驱动负载。其核心在于利用两个MOS管交替导通实现电流双向流动的功能。以下是基于已有引用内容和其他专业知识整理的一个典型设计示例。 #### 1. 基本原理 在一个典型的推挽驱动电路中,通常会使用N沟道增强型MOS管作为开关元件。为了确保MOS管能够可靠地开启和关闭,需要提供足够的栅极驱动电压,并且要考虑到栅源极间的寄生电容效应[^3]。因此,在实际设计中,常常会在驱动电阻上并联一个二极管(通常是快恢复二极管),以便加速关断过程,减少开关损耗。 #### 2. 设计要点 - **电源管理**:对于高效率的应用场景,可以考虑加入直流恢复电路(CC2 和 DC2),以确保即使在低占空比条件下也能维持稳定的偏置电压供给[^2]。 - **保护机制**:为了避免因欠压而导致异常操作,建议选用具备UVLO(Under Voltage Lockout)特性的驱动芯片,这样可以在供电不足时自动封锁输出,保障系统的安全性[^2]。 - **优化性能参数**:合理选择Rg1与Rg2阻值大小,既能满足快速切换需求又能避免过大的浪涌电流冲击损坏前端控制器[^3]。 #### 3. 示例电路图 下面给出了一种简单的MOS推挽驱动拓扑示意: ```plaintext Vin (+) | Rgate_on | D1 (Fast Recovery Diode) +-----/\/\/\---->|------+ | | | Gate -----> Q1(N-MOS) Cload | | | +-----/\/\/\-----<|------+ Rgate_off Q2(P-MOS) | | GND Load (-) ``` 在这个例子中: - `Q1` 是 N 沟道 MOSFET; - `Q2` 则为 P 沟道 MOSFET; - 添加了限流电阻 (`Rgate_on`, `Rgate_off`) 来控制上升时间和下降时间; - 并联了一个快恢复二极管(`D1`)帮助迅速释放存储于Cgs中的能量,从而缩短关断延迟[^3]。 注意:以上仅为概念性说明,请依据具体应用场景调整各组件数值以及布局安排。 --- ###
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