DIMM模块介绍

一个DDR3 SDRAM芯片的容量为1、2、4和8 Gbit，一个DDR4 SDRAM芯片的容量为4、8、16和32 Gbit。

我们可以将两个或多个芯片连接在一起，以增加内存容量和带宽。

上图中的DDR SDRAM芯片包含四个bank，每个bank大小为4096x1024x8位。因此，一个DDR SDRAM芯片的大小为16Mx8位。

图中又包含两个DDR SDRAM芯片，它们共享数据和控制信号（DQS和DM）和命令总线（CS#、WE#、RAS#和CAS#），因此两个芯片可以同时访问。

连接到同一芯片选择（CS#）信号的DRAM芯片，可以同时访问，也被称为rank。图中两个DDR SDRAM共同形成大小为16Mx16位的存储空间。因此，通过连接两个DRAM芯片，我们增加了容量和数据总线带宽，因为现在16个数据位同时传输。

我们可以通过在一个rank中继续连接两个以上的芯片来进一步增加DRAM的容量和带宽。如下图显示了由四个大小为16Mx8位的DDR SDRAM芯片组成的rank。同样，所有四个DDR SDRAM芯片都共享相同的CS#信号，并同时访问。所以，这个rank容量为16Mx32位，因为现在32个数据位同时传输。

我们甚至可以组成两个独立的rank。通过这种方式，我们可以交错两个rank的访问（类似于bank交错)。在访问一个rank时，我们可以active另一个rank中的一行或refresh另一个rank。

下图显示了两个独立的rank，Rank0和Rank1。对于每个rank，都有一个单独的CS#信号：Rank0为CS0#，Rank1为CS1#。现在，两个rank共享相同的数据总线，因为只有一个rank可以同时读写。

在现代计算机系统中，DRAM芯片组合在PCB上，用于个人电脑和服务器。内存芯片放置在PCB的两侧。

8个内存芯片放置在PCB的一侧。两侧包含内存芯片的PCB被称为DIMM。例如，DIMM的64位数据总线需要八个并行寻址的8位SDRAM。DIMM模块一侧的DRAM芯片形成一个rank：它们共享相同的芯片选择（CS#）信号，因此可以同时访问。DIMM上的所有DRAM芯片共享所有其他命令和控制信号，只有每个rank的片选引脚是分开的。