DRAM刷新时序参数解析：tRFC、tREF和tREFI

已于 2025-04-23 07:43:16 修改
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文章标签： fpga开发
于 2025-04-22 20:29:25 首次发布
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本文链接：https://blog.csdn.net/iNostory/article/details/147434636
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聊聊DRAM中几个容易被忽略但非常重要的参数：tRFC、tREF和tREFI。

DRAM存储数据的方式很特别，它用小电容来存储数据。简单来说，有电表示1，没电表示0。但是这些电容会慢慢漏电，如果不定期"充电"（刷新），数据就会丢失。这就是为什么DRAM被称为"动态"内存。

刷新时序参数

tREF（刷新周期）

tREF表示对整个DRAM芯片完成一次完整刷新所需的最大时间。按照JEDEC标准，这个时间通常是64ms。也就是说，DRAM中的每个存储单元必须在64ms内至少刷新一次，否则数据就会丢失。

tREFI（刷新间隔）

tREFI定义了两次刷新命令之间的时间间隔。计算方法很简单：

tREFI = tREF / 刷新行数
 

以8Gb DDR4内存为例，如果有8192行需要刷新，而tREF是64ms，那么：


 



                

        

    

  


        

            

                    
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内存超频trfc_雷克沙DDR4 3200MHz 8GB内存超频教程

				
			

			

				

					weixin_42623010的博客
				

				

					01-03
					
					1万+
					
				

			

		

		

			
				
Intel平台DDR4 4000MHz、3800MHz超频教程雷克沙这套三星C Die的内存条在英特尔平台上的表现其实要比AMD平台稍微好一些，更容易达到超频后的稳定状态，所以我们先说英特尔平台上的超频教程。DDR4 4000MHz我们使用的平台是：处理器：Intel Core i9 10900K主板：ROG MAXIMUS XII EXTREME内存：Lexar DDR4 3200MH...

			
		

	



                

            
              



	

		

			

				
					
DRAM refresh里面的tRFC tREFI tREF之间是什么关系

				
			

			

				

					一个DRAM从业者的告白
				

				

					03-19
					
					2111
					
				

			

		

		

			
				
欢迎大家关注微信公众号: DRAM视界也欢迎大家订阅本专栏。本专栏会持续不断的分享DRAM相关的经验Refresh操作里面也有很多对timing的要求，ACT要求tRCD/tFAW, PRE要求tRP, tRTP等。REF要求tRFC/ tREFI/ tREF等等。那tRFC vs tREFI vs tREF之间是何等的三角关系呢？

			
		

	



              


  
              

                


	

		

			

				
					
内存超频trfc_【科普】什么样的内存适合Zen2？

				
			

			

				

					weixin_36480122的博客
				

				

					01-03
					
					6341
					
				

			

		

		

			
				
昨天简单介绍了一些适合Zen2平台的内存，今天给大家科普一下什么样的内存适合Zen2，方便大家自由发挥。昨天没看的跳转链接：【推荐】AMD Zen2平台内存推荐首先说一下个人平台： CPU：锐龙R7 3700X主板：华硕ROG B450-I阅读须知：1.	zen2内存超频请注意你的FCLK值对不对！2.	Zen2内存典型的“高频低能”，内存甜点频率在...

			
		

	





	

		

			

				
					
内存超频trfc_[玩家折腾] C9BJZ8G*4 小白超频记

				
			

			

				

					weixin_32795125的博客
				

				

					01-03
					
					2万+
					
				

			

		

		

			
				
版权声明: 本折腾为SMXDIY网友原创，未经作者本人授权谢绝转载。大家好，我是来自SMXdiy的enorez,小白一枚。很白的小白。由于不是教学向，所以我只是想把我本次C9四条8G的超频之路分享给大家。帮助其他像我一样的小白可以在未来进行参考，也是一次复盘。  先交代事情起末(不感兴趣可以跳过)：2020年1月中旬，偶然看到了B站上关于C9的测评。刚好，当时在17年10月配的电脑玩...

			
		

	



		

			
		



	

		

			

				
					
内存超频trfc_探讨锐龙二代内存超频极限——bdie，cjr，Edie，adie四家颗粒。

				
			

			

				

					weixin_39923945的博客
				

				

					01-03
					
					1万+
					
				

			

		

		

			
				
市面上相信可选择的内存数不胜数，但是颗粒确实只有三家可以提供，分别是三星，海力士，镁光。然而用在超频来说，讲的比较多的就是三星bdie，海力士的cjr，镁光新出的c9bjz(edie)。目前我在二代锐龙上使用过bdie，cjr。总结下来2600x，只能稳定超频到3466频mhz，平台使用过b450迫击炮，b450迫击炮钛金，x470ganing plus、微星b450i四个平台都尝试过，只有b45...

			
		

	





	

		

			

				
					
内存超频trfc_颜值颇高还能狂超频？HyperX Fury RGB 3200内存超频体验

				
			

			

				

					weixin_39985286的博客
				

				

					12-21
					
					828
					
				

			

		

		

			
				
本帖最后由 sanghua 于 2019-10-25 08:22 编辑前言：000.jpg (132.21 KB, 下载次数: 4)2019-10-24 22:54 上传已经有很长一段时间没有发文章了，工作实在太忙，特别是现在越来越多的活动都需要做视频大大增加了工作量，为了提升效率减少压力，把家里的机器也升到了9900K，回头上装机文。001.jpg (158.96 KB, 下载次数: 5)201...

			
		

	





	

		

			

				
					
DDR内存时序设置全解析：优化系统性能的关键

				
			

			

				

					
				

			

		

		

			
				
7. tRFC（RowRefreshCycleTime）：行刷新周期时间，内存模块执行内部刷新操作的时间间隔。  8. tRRD（RowtoRowDelay, RAStoRASdelay）：行到行延迟，连续访问两个不同行之间的最小时间间隔。  9. tWR...

			
		

	





	

		

			

				
					
DDR3时序优化秘籍：调整参数提升性能的关键方法

				
			

			

				

					
				

			

		

		

			
				
![海思3531的uboot移植（含DDR3参数配置修改）.pdf]...文章详细阐述了内存时序参数对内存访问速度的影响，并介绍了通过时序参数调整来优化内存性能的方法。

			
		

	





	

		

			

				
					
【LPDDR4x技术解析】SDRAM基本功能详解：读写操作与刷新机制的设计原理及应用

				
			

			

				

					04-25
				

			

		

		

			
				
此外，还详细解释了与内存刷新相关的两个重要时序参数——刷新周期时间（tRFC）和平刷新间隔时间（tREFI），并讨论了它们对性能和稳定性的相互影响。 适合人群：具备一定硬件基础知识，尤其是对存储器技术感兴趣的...

			
		

	





	

		

			

				
					
【Hi3519AV100 DDR4时序调优】：深入剖析时序对性能的决定性影响

				
			

			

				

					
				

			

		

		

			
				
![【Hi3519AV100 DDR4时序调优】：...研究首先介绍了DDR4的工作原理、架构及信号完整性，进而探讨了时序参数对内存性能的影响及其优化策略。通过对Hi3519AV100平台的DDR4内存进行时序调优，本文展示了调优工具和方法的

			
		

	





	

		

			

				
					
DDR4规范要求

				
			

			

				

					03-05
				

			

		

		

			
				
1. DDR—动态随机存储器
2. tRC（row cycle time） --行循环时间
3. tRCD-----从行有效到读/写命令发出之间的时间间隔
4. tRRD（Row active to Row active delay） --行激活到激活延迟时间
5. tCK---时钟周期
6. AL(Additive latency)---附加的潜伏期
7. RL(Read latency)---------- 读选通潜伏期
8. WL(write latency)------ 写选通潜伏期
9. CL（CAS Latency ）----列地址脉冲选通潜伏期
10. tAC（Access Time from CLK）-----时钟触发后的访问时间
11. BL (Burst Lengths)-----突发长度
12. tRP（Row Precharge command Period）-----行预充电有效周期
13. DQS----数据选取脉冲
14. Precharge---预充电
15. Refresh—刷新，AR(auto refresh),SR(self refresh)
16. DLL--延迟锁定回路

			
		

	





	

		

			

				
					
超频到3200最佳时序_XPG 龙耀D50 DDR43600内存评测：外观帅气 超频潜力可观

				
			

			

				

					weixin_39543835的博客
				

				

					11-21
					
					7577
					
				

			

		

		

			
				
威刚旗下高端电竞品牌XPG这些年来推出了多款RGB内存条，他们都属于龙耀系列，其中最高端的是水冷内存条龙耀D80，而主流款则有发光面积高达60%的龙耀 D60G RGB内存。今天为大家带来新一代龙耀系列“重装铠甲”内存——龙耀 D50。威刚龙耀D50内存介绍龙耀D50的彩盒和XPG其他的内存、SSD风格保持一只，黑色打底红色点缀，然后中间放产品的照片。龙耀D50有单根8GB、单根16GB...

			
		

	





	

		

			

				
					
DDR4的刷新

				
			

			

				

					花信风的博客
				

				

					12-03
					
					9337
					
				

			

		

		

			
				
Refresh，刷新是 DRAM 的一项重要特性，又被称为动态刷新（Dynamic refresh），而 Dynamic 就是 DRAM 中的 'D' 所代表的意思。DRAM 刷新与其结构息息相关。

本系列连载于 OpenIC SIG，除了 DDR 学习时间专栏外，OICSIG 目前正在陆续上线 HDLBits 中文导学的优化版本，欢迎关注/支持/加入我们

DDR 学习时间 - OpenIC SIG 开源数字IC技术分享

在 DDR 学习时间专栏中，目前有两个 Part：

Part-A DRAM 课

			
		

	





	

		

			

				
					
Linux服务器查看内存使用情况

				
			

			

				

					爱琴孩的博客
				

				

					09-28
					
					1236
					
				

			

		

		

			
				
前言

在日常开发或者生产环境，我们经常需要查看linux服务的内存使用情况，所以能熟练敲出命令能便于我们快速定位问题，这里来和大家一起学习linux的常用查看内存命令。

free命令

free命令显示系统使用和空闲的内存情况，包括物理内存、交互区内存(swap)和内核缓冲区内存。



很清晰明白的显示出了总内存多少，已使用多少，还剩下多少。这里可以看到Swap的used已使用了811Mb，服务器上跑了一个下载音频的进程，物理内存已经不够用了，所以从磁盘中虚拟出一部分的内存。当然我们可以使用free.

			
		

	





	

		

			

				
					
DRAM的三种刷新方式的刷新周期问题

					
热门推荐

				
			

			

				

					Mongo_girl
				

				

					05-04
					
					3万+
					
				

			

		

		

			
				
定时刷新的原因：由于存储单元的访问是随机的，有可能某些存储单元长期得不到访问，不进行存储器的读/写操作，其存储单元内的原信息将会慢慢消失，为此，必须采用定时刷新的方法，它规定在一定的时间内，对动态RAM的全部基本单元电路必作一次刷新，一般取2ms，即刷新周期（再生周期）。

刷新与行地址有关。刷新时一行行进行的，必须在刷新周期内，由专用的刷新电路来完成对基本单元电路的逐行刷新，才能保证DRAM内的...

			
		

	





	

		

			

				
					
关于xilinx中ddr3仿真出现tRFC maximum violation during No Op问题记录

				
			

			

				

					Yuxin_Yu的博客
				

				

					05-31
					
					1389
					
				

			

		

		

			
				
文章目录1.问题描述2.解决方案
1.问题描述
 在日常的FPGA开发中，ddr常用于对大量数据的存储，在对ddr的仿真过程中，常采用的是官方提供的ddr3_model.sv模块，简单方便。前段时间采用其进行仿真时，出现了app_rdy在进行短暂的读取数据后，一直置低，并且信息窗口报错如下

 因为这个问题卡了我好多天，一直得不到解决，后面直接放下，转而去解决其他问题了，近来项目整合，不得不解决问题。于是乎到处问，最后得到一位南理工的同行指点，才算是解决了问题，特此记录在此，给后人排坑。
2.解决方案
 给

			
		

	





	

		

			

				
					
DRAM刷新的理解

				
			

			

				

					qq_53535498的博客
				

				

					08-21
					
					5763
					
				

			

		

		

			
				
本文主要介绍了DRAM刷新机制

			
		

	





	

		

			

				
					
DRAM的tRFC为啥不同的density会不一样的？

				
			

			

				

					一个DRAM从业者的告白
				

				

					03-20
					
					837
					
				

			

		

		

			
				
refresh的command严重影响DRAM的performance，导致访问DRAM的latency增加的原因就是因为tRFC. 我们当然希望容量的增加是不要以牺牲性能为代价。DDR4亦然，DDR5既通过增加row的方式来增加density，也通过增加bank数量来增加density，所以道理亦然。拿DDR3 8个bank而言，假如REF是打开所有的bank的某条row的。，这个时候，tRFC的时间就会随着density的增加而增加。所以我们可以用8(bank)*8条row的方式来做，

			
		

	





	

		

			

				
					
DDR tREFI测试

					
最新发布

				
			

			

				

					06-06
				

			

		

		

			
				
### 关于DDR tREFI参数的测试方法和工具

DDR（Double Data Rate）内存中的`tREFI`参数是指刷新间隔时间，它决定了内存单元需要被刷新的频率以避免数据丢失。以下是关于DDR `tREFI`参数的测试方法、工具以及参数说明的相关信息。

#### 1. DDR `tREFI` 参数说明
`tREFI` 是 DDR 内存中非常重要的一个时序参数，表示内存行地址在两次刷新操作之间的最大时间间隔[^6]。该参数确保了存储单元能够保持其数据完整性，特别是在长时间未访问的情况下。如果 `tREFI` 设置不当，可能会导致数据丢失或系统不稳定。

- **单位**：通常以毫秒（ms）为单位。
- **典型值**：对于 DDR3 和 DDR4，常见的 `tREFI` 值为 7.8 us（即 7800 毫秒/8192 行）[^7]。
- **影响因素**：具体值取决于内存类型、温度和制造商的设计规范。

#### 2. 测试方法
为了验证 `tREFI` 参数是否符合规范，可以采用以下方法：

- **使用内存测试工具**：通过专用的硬件测试工具（如 MemTest86 或其他内存诊断软件），可以模拟不同工作条件下的内存行为，并检查是否存在数据丢失或错误。
- **读写压力测试**：在特定时间内对内存进行高强度的读写操作，同时调整 `tREFI` 参数以观察系统稳定性。如果设置过长，可能会出现数据丢失；如果过短，则可能降低性能[^8]。
- **时序分析仪**：利用逻辑分析仪或示波器捕获内存控制器发出的刷新信号，直接测量刷新周期是否与预期的 `tREFI` 值一致。

#### 3. 测试工具
以下是几种常用的 DDR 内存测试工具，可用于评估 `tREFI` 参数的表现：

- **MemTest86**：
  MemTest86 是一款广泛使用的内存测试工具，支持多种 DDR 类型。它可以检测内存错误并提供详细的报告，包括刷新相关的问题[^9]。
  
  ```bash
  # 下载并启动 MemTest86
  sudo apt-get install memtest86+
  memtest86+
  ```

- **AIDA64**：
  AIDA64 提供全面的硬件信息和基准测试功能，其中包括内存时序参数的详细分析。用户可以通过该工具查看当前的 `tREFI` 设置并进行调整[^10]。

- **Xilinx Vivado**（针对 FPGA 平台）：
  如果目标平台是基于 FPGA 的 DDR 控制器设计，可以使用 Xilinx Vivado 等开发工具来仿真和验证 `tREFI` 参数的行为。

#### 4. 参数调整建议
在某些情况下，用户可能需要手动调整 `tREFI` 参数以优化性能或兼容性。以下是一些注意事项：

- **BIOS 设置**：进入主板 BIOS，找到与内存时序相关的选项，尝试修改 `tREFI` 值。请注意，不当的设置可能导致系统无法正常启动。
- **SPD 数据**：Serial Presence Detect (SPD) 芯片中存储了内存模块的默认时序参数，包括 `tREFI`。可以使用工具（如 CPU-Z）读取这些信息作为参考[^11]。

```python
# 示例代码：读取 SPD 数据（Python 版本）
import subprocess

def get_spd_info():
    result = subprocess.run(['sudo', 'dmidecode', '-t', 'memory'], stdout=subprocess.PIPE)
    return result.stdout.decode()

print(get_spd_info())
```

#### 5. 总结
DDR `tREFI` 参数的测试涉及硬件和软件两个层面。通过使用专业的内存测试工具（如 MemTest86、AIDA64）以及逻辑分析仪等设备，可以有效地评估和调整该参数以满足特定需求。此外，在调整时需谨慎操作，以免影响系统的稳定性和可靠性。

			
		

	



              




          




        



    





    



      

      

        
      

      





	

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