DRAM刷新时序参数解析:tRFC、tREF和tREFI

 

聊聊DRAM中几个容易被忽略但非常重要的参数:tRFC、tREF和tREFI。

DRAM存储数据的方式很特别,它用小电容来存储数据。简单来说,有电表示1,没电表示0。但是这些电容会慢慢漏电,如果不定期"充电"(刷新),数据就会丢失。这就是为什么DRAM被称为"动态"内存。

刷新时序参数

tREF(刷新周期)

tREF表示对整个DRAM芯片完成一次完整刷新所需的最大时间。按照JEDEC标准,这个时间通常是64ms。也就是说,DRAM中的每个存储单元必须在64ms内至少刷新一次,否则数据就会丢失。

tREFI(刷新间隔)

tREFI定义了两次刷新命令之间的时间间隔。计算方法很简单:

tREFI = tREF / 刷新行数
 

以8Gb DDR4内存为例,如果有8192行需要刷新,而tREF是64ms,那么:


 
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