1. Flash与EEPROM简介
1.1 Flash简介
Flash,又叫闪存,。根据存储单元电路的不同,分为NAND Flash和NOR Flash两种。Nor Flash由于地址线和数据线是分开的,可以按字节读写数据。这种特性可以用来存储和运行代码,MCU内部的Flash就是一种NOR Flash。
但是无论是哪种Flash,他们写之前必须先进行擦除操作(因为只能将数据由1写为0)。
1.2 EEPROM简介
EEPROM,Electrically Erasable Programmable Read Only Memory,即电可擦除可编程只读存储器,也是一种非易失性存储区。EEPROM也是可以按字节读写数据的,但是写入之前不需要先擦除数据。
1.3 Flash与EEPROM对比
Flash 与 EEPROM都属于非易失性存储器,他们都可以掉电保存数据。但他们也有很多的区别,下表列出了Flash与EEPROM的主要区别:
注:这里对比的Flash是MCU内部的Flash
其实,在Linux的设备驱动归类中,Flash其实是归类到块设备的,因为它的最小操作单元是扇区/块,而EEPROM则是一种字符设备,最小操作单元是字节。
1.4 Flash模拟EEPROM的优势
- 节约成本,可减少EEPROM芯片的使用
- 读写速率快,MCU内部的Flash读写速率要远远高于EEPROM
- 抗干扰能力强,MCU内部的Flash没有使用I2C、SPI这类通讯总线,不存在这类总线被干扰的问题。
2. Flash模拟EEPROM原理
在前面的对比,我们可以了解到,Flash与EEPROM最大的区别就是:
- Flash写之前需要擦除
- Flash与EEPROM一次操作的数据大小不同。虽然MCU内部的Flash和EEPROM一样,可以实现按字节的读写,但是在写入的时候,是必须要先按扇区擦除的,这里也可以说相当于是一次操作的数据大小不同。
那么,我们Flash模拟EEPROM主要是模拟实现什么呢?主要实现的关键点有:
- 无需用户擦除即可按字节读写(擦除操作封装在函数内部)
- 擦除数据时不能改变原来已经存储的数据(读改写策略)
- 尽量减少Flash擦除次数,延长Flash寿命(擦除之前先判断是否已经是擦除状态)
具体如何实现?
读操作
MCU内部的Flash读操作很简单,直接像内存一样读即可。例如读0x08000000地址处的数据:
*(uint32_t *)0x08000000;
写操作
3. APM32F4系列Flash模拟EEPROM难点
3.1 APM32F4 Flash存储器结构
3.2 难点和解决办法
-
Flash扇区太大,导致RAM不足以开辟同样大小的缓冲区
-
不能使用第一个扇区,因为那个扇区是MCU启动固定使用的
/* Specifies the start address of the sector. The purpose is to occupy a space at the specified address of MCU flash. */
static const uint8_t Flash_Para_Area[FLASH_EE_TOTAL_SIZE] __attribute__((section(".ARM.__at_0x08004000")));
/* The buffer that write or erase sector data */
static uint8_t Flash_EE_Ram_Buffer[FLASH_SECTOR_SIZE];
3.3 APM32F4 Flash的存储区域规划
4. APM32F4系列Flash模拟EEPROM代码介绍
4.1 相关宏定义
/* flash sector satrt address */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_1 ((uint32_t)0x08004000) /* 16 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_2 ((uint32_t)0x08008000) /* 16 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_3 ((uint32_t)0x0800C000) /* 16 Kbytes */
/* flash sector size */
#define FLASH_SECTOR_SIZE ((uint32_t)(1024 * 16))
/* flash emulation eeprom total size. This value must be a multiple of 16KB */
#define FLASH_EE_TOTAL_SIZE ((uint32_t)(1024 * 16 * 2))
/* flash emulation eeprom sector start address, it's must be sector aligned */
#define FLASH_EE_START_ADDR ADDR_FLASH_SECTOR_1
/* flash emulation eeprom sector start address */
#define FLASH_EE_END_ADDR (ADDR_FLASH_SECTOR_1 + FLASH_EE_TOTAL_SIZE)
4.2 读写接口函数
/*
* readAddr: 读数据起始地址
* pData: 指针,指向保存读出的数据的缓冲区
* len: 读取数据的长度
*/
void Flash_EE_Read(uint32_t readAddr, uint8_t* pData, uint32_t len);
/*
* readAddr: 写数据起始地址
* pData: 指针,指向需要写入数据的缓冲区
* len: 写入数据的长度
*/
void Flash_EE_Write(uint32_t writeAddr, uint8_t* pData, uint32_t len);
5. 另一种Flash模拟EEPROM方案介绍
5.1 数据存储格式
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每个页的第一个存储区,保存当前的页状态。
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flash address:就是MCU flash的实际地址,在代码中并没有使用到,只用到页起始和结束地址。
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data:用户存储的数据。
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virtual address:对应数据的虚拟地址,在读数据时,我们需要根据这个虚拟地址进行寻址。
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存储变量的个数:扇区大小 / 4 - 1。比如 2KB / 4 – 1 = 511,即最多可以存储511个变量。
5.2 扇区/页状态
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有效状态:该页包含所有的有效数据,读写数据在该页进行
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擦除状态:就是一个空的页
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数据传输状态:当一个页写满时,把已经写满的页的 有效数据复制到本页的状态
5.3 数据更新过程
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写数据:从 页起始地址开始寻址,找到第一个已经被擦除的区域(比如前面的数据存储格式的图片,flash address = 24的位置),然后把数据和对应的虚拟地址一起写入。当第二次改写同一虚拟地址处的值时,会在Flash新的位置,存储该虚拟地址的值。比如比如前面图片的flash address = 20的地址处,存储的虚拟地址是0x7777,是第二次出现的虚拟地址,修改数据就是会这样在新的位置存储新的值。其中最后一次存储的数据,才是 有效数据。
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读数据:从 页结束地址开始寻址,找到对应地址 最后一次改变的数据(其实就是有效数据)。比如前面的数据存储格式的图片,有两个0x7777地址对应的数据,只会返回最后一次改变的数据。
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数据转移:当页0写满时,会把该页的 有效数据全部复制到另外一个空页(页1)。然后再擦除页0,把页1标记为有效状态,再页1继续写数据。
6. 后续补充
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作者:luobeihai
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