储存器介绍

学习笔记—（1）储存器介绍

储存器分为RAM（易失性存储器）和ROM（非易失性存储器）Flash（非易失性存储器）

这里分别介绍一下RAM、ROM、Flash

(一)RAM （Random Access Memory）

RAM在存储机制上，分为DRAM(动态存储器)和SRAM（静态存储器）

1.1 DRAM

DRAM之所称为动态存储器，是因为它需要定期刷新，对电容进行检查。它的存储机制就是电容有无电荷来表示1，0。由于有电荷的电容会慢慢放电，无电荷的电容会慢慢吸收电荷。所以要不停刷新检查电荷量，大于1/2的认为是1，然后补充满，小于1/2的则放电到为0.从此往复。 DRAM又分为同步和异步，同步的速度快，所以被广泛地使用。同步的被称为SDRAM。DDR SDRAM则是改进型，现在我们常用的内存条就是DDRIII SDRAM了。

1.2 SRAM

SRAM则是速度快，但成本也比较高。在实际中，一般用做于CPU的高速缓存（Cache），外部拓展内存则为DRAM。

(二)ROM （Random Only Memory）

ROM意为只读存储器，但现在的ROM并不是字面上的只读，它也可以写入， 只是因为之前的ROM为只读，所以名称延续了下来。

2.1 EEPROM

ROM的话就介绍一下EEPROM，EEPROM可以重复擦除，擦除和写入都是由电路擦除的，按字节来修改数据，现在主要的ROM芯片都是EEPROM。

(三)Flash 存储器

Flash存储器又称为闪存，有些书籍把Flash 称为Flash ROM。根据储存电路的不同，分为NOR Flash和NAND Flash。 Flash在写入前都要进行擦除操作。擦除一般以扇区/块为单位。Flash的擦除次数有限，大概有10万次左右。

3.1 NOR Flash

NOR Flash地址线和数据线是分开的，可以按照字节来读写数据，符合CPU的指令译码执行要求。

3.2 NAND Flash

NAND Flash地址线和数据线是共用的，只能按‘块’来读取，不符合指令译码要求。块内如果有一位失效，则整块会失效。
由于两者的差异，NOR Flash一般用于代码储存空间的场合，如嵌入式控制器内部的储存空间。NAND Flash则用于大数据量存储空间，如SD卡，U盘，固态硬盘等。
EEPROM和 Flash的区别在于Flash的特点是结构简单，同样工艺和同样晶元面积下可以得到更高容量且大数据量下的操作速度更快，但缺点是操作过程麻烦，特别是在小数据量反复重写时，所以在MCU中Flash结构适于不需频繁改写的程序存储器。

这里有一篇文章非常详细的讲解了EEPROM和 Flash的区别。这是链接。

好了，这是存储器的学习笔记。