晶体管测试流程

1 检查系统是否漏电、短路

通过IV测试，分别测试两通路是否能良好断开和短接（小电压时）。

2 检查沟道是否短路、断路

只接通Drain/Source，当做二端器件来测试IV，测试沟道电阻，看看是否短路和断路。

3 检查栅极漏电

一般Ids>>Igs

若Ids和Igs在同一个数量级，考虑是否漏电严重。尤其是Ids-Vgs曲线关于某一个电压左右对称时候，是典型的漏电现象。

无论沟道导电性如何，电极处，沟道处，均可能漏电。

常用的300 nm SiO2, 会因为硅片质量、切硅片时候的硅残渣、制备器件过程中的离子、酸碱处理、移动过程中遇到的应力、加电压过大（Vgd Vgs有任何一个>60 V）等变得漏电严重。

测试之前，建议假设测试系统有问题，器件有漏电问题。通过验证实验，验证当下测试系统和器件是否有问题。

在没有完成三步之前，不适合考虑器件机理层面的问题。