1 检查系统是否漏电、短路
通过IV测试,分别测试两通路是否能良好断开和短接(小电压时)。
2 检查沟道是否短路、断路
只接通Drain/Source,当做二端器件来测试IV,测试沟道电阻,看看是否短路和断路。
3 检查栅极漏电
一般Ids>>Igs
若Ids和Igs在同一个数量级,考虑是否漏电严重。尤其是Ids-Vgs曲线关于某一个电压左右对称时候,是典型的漏电现象。
无论沟道导电性如何,电极处,沟道处,均可能漏电。
常用的300 nm SiO2, 会因为硅片质量、切硅片时候的硅残渣、制备器件过程中的离子、酸碱处理、移动过程中遇到的应力、加电压过大(Vgd Vgs有任何一个>60 V)等变得漏电严重。