前面两章的核心概念
Vgs对Ids的控制
在MOS管中,栅极-源极电压(Vgs)对源极-漏极电流(Ids)的控制是最基本的工作原理。Vgs决定了沟道的形成与否以及沟道的导电能力,从而直接影响到Ids的大小。
沟道长度调制效应(Channel Length Modulation,CLM)
随着漏极-源极电压(Vds)的增加,沟道长度会发生变化,导致Ids增加,这表明Vds也能对Ids产生控制作用。这个效应说明,在高Vds下,MOS管的Ids不再是恒定的,而是随Vds的增加而增加。
衬底偏置效应(Body Effect)
衬底偏置效应描述了衬底电位(体电位)对MOS管阈值电压(Vth)的影响。衬底电位的增加会导致Vth增加,这影响了Vgs对Ids的控制,因为达到导电所需的Vgs会增加。
第三章:单级运放的核心类型
共源放大器
共源放大器是最常见的MOS放大器类型,其特点是输入信号加在栅极上,输出从漏极取出,源极接地。其主要特征是增益为负值(-gm*ro),说明输出信号与输入信号相位相反。
共栅放大器
共栅放大器的输入信号加在源极上,输出从漏极取出,栅极接地。它的增益为正(gm*ro),但一般比共源放大器低。共栅放大器主要用于输入阻抗要求较高的场合。
源跟随器
源跟随器的输入信号加在栅极上,输出从源极取出。它基本上是一个缓冲器,增益接近1(实际为1-1/gmro,但在高gm下接近1),主要特点是输出阻抗低,能够提供较大的电流驱动能力,适合做电压跟随器或缓冲器的角色。
每种运放类型的选择,都依赖于特定应用中对增益、输入/输出阻抗、相位等要求的不同。理解这些基本的工作原理和特性,对于设计和分析模拟电路至关重要
第四章:电流镜
电流镜主要用于电流的复制或放大。在MOSFET的情况下,电流镜利用了MOSFET在饱和区的特性,即当MOSFET工作在饱和区时,漏源电流(Ids)主要受栅源电压(Vgs)的控制,而与漏源电压(Vds)关系不大,只要Vds足够使MOSFET保持在饱和状态。这一特性使得电流镜可以通过一个参考电流来设置一个或多个MOSFET的漏源电流,实现电流的稳定复制。
第五章:差分运放
差分放大器是模拟电路设计中的一个基础构件,它可以放大两个输入信号之间的差异,同时抑制两个输入信号共有的部分(共模信号)。这个特性使得差分放大器非常适用于提取两个信号之间的微小差异,同时忽略掉信号路径中可能的干扰。
- 差模信号是指两个输入之间的差异部分。
- 共模信号是指两个输入共有的信号部分。
引入共模和差模概念有助于设计具有高共模抑制比(CMRR)的放大器,这对于提高电路的信噪比和准确度非常关键。
第六章:频率响应和弥勒效应(Miller Effect)
频率响应描述了电路对不同频率信号的响应能力。在高频应用中,电路元件(如电容和电感)的寄生效应会变得显著,影响电路的性能。
弥勒效应是指在放大器中,由于反馈电容的存在,导致放大器的输入电容显著增大的现象。这一效应会影响到放大器的频率响应,特别是减小了电路的带宽。理解弥勒效应对于设计高频放大器和实现电路补偿非常重要,可以帮助设计者优化电路的频率响应,避免不必要的增益下降或不稳定。
在进行模拟电路设计时,理解并应用这些概念是至关重要的。电流镜、差分放大器和对频率响应的理解都是构建高性能模拟电路的基石。而对弥勒效应的深入理解,则有助于在设计过程中避免潜在的陷阱,从而设计出更加稳定和高效的电路
第七章:噪声分析
- 传递函数 ( QH(f) ): 描述模块输出对系统输出的影响。这是一个频率响应函数,表明在不同频率下,系统对信号的处理方式。
- 频谱密度 ( S(f) ): 表示模块自身产生噪声的频率分布情况。
- 噪声功率贡献 ( P(f) ): 通过传递函数的模平方 ( |QH(f)|^2 ) 与模块的噪声频谱密度 ( S(f) ) 的乘积计算得出。整个系统的噪声功率是所有模块贡献的噪声功率 ( P(f) ) 在感兴趣的频带上的积分。
- 噪声类型:
- 电阻的热噪声: 由电阻产生的噪声,其电压表达式为 ( 4kTR ),电流形式为 ( 4kT/R ),其中 ( k ) 是玻尔兹曼常数,( T ) 是温度(开尔文),( R ) 是电阻值。
- MOS管噪声: 主要由沟道热噪声和闪烁噪声等组成,常用 ( 4kT\gamma m ) 进行表征,其中 ( \gamma m ) 是晶体管的跨导。
- 相关性与非相关噪声:
- 相关噪声: 指的是多个噪声源之间存在相互依赖的关系。
- 非相关噪声: 噪声源之间没有直接的关系,可以通过直接叠加它们的功率谱密度来计算总噪声。
第八章:反馈
- 电流反馈与电压反馈: 分类依据是反馈信号是电压还是电流,以及这些信号是如何从输出量取样以及如何叠加到输入信号上的。
- 电压反馈: 取样输出电压,并将某个比例的电压反馈至输入。
- 电流反馈: 取样输出电流,并将某个比例的电流反馈至输入。
第九章:运算放大器(运放)
- 电流镜: 通常用于为模拟电路提供偏置电流,确保电路在正确的工作点操作。
- 设计步骤:
- 确定运放架构: 例如单级、差分对等。
- 电压裕度分配: 确保各个节点的电压都在合适的范围内。
- 设计偏置电路: 为运放提供稳定的工作点。
- 调整运放参数: 以满足特定的性能要求,如增益、带宽、噪声等。
偏置电路
- 重要性:设计运放时,电流镜作为偏置电路的使用是至关重要的,避免使用电压源直接偏置MOS管,这是因为电流镜可以提供更稳定和可控的电流源,有助于提高运放的性能和稳定性。
- 设计流程:先确定运放的架构,大致分配电压裕度,设计合适的偏置电路,最后调整运放的参数。偏置电路设计通常优先考虑,因为它对运放的整体性能有显著影响。
运放结构
- 单级5管运放、7管二级运放、Cascode运放、套筒和折叠运放:这些结构各有优缺点,选择时需要根据应用需求和性能要求来决定。
- 输入对管的选择:PMOS和NMOS作为输入对管的选择会影响运放的噪声性能、输入阻抗和电源电压要求等参数。
第十章:稳定性与补偿
- 二级运放补偿:讨论了如何通过电路设计来平衡增益带宽积(GBW)与相位裕度(PM),以及如何利用弥勒效应进行补偿,优化运放的频率响应和稳定性。
第11章:Bandgap参考源
- Bandgap基本概念:Bandgap参考源是一种提供稳定电压输出,不随温度、电源电压变化而变化的电路。
- 温度系数:设计中需要考虑正负温度系数的平衡,以实现温度稳定性。
- 架构选择:BGR架构选择对最终性能有重要影响,常见的有Banba架构和Ahuje架构(这里的名字可能有误,可能指的是Bandgap和Ahuja架构)。
- 设计考虑:包括输入对管和负载管类型的选择,以及系统补偿的设计,这些因素都会直接影响Bandgap电路的性能。
- 面试常问:关于Bandgap电路,常见的面试问题包括Vbg电压的表达式、影响Vbg电压的因素及其消除方法、负反馈的应用和判断等。
补充说明
- 电源无关的偏置电路错误:提到了第一版课本中一个关于使用PMOS管实现与电源无关的偏置电路的图示错误,建议读者查看第二版进行对比。
第12章: 开关电容技术和电路
开关电容(SC)技术是一种利用电容在开关作用下存储和转移电荷的方式,广泛应用于模拟信号的处理和数字信号的转换中。核心原理是电容极板上电荷的守恒,即在没有外部电荷流入或流出的情况下,电容存储的电荷量是恒定的。
采样保持电路
一个典型的应用是采样保持电路,它能够在一个瞬间捕获(采样)模拟信号的电压值,并将这个值保持(存储)一段时间,在这个过程中,电容存储的电荷不变。
拉扎维书中提到的细节
- 开关电容电路的噪声:开关动作引入的噪声是设计中必须考虑的因素之一。
- 时钟馈通(Clock Feedthrough)和电荷共享(Charge Sharing):这两个现象都会导致电荷的不完全转移或额外电荷的引入,影响电路精度。
- 失配消除:通过适当设计,可以将运放的失配通过输入或输出电容进行存储,从而减少失配对电路性能的影响。输入电容不能完全消除输入失配,而输出电容可以消除输入失配,但增加了运放饱和的风险。
第13章: 非线性和失配
非线性
非线性是指系统的输出与输入不成线性关系的特性,这通常意味着系统的某些参数(如增益、带宽)会随输入信号的变化而变化。在MOS管的共源放大器中,跨导(g_m)的变化直接受到Vgs的影响,从而影响放大器的线性度。如果使用二极管负载的共源级放大器,其(g_m)的表达式和线性度也会有所不同。提高线性度可能会牺牲其他性能参数。
失配
失配指的是由于器件制造过程中不可避免的差异,导致电路中相似或应相等的参数(例如两个电阻或两个电容的值)存在差异。这种差异与输入信号的大小无关,是一种系统误差。设计中采取适当措施可以减少失配的影响。
推导二极管负载共源级放大器的(g_m)
对于一个二极管负载的共源级放大器,其输出端接的是一个二极管,这意味着加载在MOS管上的是非线性负载。二极管的V-I关系为(I_D = I_S(e^{V_D/V_T} - 1))。在此情况下,(g_m)的表达式将显得更加复杂,依赖于二极管的特性以及工作点。推导过程需要考虑二极管导通时的指数关系,这导致(g_m)与Vgs的关系并不简单,从而影响放大器的线性度。
这些高级概念的理解和应用是高级模拟电路设计的关键部分,涉及深入的电路分析和设计决策
第14章:振荡器
振荡器是产生周期性信号的电路,例如正弦波、方波、锯齿波等。振荡器的设计和分析通常依据巴克豪森判据(Barkhausen Criterion)进行,该判据提出了稳定振荡的两个基本条件:
- 回路增益:在振荡频率下,回路的总增益必须等于1(或者在分贝衡量中为0 dB)。
- 回路相位:回路的总相位移动必须是360度的整数倍,这样信号经过一圈回路放大后,相位可以保持不变。
Ring振荡器和LC振荡器
- Ring振荡器:由多个反向器(或放大器)级联而成,并将最后一个反向器的输出反馈到第一个反向器的输入,形成一个环路。为了产生振荡,环路中的反向器数量必须为奇数,以保证总相位翻转。
- LC振荡器:使用电感(L)和电容(C)形成谐振电路,其振荡频率由LC电路的谐振频率确定。LC振荡器通常用于生成频率较高、相位噪声较低的信号。
第15章:锁相环(PLL)
PLL是一种反馈系统,用于将振荡器的频率锁定到一个外部参考信号的频率。PLL广泛用于通信系统、微处理器的时钟生成和频率合成等应用。PLL的关键组成部分包括:
- 相位比较器(Phase Detector):比较参考信号和VCO输出信号的相位差。
- 环路滤波器(Loop Filter):平滑相位比较器的输出,提供控制电压给VCO。
- 压控振荡器(VCO, Voltage-Controlled Oscillator):其输出频率随着输入控制电压的变化而变化。
PLL设计方面的考虑
- 零极点分布:涉及环路滤波器的设计,它决定了系统的稳定性和响应速度。
- VCO增益(( K_{VCO} )):VCO输出频率对控制电压变化的灵敏度。
- 相噪贡献:每个模块(包括VCO、分频器、相位比较器等)都会对PLL的相位噪声有所贡献。
- 相位噪声和抖动的关系:相位噪声可以看作频率域的表现,而抖动是时域中信号时序误差的表现。
- 抖动的类型:周期性抖动、随机抖动等,不同类型的抖动反映了噪声源的不同特性。
第16章:短沟道器件和模型
短沟道效应
- 概述:随着工艺的进步,晶体管尺寸不断缩小,短沟道效应变得越来越显著。这包括阈值电压的降低、漏电流的增加和电流饱和区的电流-电压曲线倾斜等现象。
- 对设计的影响:短沟道效应对模拟电路设计带来了额外的挑战,比如阈值电压的变化增加了设计的不确定性,需要通过设计上的调整来克服。
BSIM模型
- BSIM4与BSIM6:BSIM4是较早的模型,适用于较老的工艺节点。BSIM6是更新的模型,针对更先进的工艺,考虑了更多非理想效应,能够更准确地模拟短沟道器件的行为。
- 设计考虑:在设计MOS管时,考虑Gm/Id(跨导除以漏源电流)是寻找最优工作点的一种常见方法,可以平衡增益和功耗。
第17章:工艺
- 工艺概述:虽然深入了解CMOS制造工艺(如拉扎维所述)对设计师而言并非必须,但基本的工艺知识有助于理解器件的物理限制和设计的基本约束。
- CMOS工艺的优势:CMOS工艺因其较低的功耗和成本而受到青睐,适用于大多数数字和模拟电路的制造。
第18章:版图
版图设计的重要性
- 敏感模块与线路:在版图设计过程中,要特别注意电路中的敏感模块和敏感线路。例如,对于敏感线路,可能需要添加隔离,以减少噪声耦合。
- MOS管和匹配电阻、电容的版图:某些电路元件(如MOS管、电阻和电容)需要精确匹配,以确保电路的性能。设计时需了解各种匹配技巧,如共心环、交错放置等,以实现最佳的匹配效果。