《炬丰科技-半导体工艺》 使用超临界二氧化碳清洗去除晶片表面的Si3N4颗粒

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：使用超临界二氧化碳清洗去除晶片表面的Si3N4颗粒
编号：JFKJ-21-1077
作者：炬丰科技

引言
本研究考察了利用超临界二氧化碳和共溶剂添加剂去除硅晶片表面Si3N4刨除的技术。 首先，通过关于几种表面活性剂和添加剂的超临界二氧化碳溶解度及刨花板分散性评价，确定了其对超临界工艺的适用性。 通过调整各种变量，进行了刨花板洗脱实验，确立了最佳去除条件。 实验中使用的表面活性剂除垢效果差，实验后证实有次生污染物形成。 而trimethyl phosphate是IPA共溶剂和微量HF混合的清洁添加剂，含超临界二氧化碳为5 wt%的流体，温度50℃； 在压力2000psi下，以15mL min-1的流速洗脱4分钟，结果表明，除垢效率为85%。

实验
试剂和材料：作为实验中使用的蚀刻用试剂，HF水溶液以HF/water（1:1， 德山），并购买了IPA（东友精密化学）、Tergitol(ALDRICH)、TMN-6（ALDRICH，）、Trimethyl phosphate(ALDRICH)作为公用溶剂和添加剂，按适当比例配伍使用。 这些药品均为试剂级，没有单独的提纯过程使用，试验使用的蒸馏水采用了三次蒸馏水。 购买并使用纯度为99.99%的二氧化碳（临沧气体），购买并使用Silicon nitride（Si3N4，50 nm，ALDRICH）作为污染样品的污染源，wafer使用的是由纳米综合Fab中心设备制作的silicon材质bare wafer。
制作污染材料：本研究中使用的污染材料是将硅酮硝酸酯粒子分散到IPA中，利用自旋柯特机在1 × 1厘米的Si wafer上涂层20秒后制作的。通过光学显微镜(opticalmicroscope)和扫描电子显微镜(SEM)观察了制造的污染物质，并根据粒子清除效率(particle remove efficiency，PEM)进行了观察。公开介质的种类、刨花板量和涂层时转速不同，制作了污染材料，条件在Table 1中进行了说明。除了2号外，样品在bare wafer上涂了自旋涂层，2号在HF预处理的bare wafer上涂了自旋涂层。
结果表明，silicon nitride的含量越高，自旋KOT