《炬丰科技-半导体工艺》湿处理中的颗粒沉积和去除

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：湿处理中的颗粒沉积和去除
编号：JFKJ-21-710
作者：炬丰科技

关键词：兆频超声波清洗、粒子沉积、粒子移除、晶圆湿式处理
摘要
从表面去除颗粒污染物是制造集成电路的晶片加工中的一个关键领域，通常使用湿化学制剂来完成。去除颗粒的策略需要了解颗粒沉积机理。在这篇综述论文的第一部分，讨论了表面粒子沉积的胶体化学原理。具体而言，综述了范德华力和双电层相互作用能对粒子-表面相互作用的重要性。接下来是对晶片加工中常用的颗粒去除方法的描述，即。兆频超声波清洗、刷子清洗和纳米喷雾清洗。通过对老化效应的研究，强调了颗粒沉积条件在颗粒去除效率研究中的重要性。
介绍
在集成电路(IC)制造中，随着晶片上特征的制造尺寸减小到20纳米以下，小于该尺寸的颗粒可能是不利地影响制造器件的产量和可靠性的缺陷。由于制造过程中使用了大量的湿化学处理步骤，液体化学品和去离子水的颗粒污染是一个主要问题。在某些情况下，颗粒也可以原位产生。有趣的是，一种被广泛使用的称为化学机械平坦化(CMP)的工艺使用颗粒浆料来平坦化晶片。虽然这种工艺违背了在制造过程中避免颗粒的概念，但由于化学机械抛光后的颗粒去除策略，这种工艺已经成为一种可行的技术。
通过利用表面和胶体化学原理，在减少沉积程度以及有效去除颗粒污染物的方法方面取得了进展。本文的目的是回顾半导体加工中颗粒沉积和去除的原理和方法。在讨论了范德华力(vdW)和双电层相互作用力之后，本文讨论了去除粒子的方法。

颗粒沉积和去除
从表面去除颗粒的效率通常取决于用于沉积颗粒的方法。有几种方法可以在晶片上沉积颗粒。它们是浸渍法、旋涂法和气溶胶沉积法(干法)。浸渍是通过将晶片浸入含有颗粒的溶液中一段时间，然后轻轻冲洗和干燥来完成的。可以增加液体介质的离子强度以抑制双电层力并增强沉积。在旋涂中，当以预定