考虑mos的寄生电容模型如下,栅极悬空
DS突加直流电压,Cgd上的电压会发生剧烈变化,根据公式
会瞬间感应出较大的冲击电流igd,由于栅极悬空,该电流无路可走,只能给Cgs充电,导致Vgs升高,当Vgs大于门槛电压Vth时,该mos误开通,导致桥臂直通炸管子。
另外, G级加下拉电阻是必须的,但是加下拉电阻的目的是防止空间电荷在Cgs上积累而导致栅极击穿,即给空间电荷提供一条泄放回路。
在这种情况下,个人认为下拉电阻不会起到太大作用,请看下图
DS突加直流电压,会导致瞬间冲击电流igd是肯定的了,关键就在于加了下拉电阻后igd是不是主要流经下拉电阻,而不给Cgs充电。答案是否,因为下拉电阻一般是10k的量级,而igd是高频冲击电流,电容在高频处的阻抗是很小的。从简单的分流原理就可以看出,igd大部分还是会给Cgs充电,导致mos误导通
正确的做法
加入驱动电路,并把驱动拉低,给igd提供一条低阻抗的回路。如下图
作者:知乎用户
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