MOS管随笔记

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体

P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。

MOS管 G：gate栅极   S：source源极  D：drain漏极

NMOS：D极接输入，S极接输出。PMOS：S极接输入，D极接输出。

N-MOS例    

P-MOS例  

P沟道 G栅极阈值为-0.4V，当栅源电压差为-0.4V，DS导通，S接入，D输出，
      S为2.8V，G为2.8V，MOS管不导通         S为2.8V，G为1.8V，GS=-1V<-0.4V导通
N沟道相反

N沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。
N沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

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