无线电源充电器仿真 - Ansys Maxwell 和 Simplorer (ROM)

David WangYang

于 2024-11-25 00:13:31 发布

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文章标签：硬件工程

本文链接：https://blog.csdn.net/jkh920184196/article/details/143624333

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在此博客中，我将展示两个如何使用 Ansys Maxwell 模拟无线电源充电器的示例。Maxwell FEM 模型由外部 Maxwell 电路激发，在第二个示例中，我将展示如何使用 Simplorer 模型与 Maxwell 模型耦合，使用降阶建模 (ROM) 电路块动态链接这两个模型。计算电容器电路元件并将其添加到绕组中，以实现最大无线电源充电所需的谐振。

在这些示例中，选定的激励频率为 f = 150 kHz，并使用涡流求解器（频域、正弦、稳态）。

麦克斯韦有限元模型

防护罩的表皮深度和网格元素尺寸

在该模型中，屏蔽层（铝）的厚度为 5 毫米，趋肤深度为 0.2108 毫米。趋肤深度比屏蔽层的尺寸小得多，因此，屏蔽层中感应涡流造成的损耗很小。

电感

为了计算（或提取）线性操作下的绕组电感，我们可以施加少量电流激励，例如 1A 幅度。在线性系统或操作区域中，电感取决于绕组和磁芯的几何形状以及磁芯的磁导率，而不是激励相位或幅度。下面显示的电感 L(winding1, winding1) 和 L(winding2, winding2) 分别是 Winding-1 和 Winding-2 的自感。此外，下面显示的电感 L(winding1, winding2) 和 L(winding2, wind1) 分别是 Winding-1 和 Winding-2 之间的互感。

确定电容和直流绕组电阻

绕组的直流电阻是手动计算的，要考虑每根绕组线，使用常见的圆形横截面导体电阻方程，如下所示的 Rdc。连接到每个绕组的电容是使用计算出的电感和所选的激励频率 f 计算的，如下所示的方程中显示为 Rc。

其中，L(winding1, winding1) 代替 wind-1 中的 L，L(winding2, winding2) 代替 wind-2 中的 L。

麦克斯韦电路激励示例 - 频率响应

下面创建了一个麦克斯韦电路，其中计算出的电容（包括等效串联电阻 (ESR)）与绕组串联，以建立谐振。绕组矩阵结果包含磁芯和屏蔽层的阻抗，并且绕组的电阻是手动计算的，以考虑每条绕组线。

使用以下两次频率扫描。需要使用更精细分辨率的第二次频率扫描来捕捉共振频率（150 kHz）附近的“分叉现象”。

请注意，输入阻抗的幅度（或增益）在谐振频率附近较低，并且在此频率下相位为零，并且在此谐振频率下最大功率充电以无线方式发生。

SIMPLORER 电路激励示例 - 降阶模型 (ROM) - 频率响应和瞬态分析

Simplorer 可以与 Maxwell 结合使用，以获得瞬态分析结果以及频率响应结果。在 Simplorer 中，可以使用降阶模型 (ROM) 电路块、动态链接组件来表示绕组、铁芯和屏蔽层的电阻。但是，我们可以将 Maxwell 中绕组的电导率（集中绕组对象）设置为比实际值高得多（x1000），如本例所示，这样 Maxwell 就会忽略模型中的绕组电阻。然后可以手动计算绕组电阻，同时考虑每根绕组线，并将这些电阻与 ROM 电路块串联，现在 ROM 电路块仅表示铁芯和屏蔽层的电阻。

ROM 是按照下面突出显示的步骤创建的。

麦克斯韦模型仍然需要使用上例中的麦克斯韦电路从外部进行激励。使用 ROM 电路块创建 Simplorer 电路模型（如下所示）后，运行模拟，Simplorer 将开始求解麦克斯韦模型。一旦解决了麦克斯韦模型，Simplorer 将收到核心和屏蔽的阻抗值。然后，当模拟完成后，您将能够绘制频率响应和瞬态分析结果。您可以验证来自 Maxwell 的频率响应结果是否与来自 Simplorer 的结果相匹配。