How To Operate Probe Station On Wafer

初入半导体的高频产业,开始一定由量测开始,今天就来谈,如何作探针台。
高频探针台量测台主要的有四大部件。 (如下图所示)
1.探针台本体(Probe Station),这里面的机构学问很大,下探针的活性,是整个探针台的价格的关键,台湾也有学界有与业界合作设计探针台,如高雄科大的吴松茂教授主持的先进构装整合技术中心,里面有设计出先进的双面量测探针台。

2.探针(Probe),这里的学问主要跟连接器一样,需要符合高频又要可以实现出来的设计,加上由于尺度很小,需要精密加工能力,材料与电镀也是很重要的元素。 (金属材料需要有弹性及韧性,电镀需要有硬度及小的表面粗糙度最重要的导电性要好)
选用部分除了要注意频率范围,还需要注意耐电流及探针间距(Pitch)

3.校正器(Impedance Standard Substrate),里面除了材料及制作工艺,很大的技术能量在于,校正器的高频特性的萃取资料,这资料可以输入网络分析仪校正到探针的探点。
选用部分要注意要符合探针间距(Pitch)、引脚定义(pin define),及不同的校正方式。

4.网络分析仪(Network Analyzer),这里的选用就不用多说了,这里建议要选用最高等级的网络分析仪(如Keysight PNA等级),会有比较多的校正选项,符合晶圆量测的多变性。 (也许会接Load Pull System,参考之前章节Power Amplifier Design & Measurement)

 

图片来源cascademicrotech & keysight

Calibration Co-Plane (mechanism)

探针量测之前,第一件要做的事情就是将探针,将探针探点校正在同一个平面,步骤大约如下。
1.将镀金片放置探针台,并将探针下到镀金片。
2.调整探针台旋钮,使探针在镀金片刮出痕迹(注意不要刮太深,探针很容易断)。
3.如果探针刮出的痕迹如左下图一样,代表探针的下方的G探针比上方的S、G探针接近平面,就必须修正水平旋钮。
4.调整水平旋钮直到如右下图一样,所有刮痕都一样,即达到探针的GSG共平面。
NOTE:
1.探针的间距越大(Pitch),以及探针的探点越多(如GS、GSG、GSSG...),越难达成探针的共平面,怎么达到探针的共平面,会关系到之后校正的品质,如果有机会玩到探针台,读者再慢慢体会。
2.使用探针台,由于量测都是小尺度的组件,所以都会使用显微镜去看探针及代测物的相对位置,所以要适应显微镜看到的空间感,这部分需要练习去习惯。

 

 

Calibration Network Analyzer (microwave)

做完探针的共平面后,就进入重头戏了,如何去做探针的校正,这里举SOLT的校正方法,当然探针的校正不只SOLT的校正,也有可能是TRL、LRM... 等校正方法,要选怎样的校正方法,可以看待测物的形式,及出线方向。

SOLT的探针校正方法,跟同轴的校正方式差不多,重点是下探针在校正器的时后,需要确认探针确实的接触到校正器,并将下探针点如下图所示,比较特别的是OPEN的量法,在探针接触SORT的校正位置后,利用旋钮将探针向上离开SORT的校正位置,大约上向旋钮转3~5圈。 (千万不要转错方向,探针会断)

 

 

Verify Calibration

完成探针校正后,就需要去验证校正结果,以免量出不对的值,才发现是校正没校好。
那如何验证校正结果呢? 可以参考下列示例。
1.Load验证,将探针再下在Load校正器上,去验证全带宽的回返损失(R.L)小于-20分贝(dB),接下来再去看相位全带宽+90或-90度(deg)

 

2.如校正OPEN的方法,去量测全带宽的回返损失(R.L)小于+/-0.05分贝(dB),接下来再去看相位介于0~5度。

 

3. 如校正SHORT的方法,去量测全带宽的回返损失(R.L)小于+/-0.05分贝(dB),接下来再去看全带宽相位等于180度。

 

4. 如校正THRU的方法,去量测全带宽的回返损失(R.L)小于+/-0.05分贝(dB),接下来再去看相位介于0~-30度

 

如果验证完这几项校正键特性,恭喜你完成探针台的校正,可以开始使用探针台量测了。

参考文献
Ref[1] 150mm Probe Stations by cascademicrotech
Ref[2] Impedance Standard Substrates by cascademicrotech

 

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