模拟电子技术
逝者_如斯
逝者如斯 不舍昼夜
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本征半导体
一,本征半导体: 本征半导体是纯净(无杂质)的晶体结构(结构稳定)的半导体。二,本征半导体的结构 共价键:相邻两个原子共用一对最外层电子,形成共价键。 三,本征半导体中的两种载流子 自由电子:由于热运动,具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子,其带负电。 ...原创 2019-06-19 15:36:21 · 8728 阅读 · 0 评论 -
放大电路的等效模型及其建立方法
分析静态工作点:ui = 0时,仅有直流电源的作用——直流等效模型。分析电压放大倍数、输入电阻、输出电阻:即在静态的基础上加低频小信号——交流等效模型。分析电路的高频特性:即考虑电容的影响,在静态的基础上加高频小信号——高频等效模型。直流等效模型: ...原创 2019-07-15 17:18:48 · 4402 阅读 · 2 评论 -
放大电路的分析方法——图解法
一,直流通路和交流通路 直流通路:电容视为开路; 电感线圈视为短路; 信号源视为短路,但应保留其内阻; 交流通路:大容量电容(如耦合电容)视为短路; 无内阻的直流电源视为短路; 基本共射放大电路:...原创 2019-07-04 15:27:15 · 12759 阅读 · 0 评论 -
基本共射放大电路的工作原理
1,基本共射放大电路的组成及各元件的作用 共射:输入回路与输出回路公共端是发射极,且是整个电路的参考点。 T:有源元件,能够控制能量的元件。I VBB 、Rb::VBB使发射结电压大于开启电压UBE>Uon ;Rb 使回路具有合适的直流电流IB。 VCC...原创 2019-06-28 16:50:27 · 29841 阅读 · 4 评论 -
放大的概念和放大电路的主要性能指标
一,放大的概念 放大的对象:变化量——常用正弦波做测试信号。 放大的本质:能量的控制和转换,利用有源元件实现。 放大的特征:功率放大(判断电路能否放大的基本出发点) 放大的基本要求:不失真——放大的前提。 ...原创 2019-06-28 11:54:43 · 9967 阅读 · 0 评论 -
二极管的直流等效模型
一,将伏安特性折线化——直流模型(静态模型)理想二极管若电压源V远大于二极管的导通电压,则可认为电阻上电压约等于电压源电压。 2,正向导通时端电压为常量 近似分析中最常用。3,正向导通时端电压与电流成线性关系...原创 2019-06-25 00:15:30 · 6653 阅读 · 1 评论 -
半导体二极管的伏安特性和电流方程
一,二极管的伏安特性伏安特性:二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。开启电压Uon:二极管开始导通的临界电压。击穿电压:U(BR)反向饱和电流:Is二,二极管的电流方程 q:电子的电量k:玻尔兹曼常数T:热力学温度常温:热力学温度300度三,二极管的单向导电性四,温度对伏安特性的影响...原创 2019-06-24 21:51:02 · 46083 阅读 · 3 评论 -
晶体三极管的主要参数
一,晶体管共射接法时的主要参数 直流参数:①共射直流电流放大系数 ②IC B O 是发射极开路时集电结的反向饱和电流 ③IC E O ...原创 2019-06-27 09:00:35 · 5350 阅读 · 0 评论 -
晶体三极管的三个工作区域及温度对特性的影响
一,晶体三极管的三个工作区域共射电路输出特性曲线晶体管工作在放大状态时,输出回路的电流iC几乎仅仅决定于输入回路的电流iB,即可将输出回路等效为电流iB 控制的电流源iC。二,温度对晶体管特性的影响输入特性输出特性...原创 2019-06-26 21:40:24 · 9288 阅读 · 0 评论 -
晶体三极管的输入特性和输出特性
一,晶体管的共射输入特性 下图为输入特性曲线:当UCE = 0时,相当于集电极与发射极短路,即发射结与集电结并联。因此,输入特性曲线与PN结的伏安特性类似,呈指数关系。 当UCE增大时,曲线将右移。 对于小功率晶体管,UCE大于1V的一条输入特性曲线可以近似UCE大于1V的所有输入特性曲线。二,输出特性 下图为输...原创 2019-06-25 23:15:54 · 26277 阅读 · 3 评论 -
晶体三极管的放大原理
一,晶体管放大的外部条件 放大的条件:1,uBE > Uon (发射结正偏) 2,uCB ≥ 0,即uCE ≥uBE(集电结反偏) VBB:保证发射结正向偏置 ...原创 2019-06-25 16:09:25 · 5693 阅读 · 0 评论 -
晶体三极管的结构和符号
晶体管有三个极、三个区、两个PN结。如上图中,位于中间的P区称为基区,它很薄且杂志浓度很低; 位于上层的N区是发射区,参杂浓度很高; 位于下层的N区是集电区,因而集电结面积很大; 晶体管的外特性与三个区域的上述特点紧密相关。 它们所引出...原创 2019-06-25 14:52:18 · 3240 阅读 · 0 评论 -
二极管的交流等效模型和主要参数
一,微变等效电路——交流模型(动态模型)当二极管在静态基础上有一动态信号作用时,则可将二极管等效为一个电阻,称为动态电阻,也就是微变等效电路。Q点越高,等效电阻越小。二,二极管的主要参数最大整流电流IF:最大平均值。 最大反向工作电压UR:最大瞬时值。(瞬间超过电压都会造成损坏,所以是瞬时值) 反向电流IR:即IS 最高工作频率fM:因PN结有...原创 2019-06-25 14:24:25 · 10548 阅读 · 0 评论 -
半导体二极管的结构
一,二极管的外形 将PN结封装,引出两个电极,就构成了二极管。二,二极管的结构 ①点接触型:结面积小,结电容小,故允许的电流小,最高工作频率高。 ②面接触型:结面积大,结电容大,故允许的电流大,最高工作频率低。 ...原创 2019-06-20 11:40:12 · 2893 阅读 · 0 评论 -
PN结的形成及其单向导电性
一,PN结的形成: PN结不是简单的把P型半导体与N型半导体组合在一起;而是在同一基片上通过扩散工艺制作一个P区和一个N区。 扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低,产生内电场。 内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N区运动,组织了扩散...原创 2019-06-20 11:21:30 · 11657 阅读 · 0 评论 -
杂质半导体
通过扩散工艺,在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素,便可得到杂质半导体。按掺入的杂质元素不同,可形成N型半导体和P型半导体;控制掺入杂质元素的浓度,就可控制杂质半导体的导电性能。一,N型半导体 在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),取代晶格中硅原子的位置,形成N型半导体。 此时,自由电子成为多数载流子(多子),空穴成为少数载流子(少子)。 ...原创 2019-06-19 16:30:02 · 2448 阅读 · 0 评论 -
放大电路静态工作点的稳定
1.温度对静态工作点的影响上图所示,实线为晶体管在20摄氏度时的输出特性曲线,虚线为晶体管在40摄氏度的输出特性曲线。从图可知,当温度升高时,晶体管的电流放大系数将增大。Q点沿直流负载线上移。反之亦然。 所谓稳定Q点,通常是指在环境温度变化时静态集电极电流ICQ和管压降UCEQ基本不变。常用引入直流负反馈或温度补偿的方法。2.典型的静态工作点稳定电路图(a):直接耦合电...原创 2019-07-24 13:50:36 · 5875 阅读 · 0 评论