杂质半导体

 

      通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，便可得到杂质半导体。按掺入的杂质元素不同，可形成N型半导体和P型半导体；控制掺入杂质元素的浓度，就可控制杂质半导体的导电性能。

一，N型半导体

      在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷)，取代晶格中硅原子的位置，形成N型半导体。

      此时，自由电子成为多数载流子(多子)，空穴成为少数载流子(少子)。

      掺入的杂质越多，多子浓度越高，导电性能越强。

                                  

 

二，P型半导体

      在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼)，取代晶格中硅原子的位置，形成