晶体三极管的主要参数

最新推荐文章于 2024-04-15 23:20:21 发布
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分类专栏： 模拟电子技术 文章标签： 晶体三极管参数 三极管电压传输特性
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本文详细介绍了晶体三极管在共射接法时的直流参数和交流参数，包括直流电流放大系数、反向饱和电流、穿透电流、交流电流放大系数β以及特征频率fT。还提及了在高频信号下，β的数值会下降并产生相移。此外，讨论了晶体管的极限参数，如最大集电极电流、最大集电极耗散功率和反向击穿电压。
摘要由CSDN通过智能技术生成

 

一，晶体管共射接法时的主要参数

       直流参数：①共射直流电流放大系数

                                                                     

                        ②IC B O 是发射极开路时集电结的反向饱和电流

                        ③IC E O 是基极开路时，集电极与发射极之间的穿透电流

                                             

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元器件应用中的晶体三极管的主要参数
11-24
三极管的参数可分为直流参数、交流参数、极限参数、特征频率。三极管的参数是使用与选用三级管时的重要依据，为此了解三极管的参数可避免选用或使用不当而引起管子的损坏。 　　(1)直流参数。 　　1)集电极—基极反向电流I(CBO)。当发射极开路、在集电极与基极间加上规定的反向电压时，集电结中的漏电流就称I(CBO)此值越小表明晶体管的热稳定性越好。一般小功率管约1OμA左右，硅管更小些。 　　2)集电极一一发射极反向电流I(CBO)也称穿透电流。它是指基极开路时，在集电极与发射极之间加上规定的反向电压时，集电极的漏电流。此值越小越好。硅管一般较小，约在1μA以下。如果测试中发现此值较大，此管就
三极管的主要参数
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三极管的主要参数：集电极最大允许电流、集电极-发射极击穿电压、最大耗散功率、特征频率、电流放大倍数、集电极—基极反向电流
模电·晶体管的主要参数_012
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11-22 1324
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基础电子中的晶体三极管的分类以及结构
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晶体三极管
07-17
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3. 晶体管主要参数
zjoops1314的博客
04-15 472
下标CB代表集电极和基极，O表示Open，第三个电极开路。使共射电流放大系数的数值下降到1的信号频率称为特征频率。指管子各电极之间的反向漏电流参数。应适中，太小放大能力不强，太大则温度稳定性差。：发射极开路时，集电结的反向饱和电流。近似分析中，可以认为。
晶体管参数在实际使用中的意义
kevinhg的博客
09-17 8468
转载自：http://forum.eet-cn.com/blog_index.jspa?blog_id=728&viewall=true，感谢香雪茶，推荐阅读！        做模拟电路的工程师，都有过使用晶体管（场效应管也是晶体管中的一种）、运放的经验和体会。尤其是在设计时，更会对晶体管的一些电参数进行测试和考量。在测试时，许多人对晶体管电参数的实测值与规格书所提供的规范值，为什么会有很大差异
晶体管基础知识
记一忘三二
06-20 6191
1 半导体三极管 半导体三极管是双极型晶体管(晶体管 )的别名，常用的有硅晶体管和锗晶体管两种。   晶体管由两个PN结构成，可分为PNP和NPN两种类型。外部有三个引脚分别对应晶体管的基极、发射极和集电极。内部结构为三个半导体（从上到下为P区，N区，P区或者为N区，P区，N区）材料区域构成两个反向连接的PN结。中间的一个区是两个PN结公用的，叫做基区，由此可构成两个PN结。如下图
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S参数详细解析
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全面了解三极管——三极管基本参数1
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现在的IC技术是日新月异的技术，无论是模拟电路，还是数字电路都能进行IC化或LSI化。观察电视机和计算机内部，除了电源电路以外，几乎所有的电路都被IC化或LSI化，找到晶体管和FET等单个放大器是很困难的。但是，仅仅使用IC和LSI的电路设计，只是选择符合电路设计说明书的性能与功能的IC和LSI，因此不能说是创造性的工作，并且OP放大器出现问题时，不能直接调整，但是，如果是单个晶体管的放大电路，就能采取多种对策。所以还是有必要全面学习三极管的。
全面了解三极管——三极管基本参数总结
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09-04 7512
现在的IC技术是日新月异的技术，无论是模拟电路，还是数字电路都能进行IC化或LSI化。观察电视机和计算机内部，除了电源电路以外，几乎所有的电路都被IC化或LSI化，找到晶体管和FET等单个放大器是很困难的。但是，仅仅使用IC和LSI的电路设计，只是选择符合电路设计说明书的性能与功能的IC和LSI，因此不能说是创造性的工作，并且OP放大器出现问题时，不能直接调整，但是，如果是单个晶体管的放大电路，就能采取多种对策。所以还是有必要全面学习三极管的。接下来是对三极管分类、晶体管三个直流特性参数以及技术手册看哪些参
晶体管的h参数、y参数和S参数
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笔者注：文中“晶体管”指普通双极型晶体管（BJT），“场效应管”指场效应晶体管（FET）。 目前小功率硅晶体管的特征频率（fT）一般都在100MHz以上，既可用于低频小信号放大器，也可用于高频小信号放大器。同样一只晶体管，用于低频小信号放大器，例如收音机前置低放时，通常选用h参数进行电路设计，而用于高频小信号放大器，例如收音机中放时，则一般要选用y参数进行电路设计，那么，什么是h参数和y参数呢？...
NPN与PNP的区别
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写在前面 本文为个人微信公众号文章，在硬件电路模块中的“晶体三极管”一文，建议扫描下方二维码观看，微信中排版清晰，有助于阅读，还可以找我拿资料哦！ 原文链接：https://mp.weixin.qq.com/s?__biz=Mzg5MDA5ODE2Nw==&mid=2247483728&idx=1&sn=4a4ed6b3496408177ddd1ec855fdf7a4&a...
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