低功耗相关标准单元库

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低功耗技术-CSDN博客



芯片中为了降低功能会使用多电压域技术,用于低功耗设计。

一般来说,为了降低功耗,最好的办法是降低电压,降低电压对于cell来说相当于降低了速度,对于需要高速运行的部分,常位于高电压域下,对于速度要求没那么高的部分,可以位于低电压域下。举例,目前的SoC中,CPU和外设基本是位于不同的电压域,如CPU为1.8V,外设为1.0V。因此,多电压域设计的一种要求是有工作电压在1.8V的标准单元工艺库,和1.0V的标准单元工艺库。综合时外设可以使用1.0V的stdcell和macro实现,CPU使用1.8V的stdcell和macro实现。

一般来说,为了降低功耗,有一种方法是让这个模块在使用的时候开启,在不使用的时候关掉。同时在关闭的时候内部单元能够以较低的功耗去保持内部的数据。比如常见的SRAM单元,当系统中有用于片内缓存的大容量SRAM阵列时,为了节省功能,可以实现关闭电源的功能。为了实现这种功能,需要几种类型的单元,首先是电源门控单元,可以控制电源的开启和关闭,然后是用于电源关断模块,电源关断模块的输出到一个正在工作的模块时,会出错,所以需要隔离单元isolation cell,当这个模块的电源关断时,isolation cell将输出钳制到固定的bit;如果关断电源后需要数据保持,当重新上电的时候,数据恢复,还需要保持单元retention cell,它能在电源关断的情况下保持数据。

一般来说,为了降低功耗,还需要去降低时钟的翻转,因此现在大多数设计中都含有时钟门控单元,时钟门控用于控制端,当控制端有效的时候,时钟才会进行翻转,比如SRAM单元,当写使能或者读使能有效的时候,输出到SRAM的时钟有效。

另外,为了放置不同电压域之前的信号接收和发送的稳定性,还需要一种单元,电平转换器level shifter,它用于信号从一个电压域转移到另一个电压域。

同时,多电压域设计还需要一个always on cell,具体的可含有always on inv以及always on buf。他们的供电来自于没有电源开关的VDD以及VSS,所以它们的输出一直有效。

多电压域设计中用到的cell单元

(1)隔离单元isolation cell

一个基本的隔离单元的电路,isolation cell摆放在一个可以关断的电压域,也可以摆放在一个常开的电压域,因此它有两种电路形式:

iso cell摆放在常开电压域,A为关闭电压域的信号,Y为常开电压域接收的信号。因为摆放在常开电压域,所以VDD一直为高。

图1 isolation cell摆放在常开电压域

iso cell摆放在关闭电压域,此时VDDO和VSSO需要常开电压域为其提供。Y输出到常开电压域。

图2 iso cell摆放在可关闭电压域

(2)电平转换器level shifter

电平转换器分为高电压域->低电压域,低电压域->高电压域,以及双向均可,一般可以在相应工艺库的doc以及lib中该cell的属性中查找转换方式。

高电压域到低电压域的电平转换器,输入来自高电压域,输出到低电压域。

图3 high to low level shifter

低电压域到高电压域的电平转换器,VDDI由低电压域驱动,VDD由高电压域驱动。

图4 low to high level shifter

(3)保持单元retention cell

保持单元retention cell,一般是DFF形式,寄存器的输入端一般含有一个RETN的输入,它能够保持状态,当该电压域切断了VDD或者VSS的时候。一般都含有两种供电轨道,一种是可关断的VDD以及VSS,另一种是常开的VDDG以及VSSG。

图5 保持单元

(4)电源门控单元power gating cell

电源门控单元分为两种,一种是VDD的关断,一种是VSS的关断,为了保证两者不同时关断,带来某些问题,还会有相应的power gating以及ground gating的buf。

我们举例来说,一个ground gating是长这个样子的:当输入有效的时候,将当前的地VSS连接到全局的地VSSG。这种模式是ground gating。

图6 ground gating 单元

还有power gating:当输入有效的时候,将当前的VDD连接到全局的VDDG

图7 power gating单元

(5)常开单元always-on cell

常开单元一般都是使用不会关断的VDD以及VSS进行供电,基本的always-onbuf如下:由两个always-on inv组成。

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