标准单元库的corner简述

常见的corner介绍

针对40nm，一般有5种corner。

corner名称	全称	描述
T(tt)正常电压，正常温度	tt1p1v25c	最常见的应用场景
W(wc)低电压，高温度	ss0p99v125c	setup时序最差
B(bc)(lt)高电压，低温度	ff1p21vn40c	hold时序最差
WCL(wcl)低电压，低温度	ss099vn40c	因为温度反转效应，有可能产生setup时序最差的情况
ML(ml)高电压，高温度	ff1p21v125c	max leakage。因为温度反转效应，有可能产生hold时序最差的情况

更老的工艺，比如130nm、90nm等，一般有3种corner。wc、bc、tt。

40nm以上更新的工艺，比如28nm、22nm等，corner会更多，比如温度反转效应（温度越低，delay越小；但发生温度反转的话，就会出现温度越低，delay越大情况）会增加wcl的corner仿真，而不能仅仅分析worst-typical-best的corner的时序。

正因为时序分析所关心的corner越来越多，才有了MCMM技术。
在多工艺角多工作模式下快速实现时序收敛的技术—MCMM（Multicorner-Multimode）技术，该技术将工艺角和模式进行组合，对时序同时进行分析和优化，到达快速实现时序收敛的目的。

电压越高，温度越低，性能越高。
电压越高，温度越高，静态功耗越低。

上述是PVT。其实时序分析，还要研究RC，这是针对传输线模型的RC参数。线导致的延迟。
CMIN,RCMAX,TYP,RCMIN,CMAX

需要依据工艺库sign-off的推荐，来选择PVT和RC；不是自己想跑几个corner就可以的。完全由工艺厂商决定。

温度反转效应