常见的corner介绍
针对40nm,一般有5种corner。
corner名称 | 全称 | 描述 |
---|---|---|
T(tt)正常电压,正常温度 | tt1p1v25c | 最常见的应用场景 |
W(wc)低电压,高温度 | ss0p99v125c | setup时序最差 |
B(bc)(lt)高电压,低温度 | ff1p21vn40c | hold时序最差 |
WCL(wcl)低电压,低温度 | ss099vn40c | 因为温度反转效应,有可能产生setup时序最差的情况 |
ML(ml)高电压,高温度 | ff1p21v125c | max leakage。因为温度反转效应,有可能产生hold时序最差的情况 |
更老的工艺,比如130nm、90nm等,一般有3种corner。wc、bc、tt。
40nm以上更新的工艺,比如28nm、22nm等,corner会更多,比如温度反转效应(温度越低,delay越小;但发生温度反转的话,就会出现温度越低,delay越大情况)会增加wcl的corner仿真,而不能仅仅分析worst-typical-best的corner的时序。
正因为时序分析所关心的corner越来越多,才有了MCMM技术。
在多工艺角多工作模式下快速实现时序收敛的技术—MCMM(Multicorner-Multimode)技术,该技术将工艺角和模式进行组合,对时序同时进行分析和优化,到达快速实现时序收敛的目的。
电压越高,温度越低,性能越高。
电压越高,温度越高,静态功耗越低。
上述是PVT。其实时序分析,还要研究RC,这是针对传输线模型的RC参数。线导致的延迟。
CMIN,RCMAX,TYP,RCMIN,CMAX
需要依据工艺库sign-off的推荐,来选择PVT和RC;不是自己想跑几个corner就可以的。完全由工艺厂商决定。