Nand 基础 1 - 电气特性

最新推荐文章于 2022-11-18 17:58:36 发布

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分类专栏： NAND FLASH 文章标签：分布式存储

本文链接：https://blog.csdn.net/ky_zhang/article/details/105016671

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本文介绍了Nand Flash的基础知识，包括其基本存储单元浮栅晶体管、‘擦写读’的工作原理以及Nand的内部组织架构。Nand Flash作为非易失性存储设备，分为NAND和NOR两种类型，各有优缺点。NAND Flash以其较大容量和较低成本，通常需要ECC来确保数据正确性。

摘要由CSDN通过智能技术生成

Flash全称为Flash Memory，属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)。Flash主要分两种，NAND Flash和NOR Flash。

NOR的成本相对高，容量相对小，优点是读写数据时候，不容易出错。NAND Flash成本相对低，缺点是使用中数据读写容易出错，所以一般都需要有对应的软件或者硬件的数据校验算法，统称为ECC。但优点是，相对来说容量比较大。

一、Nand Flash的基本存储单元

从Nand Flash的基本存储单元是 - 浮栅晶体管。

下图是浮栅晶体管的结构，
1. 最下面的是衬底，源极和漏极。衬底之上，有隧道氧化层、Floating Gate(浮栅层)、氧化层、控制栅极。
2. 中间的Floating Gate被绝缘层包围着，电子易进难出，通过对Floating Gate充放电子，来对晶体管进行写入和擦除。
3. 在源极（ Source）和漏极（ Drain）之间电流单向传导的半导体上形成存储电子的浮栅。

在这里插入图片描述浮栅上下被绝缘层包围，存储在里面的电子不会因为掉电而消失，所以闪存是非易失性存储器。数据是以0和1二进制进行保存的，根据浮栅中有没有电子两种状态，可以表示数据的0和1，这样就可以进行数据的存储。一般把浮栅中有电子的状态记为0，没有电子的状态记为1。