Nand 基础 1 - 电气特性

本文介绍了Nand Flash的基础知识,包括其基本存储单元浮栅晶体管、‘擦写读’的工作原理以及Nand的内部组织架构。Nand Flash作为非易失性存储设备,分为NAND和NOR两种类型,各有优缺点。NAND Flash以其较大容量和较低成本,通常需要ECC来确保数据正确性。
摘要由CSDN通过智能技术生成

Flash全称为Flash Memory,属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)。Flash主要分两种,NAND Flash和NOR Flash。

NOR的成本相对高,容量相对小,优点是读写数据时候,不容易出错。NAND Flash成本相对低,缺点是使用中数据读写容易出错,所以一般都需要有对应的软件或者硬件的数据校验算法,统称为ECC。但优点是,相对来说容量比较大。

一、Nand Flash的基本存储单元

从Nand Flash的基本存储单元是 - 浮栅晶体管

下图是浮栅晶体管的结构,
1. 最下面的是衬底,源极和漏极。衬底之上,有隧道氧化层、Floating Gate(浮栅层)、氧化层、控制栅极。
2. 中间的Floating Gate被绝缘层包围着,电子易进难出,通过对Floating Gate充放电子,来对晶体管进行写入和擦除。
3. 在源极( Source)和漏极( Drain)之间电流单向传导的半导体上形成存储电子的浮栅。

在这里插入图片描述 浮栅上下被绝缘层包围,存储在里面的电子不会因为掉电而消失,所以闪存是非易失性存储器。 数据是以0和1二进制进行保存的,根据浮栅中有没有电子两种状态,可以表示数据的0和1,这样就可以进行数据的存储。一般把浮栅中有电子的状态记为0,没有电子的状态记为1。

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