防反接保护电路及功耗计算

本文介绍了防反接保护电路的重要性,并详细讨论了使用二极管、整流桥堆和P沟道MOSFET的保护方法。特别提到了P沟道MOSFET在低功耗和高可靠性方面的优势,并提供了电路工作原理和功率损耗计算。雷卯电子提供了适用于防反接保护的低漏流肖特基二极管和MOSFET解决方案。
摘要由CSDN通过智能技术生成

电池是最方便的电源,为电子电路提供电压。还有许多其他方法,为电子设备供电,如适配器,太阳能电池等,但最常见的直流电源是电池。通常,所有设备都带有防反接保护电路,但是如果您有任何电池供电的设备没有防反接保护,那么在更换电池时始终必须小心,否则它可能会炸毁设备。

因此,在这种情况下,防反接保护电路将是电路的有用补充。有一些简单的方法可以保护电路免受反极性连接的影响,例如使用二极管或二极管桥,或者将P沟道MOSFET用作HIGH侧的开关。

使用二极管的极性反接保护

使用二极管是极性反接保护最简单、最便宜的方法,但它存在漏电问题。当输入电源电压很高时,小的压降可能没关系,特别是当电流较低时。但在低压操作系统的情况下,即使是少量的压降也是不可接受的。

众所周知,通用二极管上的压降为0.7V,因此我们可以通过使用肖特基二极管来限制此压降,因为它的压降约为0.3V至0.4V,并且还可以承受高电流负载。选择肖特基二极管时要注意,因为许多肖特基二极管都具有高反向电流泄漏,因此请确保选择具有低反向电流(小于100uA)的二极管。

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