我们都知道 USB 热拔插会产生浪涌和瞬间的尖峰电压。 同时我们经收集工厂对市面上多家品牌常规充电芯片的反馈收集, 我们会发现有 2-5‰左右的不良, 经过对芯片进行收集, 开盖, 研究, 分析, 收集到其中约 50%是在瞬间尖峰电压过高导致超过芯片极限耐压, 过高的电压把芯片内部打损坏。
在此没有过压保护 OVP 芯片(如下图产品) 出来前, 差不多在快充充电器兴起之前。我们一般对于浪涌尖峰的处理方式大概有四种:
1, 正极加串电阻的方式, 适合小电流, 大电流会损耗电压值和效率, 同时电流大时,电阻本身温度也会高, 优点小, 方便, 缺点: 适合 500mA 左右电流以下
2, 加电解电容, 电解电容的有较高的 ESR 等效串联电阻来吸收, 有的人说陶瓷贴片电容也有, 但是 ESR 低, 起不到好的效果。 优点成本低廉, 缺点电容高度, 放不下对体积有要求的产品, 有不少局限性
3, 加 TVS 管
4, 加 OVP 过压保护芯片
平芯微同步推出了众多规格的过压 OVP 保护芯片, 和增加了可调限流 OCP+过压 OCP 二合一的保护芯片, 满足很多场景需求。