硬件小常识

本文介绍了硬件开发中常见的电容、二极管、MOS管和三极管的基础知识,包括它们的特性、工作原理、应用场景和重要参数。电容在滤波中起到关键作用,二极管用于整流和单向导通,MOS管和三极管则作为开关和放大元件。内容涵盖了这些元器件的反向恢复时间、热敏电阻、光敏电阻和热敏电阻的分类与应用,以及三极管的PNP和NPN类型的区别。
摘要由CSDN通过智能技术生成

实习的常见de硬件小常识(大佬不喜勿喷)

写博客的初衷,物联网博客比较少,顺带复习一下基础知识。

常见器件:

1.电容:通交隔直,在平常硬件开发上用于滤波

术语详解:电容的阻抗:Xc=1/wC,可见,在交流环境下,角频率w较大,容抗较小,当小到与其他阻抗忽略不计时,甚至可以认为是短路。而在直流环境下,w=0,容抗无穷大,没有直流电流通过。总之,交流电流可以通过电容;直流电流不能通过电容。简称为“通交隔直”.从电子流动的角度来分析。 在直流环境下,电容在过渡过程充电或放电结束后,电压恒定,那么电流为零,电容极板上的电荷不发生变化,自然不会有电子的流动,当然形不成电流。 但在交流环境下,电容两端电压随时间变化,其导数不为零,另外电容极板上的电荷因为电容反复充放电而形成交流电流,充放电的电流方向是相反的。

2 . 二极管特性是什么

正向压降,整流(将交流电变为直流电【与整流电路相对应的是逆变电路(把直流变成交流)逆变电路可用于构成各种交流电源】),限幅,钳位,单向导通(基础常用),续流。

术语:逆变电路的应用非常广泛。在已有的各种电源中,蓄电池、干电池、太阳能电池等都是直流电源,当需要这些电源向交流负载供电时,就需要逆变电路。另外,交流电机调速用变频器、不间断电源、感应加热电源等电力电子装置使用非常广泛,其电路的核心部分都是逆变电路。它的基本作用是在控制电路的控制下将中间直流电路输出的直流电源转换为频率和电压都任意可调的交流电源。二极管的特性就是单方向导电性,在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。续流二极管在电路中起的作用,在电子变交流电路中,整个部分单项桥式整流是实际引用最多的单项整流电路。

等效电路:

伏安特性折线化的电路曲线,

0.6-0.8的电流变化

大于导通电压的时候,等效或者近似

反向,死区没过

误区-可怕的思想,正向导通,反向不导通,不是固定的,理论上只是近似,PN接两端电压电压会改变,也就是实际的等效的概念的区别。

使用场景:根据参数特性和实用功能的不同可以将二极管,分为一下几类:稳压管、整流二极管、肖特基二极管、TVS管、快速整流管、高效整流管、触发二极管、高频二极管、高压开关二极管、桥式整流管等

  1. 1. 稳压管

      普通稳压二极管(又叫齐纳二极管)是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管,简称稳压管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。稳压管在反向击穿时,在一定的电流范围内(或者说在一定功率损耗范围内),端电压几乎不变,表现出稳压特性,因而广泛应用于稳压电源与限幅电路之中。稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。

    根据使用功能如何使用二极管

  2. 2. 整流二极管

      整流二极管(rectifier diode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。通常它包含一个PN结,有正极和负极两个端子。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。

    根据使用功能如何使用二极管

  3. 3. 快速恢复整流二极管

      快速恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降(Vf),並使管子能承受很高的反向工作电压。

      快速回复(Fast Recovery)整流二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千。

      快恢复二极管他的开关时间短,一般用于高频电路中,整流二极管的开关时间较长,一般用于低频如工频50Hz.

    根据使用功能如何使用二极管

  4. 4. 肖特基二极管

      肖特基二极管既是高效整流二极管又是高速开关二极管,它的恢复时间可以做到ns级别,但是肖特基二极管有它的不足之处——反向漏电流比较大(mA级),反向击穿电压低(几十V),它比较适合用在低压、大电流的整流电路。

    根据使用功能如何使用二极管

  5. 5. 高效率整流二极管

      一般用在开关电源的整流。开关电源中,损失的电能大部分消耗在整流二极管上,高效二极管通常是指导通电压低(普通整流二极管0.7V~1.2V,肖特基二极管0.4V左右)的二极管。它的材料与普通二极管相比并没有什么特别之处,都是用硅,它们主要是内部结构不同,工作原理不同。

  6. 6. 超快速恢复整流二极管

      之所以称其为快速恢复二极管,这是因为普通整流二极管一般工作于低频(如市电频率为50Hz),其工作频率低于3kHz,当工作频率在几十至几百kHz时,正反向电压变化的时间慢于恢复时间,普通整流二极管就不能正常实现单向导通了,这时就要用快速恢复整流二极管。

      快速恢复二极管的特点就是它的恢复时间很短,这一特点使其适合高频(如电视机中的行频)整流。快速恢复二极管有一个决定其性能的重要参数——反向恢复时间。反向恢复时间的定义是,二极管从正向导通状态急剧转换到截止状态,从输出脉冲下降到零线开始,到反向电源恢复到最大反向电流的10%所需要的时间,常用符号trr表示。普通快速恢复整流二极管的trr为几百纳秒(10-9s),超快速恢复二极管的trr一般为几十纳秒。Trr越小的快速恢复二极管的工作频率越高。

  7. 7. 肖特基势垒二极管

      它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。

    根据使用功能如何使用二极管

  8. 8. 整流桥

      整流桥就是将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将两个二极管桥式整流的一半封在一起,用两个半桥可组成一个桥式整流电路,一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路, 选择整流桥要考虑整流电路和工作电压

    根据使用功能如何使用二极管

  9. 9

    9. TVS管

      

    TVS 瞬态电压抑制器,ESD防护的一种方式。常用于各种GP I/O口,数据线。

3 .热敏电阻与普通电阻(贴片电阻 0603 330R F/J档 精度1/5%)

通常是由对温度极为敏感,热惰性很小的锰,钴,镍的氧化物少成半导体陶瓷材料制成的一直非线性电阻,其阻止会随着温度的变化而变化,热敏电阻按温度系数分为负温度系数(NTC),正温度系数(PTC)和临界温度系数三类,

PTC:正温度系数电阻的阻值随温度升高而增大.

NTC:负温度系数电阻的阻止随温度升高而减少.

正温度系数热敏电阻器(PTC)一般用于电冰箱压缩机起动电路、彩色显像管消磁电路、电动机过电流过热保护电路、限流电路及恒温电加热电路。压缩机起动电路中常用的热敏电阻器有MZ-01~MZ-04系列、MZ81系列、MZ91系列、MZ92系列和MZ93系列等。 负温度系数热敏电阻器(NTC)一般用于各种电子产品中作微波功率测量、温度检测、温度补偿、温度控制及稳压用,选用时应根据应用电路的需要选择合适的类型及型号。常用的温度检测用NTC热敏电阻器有MF53系列和MF57系列,每个系列又有多种型号(同一类型、不同型号的NTC热敏电阻器,标准阻值也不相同)可供选择。常用的稳压用NTC热敏电阻器有MF21系列、RR827系列等,可根据应用电路设计的基准电压值来选用热敏电阻器稳压值及工作电流。

普通电阻:常用电阻有:(R表示欧姆)0R,1R,4R7.10R,27R,47R,56R,68R,82R,100R,120R,220R,330R,390R,470R,510R,560R,680R,750R,820R.
上K的、有。1K,1.2K,1.5k,2K2.2K2.7K3K3.3K3.9K4.7K5.1K5.6K6.8K8.2K10K

4,光敏电阻

亮度越大电阻的阻值越小,

亮度越小电阻的阻值越大。

5.MOS管(防反接常用,原因阻抗和压降比二极管好,在经济允许条件下优先使用MOS)

G:gate 栅极;

S:source 源极;

D:drain 漏极。

N沟道的电源一般接在D,输出S,P沟道的电源一般接在S,输出D。增强耗尽接法基本一样。

电压经过MOS管会有波动,从而影响到电压采样,知道电压和电阻就可以求出电流

做项目的时候遇到mos管发热问题,

理论上从这五点排除问题

第一点:电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以U*I也增大,损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误;

第二点:MOS管频率太高,主要是有时过分追求体积,导致频率提高,MOS管上的损耗增大了,所以发热也加大了;

第三点:电路板没有做好足够的散热设计,电流太高,MOS管标称的电流值,一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流,也可能发热严重,需要足够的辅助散热片;

第四点:MOS管的选型有误,对功率判断有误,MOS管内阻没有充分考虑,导致开关阻抗增大;

第五点: 硬件已经损坏,用万用表的的二极管档去测量,是否是正向电压导通,反向电压截至;

第六点:排除上面所有就得从软件排除问题,看是不是IO口复用导致冲突;

6.三极管PNP与NPN型

用途-初级,当开关来用,放大电流,音频信号(不失真)

常见的有(NPN)8050/9012,3904

                 (PNP) 8550/9013 、

                T0-92

                 2N7002,场效应管子/mos管

区别引脚:三极管向着自己,引脚从左到右分别为ebc,原理图中有箭头的一端为e,与电阻相连的为b,另一个为c。箭头向里指为PNP(9012或8550),箭头向外指为NPN(9013或8050)。

三极管的工作状态

三极管有两个PN结,两个PN结将基片分成三个区域:发射区、基区和集电区。

每一区域引出一个电极,分别为发射极(E),基极(B)和集电极(C)。

晶体管的输出特性曲线是一族曲线,它可以划分为三个区域,分别对应晶体管的三种工作状态。

正偏与反偏的理解:

NPN型晶体管的发射结正偏,指的是基极(P型半导体)接高电位,发射极(N型半导体)接低电位,发射结加正向电压,发射结处于导通状态;

反之;

NPN型晶体管的集电结反偏,指的是集电极(N型半导体)接高电位,基极(P型半导体)接低电位,集电结加反向电压,集电结处于截止状态

晶体管的发射结正偏集电结反偏时,晶体管处于放大状态。

如果看不到丝印的情况下如何判别三极管的NPN、PNP

三极管可以看成两个想对的PN结,判断二极管的放大,可以判断出其中一极为公共极性,共阳或共阴,此极即是基极b,

NPN的公共极; 正极

PNP的公共极; 负极

还有封装风格上SOD-123的mos管子,比如2N7002

例如:图有点丑,读者将就看吧

上图

批量生产贴片项目的时候,物料需要确认和上编带,差点就被坑,这个锅很大的,不要踩

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