电气设备绝缘的高电压试验(一)——高电压的产生

本篇为本科课程《高电压工程基础》的笔记。

本篇为这一单元的第一篇笔记。下一篇传送门

工频高电压试验设备

工频高电压的产生

一般采用工频高压试验变压器,其绝缘要求高、负荷小、变比大。除了用作高压试验,还可以研究气体绝缘间隙、电晕损耗、静电感应、长串绝缘子的闪络电压等。

工频高压试验对试验设备的要求

如下图所示,为工频高压试验的一般线路图。

在这里插入图片描述

其中,B是调压器,T是试验变压器,他们可以调节不同电压。球间隙Q和电压比V用于测量电压。 R 1 , R 2 R_1,R_2 R1,R2为保护电阻, R 1 R_1 R1是用来限制过电流和过电压,从而保护试验变压器, R 2 R_2 R2用于保护球电极。被测试品为T.O.,它接在高压引线和接地线之间。

电压

试验电压要比设备的额定电压高得多。例如对于110kV等级的电力变压器,工频试验电压要求是230kV。

调压与波形

因为绝缘介质在不同的升压情况和波形电压下,其击穿特性也不同,所以需要统一调压以及电压波形。规定电压波形是正负对称的正弦波,频率范围是45Hz到55Hz。电压有效值是峰值除以 2 \sqrt{2} 2 ,即波顶系数,规定应在 2 ± 0.07 \sqrt{2}\pm 0.07 2 ±0.07。调压装置要求可以速度连续、平稳地调节电压。

容量

大部分情况,试验变压器连续工作时间不长,而在额定下运行时间更短。

大多数被测试品为容性,通过的容性电流 I c I_c Ic(A)表示为:
I c = ω C U × 1 0 − 9 I_c=\omega CU\times 10^{-9} Ic=ωCU×109

其中, ω \omega ω是角频率,C是测试品的电容量(pF),U是所加的电压(kV)。

选择试验变压器的额定容量(kVA),使用下式来做考虑:
P = I c U = ω C U 2 × 1 0 − 9 P=I_cU=\omega CU^2 \times 10^{-9} P=IcU=ωCU2×109

可见试验变压器的容量一般不大。

串级试验变压器

变压器随电压的增大而增大,现在单个变压器额定电压很少超过750kV。需要更高等级变压器,就用几个变压器串接的方法,构成串接试验变压器。

如下图所示为自耦式串级变压器。其后级变压器的励磁电流由前级变压器供给。

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设该装置的输出电压是 I 2 I_2 I2(A),每一级高压侧的额定电压为 U 2 U_2 U2(kV),那么该装置的输出额定电压为 3 U 2 3U_2 3U2,总额定输出功率为 3 U 2 I 2 3U_2I_2 3U2I2(kVA)。最高一级变压器 T 3 T_3 T3额定容量为 U 2 I 2 U_2I_2 U2I2,中间一级变压器 T 2 T_2 T2额定容量为 2 U 2 I 2 2U_2I_2 2U2I2,最低一级变压器 T 1 T_1 T1额定容量为 3 U 2 I 2 3U_2I_2 3U2I2,因为下一级除了自身,还要供给上一级的容量。

当级数为3,输出容量 W T = 3 U 2 I 2 = 3 W W_T=3U_2I_2=3W WT=3U2I2=3W,总的容量为所有变压器容量之和: W Σ = 6 U 2 I 2 = 6 W W_\Sigma=6U_2I_2=6W WΣ=6U2I2=6W,则可得装置的利用率为: η = W T W Σ = 3 W 6 W = 50 \eta=\frac{W_T}{W_\Sigma}=\frac{3W}{6W}=50% η=WΣWT=6W3W=50

可见串接越多,效率越低,一般串接不超过3台。

调压装置

为防止高压侧出现异常电压,一次侧电压投入尽可能从低电压开始,然后逐步上升至试验的电压值。一般在变压器前级选配调压器。

调压器除了输出容量、相数、频率、电压变化范围等满足试验要求,还要:

  • 输出电压质量好,波形尽可能接近正弦波,输出电压下限最好为零。
  • 调压特性好,要求调压器阻抗不要过大,调压特性曲线线性平滑,调节方便可靠。

调压装置主要有:

  1. 自耦式调压装置:即自耦变压器,只要改变滑动触头,就可以改变输出电压。按照铁芯形式可分为环式和柱式。
  2. 移圈式调压器:一般有三个线圈,其中两个为匝数相等、绕向相反、互相串联的线圈,另一个为套在这两个线圈之外的短路线圈。借助短路线圈沿铁芯柱高度方向的上下移动,改变主回路两个线圈的阻抗和电压分配,以达到调节输出电压的目的。
  3. 感应调压器:结构和电磁原理类似堵转的绕线转子一步电动机,能量转换类似变压器。通过调整转子角位移,改变定子或转子绕组的感应电动势相位(三相)或幅值(单相),以达到无触点调压的目的。

串联谐振交流高电压的产生

大容量试验品的耐压试验,可以使用高压串联谐振设备。它利用了LC串联谐振的原理,让试验品受到了高压交流电的作用,而供电设备的额定电压和容量可以大为减少。原理图如下所示:

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其中,L是电感器,C为试验品和分压器与外加的电容器的总电容,R为回路的总电容,其包含引线、电感的电阻、特意接入的调整电阻,也代表高压引线的电晕损耗以及试验品的介质损耗等效电阻。

若回路满足谐振条件即:
ω L = 1 ω C \omega L=\frac{1}{\omega C} ωL=ωC1

说明电感和电容在频率 ω \omega ω时发生串联谐振,若变压器二次侧电压为 U s U_s Us,谐振时回路流过电流为 I = U s R I=\frac{U_s}{R} I=RUs,则加在试验品和电抗器上的电压为:
U C = U L = 1 ω C I = ω L R U s = Q U s U_C=U_L=\frac{1}{\omega C}\\\\ I=\frac{\omega L}{R}U_s=QU_s UC=UL=ωC1I=RωLUs=QUs

其中,Q是谐振回路的品质因数, Q = ω L R = 1 ω C R Q=\frac{\omega L}{R}=\frac{1}{\omega CR} Q=RωL=ωCR1,其值一般为40到80。

则此时所需的电源容量为:
P = I 2 R = U s 2 R P=I^2R=\frac{U_s^2}{R} P=I2R=RUs2

被试验品和电感上获得的无功功率为:
P C = P L = I 2 ω L = ω L R U s 2 R = Q P P_C=P_L=I^2\omega L=\frac{\omega L}{R}\frac{U_s^2}{R}=QP PC=PL=I2ωL=RωLRUs2=QP

这种方法优点有:

  1. 基波频率产生谐振,畸变小。
  2. 击穿时谐振条件破坏,电抗器限制了短路电流,所以其电弧不会将故障点扩大。

交流高电压试验

防止工频高压试验中可能出现的过电压

施加工频高压时,常常会在试验品上产生容升现象,即作用在试验品上的电压值会超过按变比高压侧所应输出的电压值。试验品电容值和试验变压器的漏抗越大,则该现象越明显。

另外,对一次绕组突然加电压而不是慢慢提升电压,有可能因为过渡过程而在试验回路中产生过电压。试验品的突然击穿,特别是高气压下气体间隙和油间隙的多次击穿和重燃,可产生大幅值的过电压。防止的措施为在变压器出线端和试验品之间串接一个保护电阻 R 1 R_1 R1,一般按照 0.1 Ω / V 0.1\mathrm{\Omega/V} 0.1Ω/V来选取。它限制了过电压的幅值,也限制了短路电流。

试验电压的波形畸变和改善措施

造成波形畸变的原因主要是试验变压器或调压装置的铁芯在磁化曲线的饱和段工作,励磁电流为非正弦,当变压器和调压器存在漏抗的时候,会造成畸变。试验品容量越大,造成的畸变越大。

如下图所示为一个改善输出波形的方法,在试验变压器的一次绕组并联一个LC串联谐振回路。

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如果需要削减3次谐波,则LC回路可按照 3 ω L = 1 3 ω C 3\omega L=\frac{1}{3\omega C} 3ωL=3ωC1来选择参数, ω \omega ω是基波角频率。这样会使得励磁电流中的三次谐波分量有短路回路而保证输出电压为正弦波。

外施电压试验和感应高压试验

对于带绕组的试验品,用外施电压对其主绝缘作工频高压试验时,首先应将各绕组的首位短接,然后根据不同要求做其他接线,这样能防止电容电流流过励磁感抗造成不允许的电压升高。

直流高电压试验设备

直流高电压的产生

直流电压的特性由极性、平均值、脉动来表示。高压试验的直流电源在提供负载电流时,脉动电压要非常小,即直流电源必须具有一定的负载能力。产生直流高压最常用的是变压器和整流回路的组合,另外还可通过静电的方式。

半波整流回路和直流高压设备的基本参数

是将交流电压通过整流元件整流得到直流高压。常用的整流设备如下图所示。

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其中,R就是保护电阻,为了限制试验品放电时通过高压硅堆和变压器的过电流。T是工频试验变压器,C是滤波电容器,VD是整流元件(高压硅堆)。它输出的电压波形如下所示:

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直流高压试验由三个基本技术参数:输出额定直流电压(算数平均值) U d U_d Ud、相应的额定直流电流(平均值) I d I_d Id和电压脉动系数S。
S = δ u U d S=\frac{\delta u}{U_d} S=Udδu

其中, δ u ≈ U m a x − U m i n 2 , U d ≈ U m a x + U m i n 2 \delta u\approx \frac{U_{\mathrm{max}}-U_{\mathrm{min}}}{2},U_d\approx\frac{U_{\mathrm{max}}+U_{\mathrm{min}}}{2} δu2UmaxUmin,Ud2Umax+Umin

δ u \delta u δu表示的是输出电压的脉动幅值或纹波。规定纹波系数不大于3%。

上述半波镇流回路,若试验品为 R x R_x Rx,则电压脉动幅值为:
δ u = I d T 2 C = I d 2 f C \delta u=\frac{I_dT}{2C}=\frac{I_d}{2fC} δu=2CIdT=2fCId
则脉动系数 S = δ u U d = I d 2 f C U d = 1 2 f C R x S=\frac{\delta u}{U_d}=\frac{I_d}{2fCU_d}=\frac{1}{2fCR_x} S=Udδu=2fCUdId=2fCRx1,保护电阻值为 R = 2 U T I s m R=\frac{\sqrt{2}U_T}{I_{\mathrm{sm}}} R=Ism2 UT

其中, U T U_T UT是工频试验变压器的输出电压有效值, I s m I_{\mathrm{sm}} Ism是根据硅堆的过载特性曲线所确定的短时允许的过电流峰值。

倍压整流回路

如果要产生更高的电压可以采用倍压电路,如下图所示。

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这种电路可看成两个半波电路的叠加。T的二次侧电压仍为 U T U_T UT,但其两个输出端对地的绝缘不同,A对地为 2 U T 2U_T 2UT,而A’点为 U T U_T UT。输出电压为变压器二次电压的两倍。最常见的倍压电路如下图所示。

变压器一端接地,另一端为 U T U_T UT,对绝缘无特别要求,硅堆的反向峰值电压为 2 2 U T 2\sqrt{2}U_T 22 UT,电容 C 1 C_1 C1的工作电压为 2 U T \sqrt{2}U_T 2 UT C 2 C_2 C2 2 2 U T 2\sqrt{2}U_T 22 UT,输出电压为 2 2 U T 2\sqrt{2}U_T 22 UT

串级直流发生器

如下图所示,将倍压电路多级串联起来,可以组成串级直流高压发生器。

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假设串接级数为n,变压器输出点阿姨最大值为 U m U_m Um,且左右柱电容器相同,则串级直流高压发生器的脉动电压:
δ u = n ( n + 1 ) I d 4 f C \delta u=\frac{n(n+1)I_d}{4fC} δu=4fCn(n+1)Id
其中, I d I_d Id是平均输出电流(A),f是电源频率。

输出电压的平均值为:
U d = 2 n U m − Δ U a U_d=2nU_m-\Delta U_a Ud=2nUmΔUa

其中, Δ U a = I d 6 f C ( 4 n 3 + 3 n 2 + 2 n ) \Delta U_a=\frac{I_d}{6fC}(4n^3+3n^2+2n) ΔUa=6fCId(4n3+3n2+2n)是平均电压降落。串级直流高压发生器的脉动系数为:
S = δ u U d = n ( n + 1 ) I d 4 f C U d S=\frac{\delta u}{U_d}=\frac{n(n+1)I_d}{4fCU_d} S=Udδu=4fCUdn(n+1)Id

可见脉动电压和脉动系数近似地和级数的平方成正比,电压降落近似地和级数的立方成正比。

直流高压的试验

直流高压试验用于考验电气设备抗电强度,反映设备受潮、劣化和局部缺陷等问题。和交流高压试验相比,直流高压试验有特点:

  1. 试验中只有微安级别的漏电流,设备不用供给电容电流,所以设备容量小。
  2. 试验中可以同时测量泄漏电流,由其电压电流曲线可以有效地显示绝缘内部的集中性缺陷或受潮。
  3. 直流高压下局部放电较弱,不会加快材料分解或老化。
  4. 直流下,绝缘内的电压分布由电导决定,所以和交流下电压分布不同,导致对交流设备的考验不太真实。

冲击电压试验设备

冲击电压指的是持续时间短、电压上升速度快、达到幅值之后又缓慢下降的一种暂态电压。分为持续时间短的雷电冲击电压和持续时间长的操作过电压。

其特性由峰值以及波头、波尾时间来表示。标准的雷电冲击电压定义如下图所示。

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根据波形定义,标准雷电冲击的波头时间为:
T f = 1.67 T x T_f=1.67T_x Tf=1.67Tx
其中, T x T_x Tx是30%到50%峰值间所测得的时间。波头时间 T f ( μ s ) T_f\mathrm{(\mu s)} Tf(μs)和波尾时间 T t ( μ s ) T_t\mathrm{(\mu s)} Tt(μs)常表示为 ± T f / T t \pm T_f/T_t ±Tf/Tt ± \pm ±表示电压的极性。

标准的雷电冲击电压为 ± 1.2 / 50 μ s \pm 1.2/50\mathrm{\mu s} ±1.2/50μs,操作冲击电压为 ± 250 / 2500 μ s \pm 250/2500\mathrm{\mu s} ±250/2500μs

特殊场合还会产生截断波冲击电压,分为波前阶段和波后截断。

冲击电压发生器与参数计算

冲击电压发生器基本原理

一种常用的多级回路如下所示。

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图为四级,其中T是试验供电变压器,D为整流所用的高压硅堆,r是保护电阻,R是充电电阻,C为每级的主电容, C s C_s Cs为每级相应点的对地杂散电容, g 1 g_1 g1为点火球隙, g 2 ∼ g 4 g_2\sim g_4 g2g4为中间球隙, g 0 g_0 g0为隔离球隙, r f r_f rf为每级的波前电阻, r t r_t rt为每级的放电电阻, C 2 C_2 C2为负荷电容,其值不仅取决于试验品,还和调波有关。

  1. 需要启动发生器的时候,先给点火球隙 g 1 g_1 g1一个脉冲电压,使得其间隙放电,放电所产生紫外线会照到第二个球隙 g 2 g_2 g2,使得其放电。
  2. g 1 g_1 g1放电后,使得点1的电压从原先充电得到的-U突变为零,而点2的电压从原先的零变为+U。因为 C s C_s Cs的存在,且R很大点3的电压在点1变化后会保持几乎不变,即仍然维持充电时的-U,所以间隙 g 2 g_2 g2之间的电压为2U,承受的电压变大了一倍,所以在紫外线下会立即放电击穿。
  3. 在这之后,点4的电压变为+2U,间隙 g 3 g_3 g3之间的电压为3U,也会立刻击穿放电。
  4. 同样的流程, g 4 g_4 g4 g 0 g_0 g0也会紧跟着击穿,各级的电容器C就会和各级的 r f r_f rf串联起来,则放电下,发生器就可以等效成如下所示的电路。

其中, C 1 C_1 C1是四个主电容串联而成, C 1 = C 4 C_1=\frac{C}{4} C1=4C,理论上它可以产生高达4U的电压, R t R_t Rt是串联的 r t r_t rt R t = 4 r t R_t=4r_t Rt=4rt R f R_f Rf是串联的 r f r_f rf R f = 4 r f R_f=4r_f Rf=4rf。以上这个过程可以概括为:电容器先并联充电,后串联放电,电阻R在充电时候起到连接电路作用,在放电时候起到隔离电路作用,主电容从并联转换成串联是因为这几个球隙从绝缘态转换成了击穿态。

g 0 g_0 g0击穿之后,试验品 C 2 C_2 C2上承受的电压随时间变化曲线如下图所示。为了让 C 2 C_2 C2上的电压接近于 C 1 C_1 C1的原始充电电压,则要保证 C 1 ≫ C 2 C_1\gg C_2 C1C2 C 2 C_2 C2的充电过程就是波头,波头上升快慢取决于其时间常数 R f C 2 R_fC_2 RfC2 C 1 , C 2 C_1,C_2 C1,C2并联放电的过程就是冲击电压的波尾,也就是电压的下降过程,下降快慢主要取决于其时间常数 ( C 1 + C 2 ) R t (C_1+C_2)R_t (C1+C2)Rt

高效回路和非高效回路

上部分的图所示为高效回路,下面这个图所示的是非高效回路,而且发生器采用波前电阻和放电电阻集中放置的方法。

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多出来的 r d r_d rd是阻尼电阻,为了防止杂散电感和对地分布的杂散电容引起高频震荡,即防止冲击波前不光滑。可见,在球间隙如果串联有 r d r_d rd,则为非高效回路。这是因为这个电阻也参与调节波前时间;放电的时候,它会和 R t R_t Rt造成分压,使得输出电压降低。

如果没有这个串联的 r d r_d rd,则为高效回路,实际上波前电阻 r f r_f rf替代了阻尼电阻的作用。

冲击电压发生器的典型充电回路

为了提高输出电压,通常采用双边电容器的充电方式,由两个半波整流电路组成。双边充电的发生器的非高效回路如下图所示。
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冲击电压发生器的常见高效回路如下图所示。第一张图为单边充电回路,第二张图为双边充电回路。

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这种回路的 r t r_t rt r f r_f rf被分散在各级小回路中,无隔离球隙 g 0 g_0 g0,只有充电电阻R和兼做充电电阻的 r t r_t rt r f r_f rf

放电回路的近似计算

基本回路的运算电路

以非高效回路为例,其接线图所下图所示,其主电容 C 1 C_1 C1上的初始充电电压为 U 1 U_1 U1

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将这个电路做拉普拉斯变换,则画出下面的变换图。

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简单计算可得输出电压为:
U 2 ( s ) = d U 1 s 2 + a s + b U_2(s)=\frac{dU_1}{s^2+as+b} U2(s)=s2+as+bdU1

其中:
b = 1 C 1 C 2 ( R d R t + R d R f + R f R t ) a = b [ C 1 ( R d + R t ) + C 2 ( R t + R f ) ] d = b C 1 R t b=\frac{1}{C_1C_2(R_dR_t+R_dR_f+R_fR_t)}\\\\ a=b[C_1(R_d+R_t)+C_2(R_t+R_f)]\\\\ d=bC_1R_t b=C1C2(RdRt+RdRf+RfRt)1a=b[C1(Rd+Rt)+C2(Rt+Rf)]d=bC1Rt

则对其做拉普拉斯逆变换,求出时域上的解为:
u 2 ( t ) = U 1 ε ( e s 1 t − e s 2 t ) u_2(t)=U_1\varepsilon(e^{s_1t}-e^{s_2t}) u2(t)=U1ε(es1tes2t)

其中, s 1 , s 2 s_1,s_2 s1,s2是方程 s 2 + a s + b = 0 s^2+as+b=0 s2+as+b=0的两个根, ε \varepsilon ε是回路系数。

放电回路的近似计算

对于上面刚展示过的回路,可以使用时间常数来代替 s 1 , s 2 s_1,s_2 s1,s2。即:
τ 1 = − 1 s 1 τ 2 = − 1 s 2 \tau_1=-\frac{1}{s_1}\\\\ \tau_2=-\frac{1}{s_2} τ1=s11τ2=s21

则输出电压可以表示为:
u 2 ( t ) = U 1 ε ( e − t τ 1 − e − t τ 2 ) = U 2 m ( e − t τ 1 − e − t τ 2 ) u_2(t)=U_1\varepsilon(e^{-\frac{t}{\tau_1}}-e^{-\frac{t}{\tau_2}})=U_{2m}(e^{-\frac{t}{\tau_1}}-e^{-\frac{t}{\tau_2}}) u2(t)=U1ε(eτ1teτ2t)=U2m(eτ1teτ2t)

对于标准的雷电冲击电压, ∣ s 2 ∣ ≫ ∣ s 1 ∣ |s_2|\gg|s_1| s2s1,即 τ 1 ≫ τ 2 \tau_1\gg \tau_2 τ1τ2,输出的波形由两个指数波形叠加而成,如下图所示。

波前时间比波尾时间要长的多,波前时间基本是由 τ 1 \tau_1 τ1决定,可以忽略波尾衰减影响,近似认为 R t R_t Rt开路,其等效回路如下所示:

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则在确定波头时间时可认为:
u 2 ≈ U 2 m ( 1 − e − t τ 2 ) u_2\approx U_{2m}(1-e^{-\frac{t}{\tau_2}}) u2U2m(1eτ2t)

根据标准波的定义,在 t 1 t_1 t1时刻, u 2 = 0.3 U 2 m u_2=0.3U_{2m} u2=0.3U2m,在 t 2 t_2 t2时刻, u 2 = 0.9 U 2 m u_2=0.9U_{2m} u2=0.9U2m,则有:
0.3 U 2 m = U 2 m ( 1 − e − t 1 τ 2 ) ⇒ e − t 1 τ 2 = 0.7 0.7 U 2 m = U 2 m ( 1 − e − t 2 τ 2 ) ⇒ e − t 2 τ 2 = 0.1 0.3U_{2m}=U_{2m}(1-e^{-\frac{t_1}{\tau_2}}) \Rightarrow e^{-\frac{t_1}{\tau_2}}=0.7\\\\ 0.7U_{2m}=U_{2m}(1-e^{-\frac{t_2}{\tau_2}}) \Rightarrow e^{-\frac{t_2}{\tau_2}}=0.1 0.3U2m=U2m(1eτ2t1)eτ2t1=0.70.7U2m=U2m(1eτ2t2)eτ2t2=0.1

由上面两式可得:
t 2 − t 1 = τ 2 ln ⁡ 7 t_2-t_1=\tau_2\ln7 t2t1=τ2ln7

在标准波形图中,存在相似三角形 △ O ′ F C \triangle O'FC OFC △ x y z \triangle xyz xyz,所以有:
T f t 2 − t 1 = 1 0.6 \frac{T_f}{t_2-t_1}=\frac{1}{0.6} t2t1Tf=0.61

所以可以得到波前时间:
T f = τ 2 ln ⁡ 7 0.6 = 3.24 τ 2 T_f=\tau_2\frac{\ln 7}{0.6}=3.24\tau_2 Tf=τ20.6ln7=3.24τ2

τ 2 \tau_2 τ2是充电的时间常数,在现在的近似下,有:
τ 2 = ( R d + R f ) C 1 C 2 C 1 + C 2 \tau_2=(R_d+R_f)\frac{C_1C_2}{C_1+C_2} τ2=(Rd+Rf)C1+C2C1C2

波前时间最终表达式:
T f = 3.24 ( R d + R f ) C 1 C 2 C 1 + C 2 T_f=3.24(R_d+R_f)\frac{C_1C_2}{C_1+C_2} Tf=3.24(Rd+Rf)C1+C2C1C2

因为有 C 1 ≫ C 2 C_1\gg C_2 C1C2,则近似波前时间为 T f = 3.24 ( R d + R f ) C 2 T_f=3.24(R_d+R_f)C_2 Tf=3.24(Rd+Rf)C2

在考虑波长的时候,不考虑 R d , R f R_d,R_f Rd,Rf的影响,近似认为 C 1 , C 2 C_1,C_2 C1,C2 R 1 R_1 R1放电,可以忽略波前的影响,其等效回路如下所示:

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u 2 u_2 u2表达式为:
u 2 = U 2 m e − t τ 1 u_2=U_{2m}e^{-\frac{t}{\tau_1}} u2=U2meτ1t

根据波形的定义,有:
U 2 m 2 = U 2 m e − T t τ 1 ⇒ T t = τ 1 ln ⁡ 2 = 0.693 τ 1 \frac{U_{2m}}{2}=U_{2m}e^{-\frac{T_t}{\tau_1}} \Rightarrow T_t=\tau_1 \ln 2=0.693\tau_1 2U2m=U2meτ1TtTt=τ1ln2=0.693τ1

可以计算出 τ 1 = ( R d + R t ) ( C 1 + C 2 ) ≈ ( R d + R t ) C 1 \tau_1=(R_d+R_t)(C_1+C_2)\approx(R_d+R_t)C_1 τ1=(Rd+Rt)(C1+C2)(Rd+Rt)C1

则波尾时间为:
T t = 0.693 ( R d + R t ) ( C 1 + C 2 ) ≈ 0.693 ( R d + R t ) C 1 T_t=0.693(R_d+R_t)(C_1+C_2)\approx 0.693 (R_d+R_t)C_1 Tt=0.693(Rd+Rt)(C1+C2)0.693(Rd+Rt)C1

发生器的电压效率

效率定义为: η = U 2 m U 1 \eta=\frac{U_{2m}}{U_1} η=U1U2m,其具体计算公式为:
η = R t R d + R t C 1 C 1 + C 2 \eta=\frac{R_t}{R_d+R_t}\frac{C_1}{C_1+C_2} η=Rd+RtRtC1+C2C1

如果是高效回路,即 R d = 0 R_d=0 Rd=0,则效率为:
η = C 1 C 1 + C 2 \eta=\frac{C_1}{C_1+C_2} η=C1+C2C1

为了让效率不太低,一般 C 1 C_1 C1 ( 5 ∼ 10 ) C 2 (5\sim 10)C_2 (510)C2

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