STM32内置闪存读写

一般说STM32内部FLASH就是指主存储器区域

写内部FLASH操作过程

1. 解锁
   在对FLASH写数据之前，需要先给解锁，因为芯片为了防止误操作修改应用程序，复位之后会给控制寄存器FLASH_CR上锁
   (1) 往 FPEC(闪存编程/擦除控制器) 键寄存器 FLASH_KEYR 中写入 KEY1 = 0x45670123
   (2) 再往 FPEC 键寄存器 FLASH_KEYR 中写入 KEY2 = 0xCDEF89AB
   注：错误的键值都会在下次复位前锁死FPEC模块和FLASH_CR寄存器
2. 页擦除
   在写入新数据之前，需要先擦除存储区域，按页擦除或者整片擦除

• 检查 FLASH_SR 中的 BSY 位，以确认当前未执行任何其它的内部 Flash 操作
• 在 FLASH_CR 寄存器中，将“页擦除PER ”置 1
• 用 FLASH_AR 闪存地址寄存器写入要擦除的页地址；
  （如果是整片擦除，第2.3步改成设置FLASH_CR寄存器的(全擦除)MER位为’1’即可）
• 将 FLASH_CR 寄存器中的“开始擦除寄存器位 STRT ”置 1，开始擦除；
• 等待 BSY 位被清零时，表示擦除完成。
• 擦除完成，复位“页擦除PER ”位

3. 写入数据

• 检查 FLASH_SR 中的 BSY 位，以确认当前未执行任何其它的闪存操作；
• 将 FLASH_CR 寄存器中的 “ PG变成位” 置 1；
• 向指定的 FLASH 存储器地址执行数据写入操作，每次只能以 16 位(半字)的方式写入，因为FLASH_AR闪存地址寄存器为16位；
• 等待 BSY 位被清零时，表示写入完成。
• 擦除完成，复位“按页写入PG ”位
• 读出写入的地址并验证数据。

读操作：

读内部FLASH可以通过直接寻址方式读取，任何任何32位数据的读操作都能访问闪存模块的内容
并得到相应的数据

/******************************************************************************
* Function:		Flash_Read
* Description:	读取内部flash数据
* Parameters:    
* 				StartAddr[in]:	读取起始地址
*            	ReadBuf[out]:	读出的数据
* 				Len[in]: 要读取的数据长度
* Return:  none
******************************************************************************/
void Flash_Read(u32 StartAddr, void *ReadBuf, u32 Len)
{
	u32 i;
	u32* buf;
		
	for(i = 0; i < Len / 4; i++)
	{
		buf[i] = *((uint32_t *)(StartAddr + i * 4));
	}
	ReadBuf = &buf[0];
}