电子元器件总结

最新推荐文章于 2024-08-11 23:46:27 发布

帕布阿尼亚

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文章标签：硬件工程硬件架构

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版权

电阻

分类	制作工艺	特性/用途	关键参数	厂商
金属膜电阻	是采用特种金属或合金作电阻材料,用真空蒸发或溅射的方法,在陶瓷或玻璃基本上形成氧化的电阻膜层的电阻器	体积小,噪声低,稳定性好	阻值,精度, 功率,耐温
碳膜电阻	采用高温真空镀膜技术将碳紧密附在瓷棒表面形成碳膜，然后加适当接头切割，并在其表面涂上环氧树脂密封保护而成	价格便宜,精度较低,稳定性好	阻值,精度, 功率,耐温
金属氧化膜电阻	采用金属氧化膜是用金属盐溶液喷雾到炙热的陶瓷骨架上分解、沉积形成的，其外形与金属膜电阻相似	抗氧化性,耐高温,温度范围为宽,有极好的脉冲过载特性,阻值范围小,温度系数大	阻值,精度, 功率,耐温
绕线电阻	采用电阻丝绕在绝缘骨架上构成的,电阻丝一般采用具有一定电阻率的镍铬、锰铜等合金制成。绝缘骨架是由陶瓷、塑料、涂覆绝缘层的金属等材料制成管形、扁形等各种形状	表面一般涂覆为耐高温涂料，功率大，温度系数小；短时间超负载能力强，阻值常年无变化	阻值,精度, 功率,耐温
SMD电阻	1.薄膜电阻器，是在具有真空沉积在绝缘基板上的金属膜。通过将特殊浆料烧制到基板上来制造厚膜电阻器。糊剂是玻璃和金属氧化物的混合物 2.厚膜电阻，是将金属粉和玻璃釉粉混合，采用丝网印刷法印在基板上制成的电阻器。将电阻层在850℃下印刷到基板上。基材通常是95％的氧化铝陶瓷。	温度系数小,抗干扰性能强,高频特性好;可节约电路空间,使设计更精细化.薄膜电阻精确,具有更好的温度系数并且更稳定;厚膜电阻成本较低,且能够处理更多功率,电阻值范围宽并承受高浪涌	阻值,精度, 功率,耐温
光敏电阻	制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极，接出引线，封装在具有透光镜的密封壳体内，以免受潮影响其灵敏度。	原理是基于内光电效应,在半导体光敏材料两端装上电极引线，将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻，为了增加灵敏度，两电极常做成梳状。	光电流,亮电阻,暗电流,暗电阻,光照特性,功率
热敏电阻	热敏电阻采用基本陶瓷技术制造,使用金属氧化物的成分,最常用的氧化物包括锰,钴,镍,铁,铜和钛。将两种或更多种氧化物粉末与粘合化合物混合并在升高的温度下粘合;改变所用氧化物的类型和数量以及键合温度决定了电阻和温度特性。	热敏电阻分为PTC和NTC NTC:常用于温度检测、冲击电流保护 PTC:常用于加热、保险丝	B值、功率、封装、精度、阻值	安培龙
压敏电阻	压敏电阻(MOV)是一种具有非线性伏安特性的电阻器件，主要用于在电路承受过压时进行电压钳位，吸收多余的电流以保护敏感器件。压敏电阻器的电阻体材料是半导体是一种限压型保护器件。利用压敏电阻的非线性特性，当过电压出现在压敏电阻的两极间，压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值，从而实现对后级电路的保护。		标称压敏电压、电压非线性系数、漏电流、电压比

LDO

特性

LDO通过线性调整晶体管的导通来调节输出电压，这种线性调节方式能提供精确、低纹波的输出电压，能对负载的改变做出快速的响应。因此，LDO的主要优势就在于它的简单、低成本、低纹波、低压差，以及快速的响应能力。但是，与buck相比，特别是在高VIN / VOUT的应用中，LDO的效率相对较低。

原理

PMOS LDO的基本电路，由PMOS管Q1、参考电压和控制MOS管的误差放大器构成。误差放大器通过电阻分压网络以检测输出电压。

控制原理：误差放大器通过控制PMOS的G极电压使输出电压维持在稳定状态。

当负载增加或输入电压降低导致输出电压下降时，误差放大器将拉低相对于源极的栅极电压，增加PMOS的导通水平，输出电压就会再次上升到原来的稳定电压上。

在当前电路中，MOSFET可以被控制在非常接近完全导通状态，这使得即使VIN非常接近VOUT，LDO仍可以正常输出。但由于栅极电位不能低于GND电位，输入电压也必须够高以提供足够的空间让MOS的栅-源极电压处在能够正常打开的状态。因此，使用PMOS为调整管的LDO需要大约2.5V的最低输入电压要求。

在输入电压很低时仍需LDO正常输出的情况，可以选择以NMOS为控制管的LDO；

使用NMOS为控制管的LDO需要使用比输出电压高的栅极驱动电压，为了达到非常低的输入和输出电压目的，NMOS型LDO通常使用由内部电荷泵电路或外部输入的偏置电压来为其栅极提供驱动电压，使得这些NMOS LDO可以使用非常低的输入电压，例如1V。相对于PMOS，NMOS具有更低的导通电阻，更低的电压差，能够在低压降的应用中输出更大的电流。

关键参数

1.输入电压范围，输出电压

2.最大驱动电流（关注输出电容导致上电尖峰电流的影响，可在输入端串联电阻减小尖峰电流）

3.输出电压精度

4.PSRR：电源电压抑制比，用于衡量LDO在各种频率下抑制输入纹波能力；输入纹波来源有多种，包括电源工频干扰、上下游DC-DC开关转换器输出纹波、PCBA上不同电路模块耦合的纹波，PSRR通常在10Hz~1MHz频率范围内测量。PSRR=20log

5.额定电流下的最小压降（Low dropout voltage）

运放

参数

超强总结：25个运放参数详解（收藏）-电子工程专辑 (eet-china.com)https://www.eet-china.com/mp/a74798.html

输入偏置电流

定义：理想情况下，并无电流进入运算放大器的输入端。而实际操作中，始终存在两个输入偏置电流，即IB+和IB-；当其流过外部阻抗时会产生电压，进而导致系统误差增加；偏置电流数值大小=(IB+ + IB-)/2，输入失调电流即为漏电流之差，即|IB+ -IB-|。

如何消除偏置电流的影响：

当运算放大器的偏置电流匹配良好时(如前所述，就像简单的双极性输入级运算放大器那样，但“不”包括内部偏置补偿运算放大器)，偏置补偿电阻R3 (R3=R1||R2)会在同相输入中引入压降，以便与反相输入中R1和R2并联组合上的压降匹配并实现补偿。这样可以最大程度地减少额外的失调电压误差。注意，如果R3大于1 kΩ，则应使用电容进行旁路，以免噪声影响。另请注意，当偏置电流匹配不佳时，这种消除偏置方式毫无用处，事实上会更糟。