电子元件的基本参数及其温度特性

常用的基本电子元器件有以下几类：MOS管、三极管、二极管、电阻等；在设计和应用中我们会经常关注到它们的温度系数，下面笔者就定性的来说说它们的参数及其温度特性。

场效应晶体管（MOS、MOSFET）：
1）阈值电压：vth 该参数为负温度系数，即：随着温度升高，MOS管的开启电压会线性下降，而且非常明显；
在模型参数中大家可以注意到以下参数：kt1,kt1l,kt2
2）线性电流：idlin 该参数为负温度系数，当然rdson就是正温度系数了，其实可以理解为在线性工作状态下，MOS管就是一个电阻，其呈现正温度系数很正常；从微观上来讲，温度升高使得载流子的碰撞加剧，速度明显下降，阻性逐渐增强，从模型的角度来讲是由于迁移率下降了，其实核心还是载流子之间的相互碰撞；
3）饱和电流：idsat 该参数为负温度系数，温度升高，饱和速度明显下降，电流能力下降在所难免。但是，在这里有个容易模糊的地方，为什么vth下降了，根据饱和电流公式I=UnCoxW/L(vgs-vth)^2*(1+Lambda*vds),电流应该增强的啊，为什么下降呢？其实，你忽略了Un的负温度系数，迁移率在这个过程中表现更加突出，vth的变化不能改变电流下降的事实；
4）迁移率：Ueff 有效迁移率，Ueff正比于Vmax（载流子最大饱和速度），如上所说，温度升高势必造成Vmax的明显下降，所以迁移率下降理所当然；
5）亚阈区电流: Isubthreshold, 该电流与上述趋势恰好相反，表现出了较为明显的正温度系数，在亚阈区电流指数增长。由于饱和电流Is具有正的温度系数，所以随着温度的升高，电流会呈现增强的趋势。
6）击穿电压：BV，该电压在电路设计中并不是很重要，设计者更多关心的是SOA，即安全工作区；随着温度的升高，击穿电压会稍微增大，但是变化范围很小。

二极管（diode）：
1）寄生串联电阻：rs， 正温度系数；该参数是在电流比较大的情况下提取得到的，在大电流状态下，串联电阻起到了很强的调节电流的作用，由于串联电阻更多的是metal和N+/p+的串联寄生电阻，这些电阻均表现出正的温度系数，所以二极管总的寄生RS也就顺理成章的表现出正温度系数；
2）开启电压：vt，负温度系数，原因是反向饱和电流为正温度系数，在同样的电流条件下，需要的加压必然减小；
3）击穿电压：BV，正温度系数；

三极管（Bipolar，BJT）：
1）正向放大系数：Beta, 正温度系数；
2）基带电压：vbe，负温度系数；

电阻（resistor）：
除了HR-poly之外，基本表现出正温度系数，当然，也存在负温度系数的高阻，以及其他例外的电阻，电阻系列一般以测量为准，表现出什么特性就是什么特性，以测量为准。

电子元件的基本参数及其温度特性