计算机存储器

本文介绍了手机存储器的层次结构,包括主存与辅存的区别,以及按存储方式分类的各种存储器(如RAM、SAM、DAM和相联存储器)。同时涵盖了存储器的可更改性和可保存性,以及半导体元件如MOS管的基本原理。
摘要由CSDN通过智能技术生成

一.存储器的层次结构 

手机的主存 一般是主存,机身存储是辅存。手机从APP存储在辅存里面,辅存的读写速度慢,不能直接跟CPU进行数据交互。想要获取数据,要先从辅存到主存。

二.存储器分类

按存储方式分类                   

  随机存储器(RAM):读写任何一个存储单元所需时间都相同,与存储单元所在的物理位置无关。      顺序存取存储器(SAM):读写一个存储单元所需时间取决于存储单元所在的物理位置(复读机)      直接存取存储器(Direct AccessMemory,DAM):既有随机存取特性,也有顺序存取特性。先直接选取信息所在区域,然后按顺序方式存取。

相联存储器(Associative Memory),即可以按内容访问的存储器(ContentAddressed Memory,CAM)可以按照内容检索到存储位置进行读写,“快表”就是一种相联存储器

信息的可更改性

读写存储器(Read/Write Memory)——即可读、也可写(如:磁盘、内存、Cache)
只读存储器(Read Only Memory)——只能读,不能写(如:实体音乐专辑通常采用 CD-ROM,
实体电影采用蓝光光碟,BIOS通常写在ROM中

信息的可保存性

断电后,存储信息消失的存储器——易失性存储器(主存、Cache)
断电后,存储信息依然保持的存储器——非易失性存储器(磁盘、光盘)

信息读出后,原存储信息被破坏——破坏性读出(如DRAM芯片,读出数据后要进行重写)
信息读出后,原存储信息不被破坏——非破坏性读出(如SRAM芯片、磁盘、光盘)

三.半导体元件及原理

MOS管可理解为一种电控开关,输入电压达到某个阈值时,MOS管就可以接通

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