DAC芯片-LTC2666中文数据手册

LTC2666

八进制16bit/12bit ±10V Vout SoftSpan

具有最大10ppm/°C 精度基准电压源的DACs

LTC2666代码资源详见：

ARM开发DAC芯片基于STM32F4系列标准库的LTC2666源代码资源-CSDN文库

ARM开发DAC芯片基于STM32F4系列HAL库的LTC2666源代码资源-CSDN文库

特征

1. 最大 10ppm/°C 精度的基准电压源
2. 独立可编程输出范围：0V 至 5V、0V 至 10V、±5V、±5V、±10V
3. 全量程16位/12位分辨率
4. 最大INL误差：16位时为±4LSB
5. 通过软件或专用引脚进行A/B切换
6. 8:1 模拟多路复用器
7. 在温度范围内保持单调
8. 可选的内部或外部基准源
9. 输出驱动±10mA
10. 1.8V至5V SPI串行接口
11. 32 引脚（5mm × 5mm）QFN 封装

应用

光网络、仪器、数据采集、自动测试设备、过程控制和工业自动化

概述

LTC®2666 是一个具有集成的精密基准电压源的8通道、16/12bit ±10V数模转换器系列。工作范围内保持单调，并内置轨至轨输出缓冲器。这些 SoftSpan™ DAC 提供高达±10V的五个输出范围。每个通道的量程均可独立编程，也可对部件进行硬件配置，以便在固定范围内工作。

集成的 2.5V 基准电压单独缓冲到每个通道；可选的外部基准电压用于配置额外的量程。LTC2666可通过专用引脚或软件切换命令进行A/B切换。SPI/Microwire兼容型3线串行接口可在低至1.71V的逻辑电平上运行，时钟速率高达50MHz。

原理图

最大额定值

引脚配置

订购信息

电气性能

时间特性

注1：超过绝对最大额定值可能会对器件造成永久性损坏。长时间暴露在任何绝对最大额定值条件下都可能影响设备的可靠性和使用寿命。

注2：所有电压均相对于GND

注3：对于 V-= GND，线性度的定义从代码kL到代码2N-1、其中N为分辨率，kL为不出现输出限制的下限代码。对于VREF=2.5V和N=16，kL=128，线性度定义为从代码128到代码 65,535。对于 VREF=2.5V 和N=12，kL=8，线性度定义为从代码8到代码4095。

注4：4.5V ≤ V+ ≤ 16.5V；-16.5V ≤ V- ≤ -4.5V 或 V- = GND。V-+1.4V≤VOUT ≤V+-1.4V。

注5：直流串扰是在VCC = 5V，使用内部基准电压源条件下测量得到的。按照规定改变一个 DAC通道的条件，并在改变前后测量相邻通道（中量程）的输出。

注6： 该集成电路包含电流限制功能，用于在瞬间过载条件下保护器件。在限流期间，结温可能会超过额定最高值。持续工作温度超过规定的最高工作结温可能会损害器件的可靠性。

注7：温度系数的计算方法是，首先计算输出电压的最大变化与额定输出电压的比率。然后将该比率除以规定的温度范围。

注8：当基准输入电压低于1.25V时，增益误差和双极零误差规格可能会降低。请参阅 "典型性能特性 "部分的增益误差-基准输入和双极零点误差-基准输入曲线。

注9：设计保证，未经生产测试。

注10：内部基准电压源。

注11：I(V+) 以±10V量程测量；输出无负载；所有通道满量程。I(V-) 以±10V量程测量；输出无负载；所有通道为负满量程。每个DAC放大器内部都有一个反馈网络，因此当输出电压偏离0V时，电源电流会增加。

注12：数字输入为 0V 或 IOVCC。

注13：内部基准电压源。负载为2k与100pF并联至GND。

注14：VCC=5V，0V至5V 范围，内部基准电压源。DAC在半量程和半量程-1LSB之间的步进为±1LSB。负载为2k与200pF并联至GND。

注15：DAC-to-DAC串扰是指一个DAC 输出端由于另一个DAC输出端满量程变化而出现的抖动。测试条件为内部基准电压源，0V至10V范围。测量的DAC处于中间量程。

典型性能

引脚说明

MSP2（引脚1）： MSPAN bit 2。将该引脚与VCC或GND连接，可为所有通道（8个）选择上电和上电复位代码（见表4）。

VOUT0至VOUT7（引脚 2、3、4、5、20、21、22、23）： DAC模拟电压输出。

DNC（引脚6、19）：请勿连接。

V+（引脚7）：模拟正电源。通常为15V；电压范围为4.5V至15.75V。使用1μF电容旁路至 GND。

V-（引脚8）：模拟负电源。通常为-15V；电压范围为-4.5V至-15.75V，也可与GND 连接。除非V-连接至GND，否则应使用1μF电容将其旁路至GND。

MUXOUT（引脚9）：模拟多路复用器输出。VOUT0- VOUT7、REFLO、REF、V+、V- 和温度监控器输出可在内部路由至MUXOUT引脚。禁用多路复用器时，该引脚变为高阻抗。

REFLO（引脚10、27）：基准低电平引脚。基准电压源和DAC输出的信号地。这些引脚应与GND连接。

GND（引脚11、29）：模拟地。连接至干净的模拟地。

/LDAC（引脚 12）： 低电平有效异步DAC更新引脚。如果/CS-/LD为高电平，/LDAC的下降沿会立即用输入寄存器的内容更新所有DAC寄存器（类似于软件更新）。如果/CS-/LD为低电平且/LDAC为低电平时，则DAC 寄存器将在/CS-/LD恢复高电平后更新。/LDAC引脚上的低电平会给DAC上电。如果/LDAC为低电平，软件掉电命令将被忽略。逻辑电平由 IOVCC决定。如果不使用，将/LDAC接高电平（至 IOVCC）。然后可通过 SPI 命令执行更新（见表 1）。

/CS-/LD（引脚13）： 串行接口芯片选择/加载输入。/CS-/LD 为低电平时，启用 SCK，将 SDI上的数据移入寄存器。/CS-/LD 为高电平时，SCK禁用，并执行指定命令（见表 1）。逻辑电平由IOVCC决定。

SCK（引脚14）：串行接口时钟输入。逻辑电平由IOVCC 决定。

SDO（引脚15）：串行接口数据输出。32位移位寄存器的串行输出送至SDO引脚上。通过 SDI引脚传输到设备的数据会延迟32个SCK上升沿，然后在下一个下降沿输出。可用于数据回读或菊花链操作（需要上拉/下拉电阻）。/CS-/LD为高电平时，SDO引脚变为高阻抗。逻辑电平由IOVCC决定。

SDI（引脚16）：串行接口数据输入。SDI上的数据在SCK上升沿送入DAC。LTC2666可接受24位或32位的输入字长。逻辑电平由IOVCC决定。

TGP（引脚17）：异步切换引脚。下降沿用输入寄存器A的数据更新DAC寄存器，上升沿用输入寄存器B的数据更新DAC寄存器。切换操作仅影响切换选择位 (Tx)设为1的DAC通道。如果不使用切换操作，则将TGP引脚与GND连接。逻辑电平由IOVCC决定。

/CLR（引脚24）：低电平有效异步清零输入。该引脚（电平触发）输入的逻辑低电平将部件清除至复位代码，复位范围由使用MSPAN引脚选择的硬连线选项确定，并在表4中指定。控制寄存器清零。逻辑电平由IOVCC决定。

IOVCC（引脚18）：数字输入/输出电源电压。1.71V≤IOVCC ≤VCC+0.3V。使用0.1μF电容旁路至GND。

REF（引脚25）：参考输入/输出。REF引脚上的电压设定了所有通道的满量程范围。默认情况下，内部基准被路由至该引脚。在驱动外部直流负载电流时必须进行缓冲。如果禁用基准电压源（请参阅 "操作 "部分的 "基准模式"），其输出将被断开，REF引脚将成为高阻抗输入端，您可以在其上应用精密的外部基准电压源。为获得低噪声和基准稳定性，请在该引脚与GND之间跨接一个电容器。电容值必须小于CREFCOMP，其中CREFCOMP是与REFCOMP引脚跨接的电容。允许的外部基准输入电压范围为0.5V至VCC-1.75V。

REFCOMP（引脚26）：内部基准补偿引脚。为获得低噪声和基准稳定性，请将一个0.1μF电容器跨接至GND。将REFCOMP与GND 连接会使设备在上电时禁用内部基准，从而允许启动时使用外部基准。

VCC（引脚28）：模拟电源电压输入。4.5V≤VCC≤5.5V。用1μF电容旁路至GND。

/OVRTMP（引脚30）：热保护中断引脚。当芯片温度超过160°C时，该N沟道开漏输出拉低。该引脚在下一个/CS-/LD上升沿释放。需要一个上拉电阻。

MSP0（引脚31）： MSPAN bit0。将该引脚与VCC或GND连接，可为所有8个通道选择上电和上电复位代码（见表4）。

MSP1（引脚32）： MSPAN bit1。将该引脚与VCC或GND相连，可为所有8个通道选择上电和开机复位代码（参见表4）。

裸露焊盘（引脚33）：模拟负电源 (V-)。必须焊接到PCB上。

时序图

原理

LTC2666是一个集成了精密基准电压源，具备可选输出范围的8通道、±10V数模转换器系列。DAC采用正5V和双极±15V电源供电。双极性电源的工作电压可低至±4.5V，且无需对称。此外，负V-电源可以接地工作，从而使这些器件与单电源系统兼容。输出由双极电源轨驱动。

输出放大器提供真正的轨至轨操作。当从V+或V-轨引出负载电流时，相对于该轨的输出电压余度受到输出器件60Ω典型通道电阻的限制。请参阅 "典型性能特性"部分中的"轨输出电压余度与输出电流"图表。LTC2666采用具有数据回读功能的可级联3线SPI/ Microwire兼容接口进行控制。

上电复位

首次上电时输出复位，使系统初始化一致且可重复。通过将MSPAN引脚（MSP2、MSP1、MSP0）与 GND和/或VCC连接，可以选择初始输出范围和复位代码（零或中量程），还可以在手动（固定）范围和SoftSpan操作之间进行选择。有关引脚配置和可用选项，请参见表 4。

电源顺序和启动

电源（VCC、IOVCC、V+ 和 V-）无上电顺序要求。如果使用外部基准电压源，在电源接通和关断过程中，REF输入电压不得高于VCC+0.3V（参见绝对最大额定值部分）。启动后，可接受0.5V至VCC-1.75V的直流基准电压。电源旁路对于实现最佳性能至关重要。在VCC、V+ 和V-电源上使用至少1μF的接地电容，在每个电源上使用至少0.1μF的低ESR电容，尽可能靠近器件。IOVCC可省去较大的电容。应避免电源的热插拔或硬开关，因为电源电缆或布线电感加上旁路电容会导致电源电压瞬态超过绝对最大额定值，即使电源已仔细进行了电流/电压限制。在启动期间，应将电源浪涌电流限制在不超过5A的范围内，并将电源转换率限制在不超过5V/μs的范围内。如果达不到这些要求，内部保护电路可能会损坏，长期可靠性也会受到不利影响。

DAC 传输函数

DAC输入输出传递函数（适用于所有输出范围和分辨率）如图2a和图2b所示。输入代码均为二进制格式。

串行接口

/CS-/LD引脚为低电平时，SDI引脚上的数据就会在时钟（SCK引脚）上升沿加载到移位寄存器中。首先加载的是4位命令（C3-C0），然后是4位DAC地址（A3-A0），最后是移位寄存器中的16位数据字。对于LTC2666-16，数据字由MSB至LSB排序的16位输入代码组成。对于LTC2666-12，数据字由MSB至LSB排序的12位输入代码组成，后接4个无关位。数据只有在/CS-/LD 信号为低电平时才能传输到LTC2666。在/CS-/LD上升沿，结束数据传输，芯片执行24位输入字中指定的操作。完整序列如图3a所示。

虽然最小输入字是24位，但也可以选择扩展到32位。要使用32位字宽，必须先向设备传输8个无关位，然后再传输24位字，如上所述。图 3b 所示为32位字宽时序。数据回读和菊花链操作需要32位字，同时，32位字也可用于最小字宽为16位或更多位的处理器。

输入和 DAC 寄存器

除了主移位寄存器之外，LTC2666还为每个DAC配备了5个内部寄存器（参见原理图）。每个DAC通道有两组双缓冲寄存器：一组用于代码数据，另一组用于DAC的跨度（输出范围）。双缓冲配置可同时更新量程和代码、 这样就能在改变输出范围时实现平稳的电压转换。它还允许同时更新多个DAC。

每组双缓冲寄存器由1个输入寄存器和1个DAC寄存器组成：

1. 输入寄存器：写操作将数据从SDI引脚转移到所选的输入寄存器中。输入寄存器是保持缓冲器；写操作不会影响DAC输出。在代码数据路径中，每个DAC寄存器都有两个输入寄存器A和B。寄存器B是仅在切换操作中使用的备用输入寄存器，而寄存器A是默认输入寄存器（见原理图）。
2. DAC寄存器：更新操作将输入寄存器的内容复制到相关的DAC寄存器。DAC寄存器的内容直接控制DAC 输出电压或范围。如果所选DAC 处于掉电模式，更新操作也会为其上电。数据路径和寄存器如原理图所示。

请注意，更新总是同时刷新代码和跨度数据，但DAC寄存器中的值保持不变，除非相关输入寄存器的值已通过写入操作进行了更改。例如，如果写入一个新代码并更新通道，代码会被更新，而跨度会被刷新但保持不变。通道更新可以来自串行更新命令、/LDAC负脉冲或切换操作。

输出范围

LTC2666是一款具有可选输出范围的8通道DAC。量程既可以通过软件编程，也可以通过引脚硬连接。

软件编程量程操作

将所有三个MSPAN引脚（MSP2、MSP1和MSP0）连接VCC（见表4），即可启动软件编程量程操作（通过串行接口控制量程）。在SoftSpan配置中，上电时所有通道初始化为0V至5V范围内的零量程。然后，每个通道的量程和代码均可完全编程。

每个通道都有一组用于量程信息的双缓冲寄存器（见原理图）。使用Write Span n 或 Write Span All命令（分别为0110b和1110b）对量程输入寄存器进行编程。图4显示了语法，表3显示了跨度代码和范围。

与双缓冲代码寄存器一样，更新操作将跨度输入寄存器复制到相关的跨度DAC寄存器。

手动量程操作

并非所有应用都需要多个输出范围。通过将MSPAN引脚（MSP2、MSP1 和 MSP0）与 GND和/或VCC连接，可以对任何输出范围进行硬件配置，而无需额外的操作。单极模式还提供零量程和中量程复位选项（见表 4）。

模拟多路复用器

LTC2666包括一个模拟多路复用器 (mux)，用于测量选定的器件电压。通过使用Mux 命令 (1011b) 以及表5 中指定的控制代码，可将多路复用器的输入选择到MUXOUT引脚。除了单个DAC 输出外，还可选择其他几个引脚电压，包括 REF、REFLO 和每个高电平（V+ 和V-）。

此外，还可为MUXOUT选择偏置温度监控二极管。典型的预期电压为VMUXOUT=1.4V-3.7mV/°C *(TJ - 25°C)。结温的计算公式为 TJ = 25°C + (1.4V - VMUXOUT)/(3.7mV/°C) 。为获得最佳精度，请使用多路复用器在二极管底部检测REFLO，并在已知温度下校准电压。典型的未校准精度为±5°C。多路复用器仅用于高阻抗输入。MUXOUT引脚的连续直流输出电流必须限制在±1mA以免损坏内部电路。

       复用器的输出电压范围为V-至V+ -1.4V，but the channel that carries the V+ supply pulls all the way to V+。MUXOUT在上电时禁用（高阻抗）。

Mux命令的语法和代码如图5和表5所示。

切换操作

有些系统要求DAC 输出在两个电平之间重复切换。例如，引入一个小的交流偏置，或在 "开 "和 "关 "状态之间独立切换。LTC2666的切换功能通过为每个DAC通道提供两个输入寄存器（A和B）来促进此类操作。

       A和B之间的切换由3个信号控制。第一个是切换选择命令，该命令作用于一个8位的数据字段，每个数据字段控制一个通道（见图6）。第二个是全局切换命令，它使用全局切换位TGB控制所有选定通道（见图7）。最后，TGP引脚允许使用外部时钟或逻辑信号在A 和B之间切换DAC输出。如果不需要切换功能，可将TGP（引脚20）接地，并将切换选择寄存器保持在上电复位状态（清零）。此时，输入寄存器A将作为唯一的输入寄存器，而寄存器B将不再使用。

切换选择寄存器 (TSR)

切换选择命令 (1100b) 语法如图6所示。16位TSR数据字段中的每一位都控制同名的 DAC通道：T0 控制通道 0，T1 控制通道 1...，Tx 控制通道x。首先，每个切换选择位控制哪个输入寄存器（A或B）从写代码操作中接收数据。当给定通道的切换选择位为高电平时，写代码操作被定向到所寻址通道的输入寄存器B。其次，每个切换选择位都会启用相应通道进行切换操作。

写入输入寄存器A和B

选定要切换的通道后，将所选通道的代码写入输入寄存器A，然后使用切换选择命令设置通道的切换选择位，最后将所选代码写入输入寄存器B。例如，要设置通道3在代码4096 和4200之间切换：

1）将代码通道 3（代码 = 4096）写入寄存器 A 00000011 00010000 00000000

2）切换选择（设置位 T3） 11000000 00000000 00001000

3）将代码通道 3（代码 = 4200）写入寄存器 B 00000011 00010000 01101000

步骤（3）的写入代码指向寄存器 B，因为在步骤（2）中，位 T3 被设置为 1。现在，通道 3 的输入寄存器 A 和寄存器 B 保存了两个所需的代码，可以进行切换操作。

在寄存器A和B之间切换

写入所有所需通道的输入寄存器A和B，并将相应的切换选择位设置为高电平（如上一示例）后，即可切换通道。

LTC2666 支持三种类型的切换操作：第一种类型是使用 SPI 端口将所有选定通道一起切换；第二种类型是使用外部时钟或逻辑信号将所有选定通道一起切换；第三种类型是可指示任何通道组合从输入寄存器A或B进行更新。要使用 SPI 端口同时切换所有选定通道，必须确保TGP引脚为高电平，并且切换选择寄存器中与所需通道相对应的位也为高电平。使用全局切换命令 (1101b) 交替使用代码，依次改变全局切换位TGB（见图 6）。将TGB 从 1改为0，可从各自的输入寄存器A更新DAC寄存器；将TGB从0改为1，可从各自的输入寄存器B更新DAC寄存器。

       要使用外部逻辑信号切换所有选定通道，应确保全局切换寄存器中的TGB 位为高电平，并且切换选择寄存器中与所需通道相对应的位也为高电平。在TGP引脚上应用时钟或逻辑信号以交替编码。注意：一旦输入寄存器设置完毕，所有切换均由应用于TGP引脚的信号触发，无需进一步SPI指令。要使任何通道组合从输入寄存器A或B更新，必须确保TGP 引脚为高电平，并且全局切换寄存器中的TGB 位也为高电平。使用切换选择命令，根据需要设置切换选择位，以选择要更新各通道的输入寄存器（A或B）。然后使用串行命令 (1001b) 或向LDAC(——————)引脚施加负脉冲更新所有通道。任何切换选择位为0的通道都从输入寄存器A 更新，而切换选择位为1的通道则从输入寄存器 B 更新（见图 8）。通过交替进行切换选择和更新操作，可根据需要将多达8个通道同时切换到A或B。

菊花链操作

移位寄存器的串行输出送至SDO引脚。从SDI输入传输到设备的数据会延迟32个SCK 上升沿，然后在下一个SCK下降沿输出，以便在下一个32个SCK上升沿将时钟输入微处理器。SDO输出可用于从单个三线串行端口（即 SCK、SDI 和/CS-/LD）控制多个串行设备。通过将每个上游设备的SDO连接到串行链中下一个设备的SDI，即可配置这样的菊花链系列。这样，设备的移位寄存器串联在一起，有效地形成了一个贯穿整个链的单输入移位寄存器。因此，只需将设备的输入字串联起来，就能对设备进行单独寻址和控制；第一条指令寻址链中的最后一个设备，以此类推。SCK和/CS-/LD 信号对系列中的所有设备都是通用的。使用时，/CS-/LD 首先被置低。然后，使用第一个设备的SDI作为数据输入，将串联输入数据传输到链中。数据传输完成后，/CS-/LD 变为高电平，同时完成所有设备的指令序列。单个设备可通过对链中所有其他设备使用无操作指令 (1111) 进行控制。

/CS-/LD为高电平时，SDO引脚输出高阻抗，因此每个器件（最后一个除外）的 SDO 上都需要一个上拉电阻，以实现菊花链操作。

SPI菊花链详见：SPI菊花链原理和配置-CSDN博客

回声回读

SDO引脚可用于验证向器件传输的数据。在每个 32 位指令周期内，SDO会输出前一个32 位指令，以供验证。/CS-/LD 为高电平时，SDO输出高阻抗，释放总线供其他SPI 器件使用。

掉电模式

       对于功耗受限的应用，只要DAC输出通道少于8个，就可以使用掉电模式来降低电源电流。在掉电模式下，输出放大器和基准缓冲器被禁用。DAC输出处于高阻抗状态，输出引脚通过单个39k电阻无源接地。掉电期间，寄存器内容不会受到干扰。任何通道或通道组合都可以通过使用命令0100b和相应的DAC地址进入掉电模式。此外，还可使用掉电命令0101b将所有DAC通道和集成基准电压源一起置于掉电模式。所有掉电命令均忽略16位数据字。

通过执行任何包含DAC更新的命令（如表1 所示，在软件中执行）、将异步 /LDAC 引脚置低或切换（参见 "切换操作类型 "部分），即可恢复正常运行。所选DAC在更新其电压输出时将上电。更新掉电的DAC时，需要增加等待时间，以适应额外的上电延迟。如果通道在更新命令之前已断电（命令 0100b），则上电延迟时间为30μs。反之，如果芯片已断电（命令 0101b），则上电延迟时间为35μs。

使用 /LDAC 进行异步 DAC 更新

除了表 1 所示的更新命令外，异步、低电平有效的/LDAC引脚还可根据输入寄存器的内容更新所有8个DAC寄存器。如果/CS-/LD为高电平，则/LDAC引脚上的低电平会导致所有DAC寄存器根据输入寄存器的内容进行更新。

如果/CS-/LD为低电平，则在/CS-/LD上升沿之前，/LDAC引脚上的低电平脉冲会为所有 DAC 输出供电，但不会导致输出更新。如果/CS-/LD上升沿后/LDAC保持低电平，则 /LDAC被识别，24 位字中指定的命令被执行，DAC输出被更新。

当/LDAC为低电平时，DAC 输出上电，与/CS-/LD的状态无关。

如果/LDAC在/CS-/LD变为高电平时为低电平，则输入字中指定的任何软件掉电命令（掉电 n、掉电芯片、配置/选择外部基准）都会被抑制。

基准模式

       LTC2666 有两种基准模式（内部和外部）可供选择。在这两种模式中，REF引脚上的电压和输出范围设置决定了每个通道的满量程电压。

该器件有一个精度为2.5V的集成基准电压源，典型温度漂移为2ppm/°C。要使用内部基准，REFCOMP引脚应保持浮动（无直流接地路径）。此外，配置寄存器中的RD位必须为 0。图9显示了命令语法。

如果内部基准要驱动外部电路，则需要一个缓冲器。为了保证基准稳定性和低噪声，应在REFCOMP和GND之间跨接一个0.1μF的电容。在这种配置下，内部基准可以驱动高达0.1μF的电路，且稳定性极佳。为确保稳定运行，REF引脚上的电容负载不应超过REFCOMP 引脚上的电容负载。

要使用外部基准，可将REFCOMP引脚接地。这将在启动时，禁用内部基准的输出，从而使REF引脚成为高阻抗输入。开机后在REF引脚上施加所需的基准电压，并使用配置命令（0111b）将RD位设为1。这样可将VCC电源电流减少约200μA。可接受的外部基准电压范围为0.5V≤VREF≤VCC-1.75V。

集成基准缓冲器

每个通道都有自己的集成式高性能基准缓冲器。缓冲器具有极高的输入阻抗，不会对基准电压源造成负载。这些缓冲器可防止基准电压源受到DAC开关造成的闪烁影响，从而最大限度地减少DAC到DAC的动态串扰。通常，DAC-to-DAC串扰小于3.5nV*s（0V至10V 范围）。请参阅典型性能特性部分的DAC-DAC串扰图。

电压输出

       放大器在各种负载条件下保持额定电压精度的能力取决于其负载调节规格。输出电压的变化是强制负载电流变化1mA测量的。LTC2666的每款高压、轨至轨输出放大器在供电或供电电流高达10mA且电源余度低至1.4V时都能保证负载稳压。此外，如果可用电压余度提高到2.2V或更高，放大器还能驱动高达±14mA的电流。

直流输出阻抗等同于负载调节，只需计算从μV/mA到欧姆的单位变化即可得出。在驱动远离导轨的负载时，放大器的直流输出阻抗通常为0.08Ω。

当从任一轨输出负载电流时，相对于该轨的输出电压余度受限于输出器件通道电阻的典型值（60Ω），例如，当输出电流为1mA 时，最小输出电压（高于 V-）为60Ω*1mA = 60mV。请参阅 "典型性能特性 "部分中的 "导轨余度 "与 "输出电流 "曲线图。放大器可稳定驱动高达1000pF的电容性负载。

热过载保护

如果芯片温度超过 160°C，LTC2666就会自我保护。所有通道断电，开漏/OVRTMP中断引脚拉低。基准电压源和偏置电路保持上电。一旦触发，器件即使在芯片冷却后也会保持关机状态。芯片温度必须降至约150°C后，通道才能恢复正常工作。一旦芯片充分冷却，即可通过任何有效的更新操作（包括/LDAC或切换操作）清除关断。无论芯片温度如何，/CS-/LD 上升沿都会释放/OVRTMP引脚。由于器件的总负载电流很容易超过50mA，因此应仔细评估系统设计的芯片发热潜力。可使用低至1k的接地负载，且不会导致过热。可以使用配置命令设置TS位来禁用热保护（见图9）。

电路板布局

这些器件之所以具有出色的负载调节和直流串扰性能，部分原因在于最大限度地降低了信号和电源接地的共模电阻。与任何高分辨率转换器一样，干净的PCB接地非常重要。低阻抗模拟接地平面和星形接地技术都是必要的。保持用于星形接地的电路板层连续，以尽量减少接地电阻；也就是说，使用星形接地概念而不使用单独的星形迹线。从REFLO引脚到星形点之间的电阻应尽可能小。为获得最佳性能，可在接地层上以150至200mil为中心拼接数组通孔，将其与其他电路板层的接地浇注相连。这样可以降低整体接地电阻，最大限度地减小接地环路面积。

在5V单电源系统中使用LTC2666

只需将V-引脚和REFLO接地，同时将V+和VCC连接至5V电源，即可在单电源系统中使用 LTC2666。IOVCC可以连接到5V电源，如果低于5V，则连接到逻辑电源电压。

使用内部基准时，输出范围为0V至5V。与任何轨至轨器件一样，输出电压仅限于电源范围内的电压。由于设备的输出不能低于地面，因此可能会在最低代码处出现限制，如图 10b所示。同样，如果满量程误差 (FSE=VOS+GE) 为正值，或者V+ < 2 * VREF，则在接近满量程时会出现限制。参见图10c。

多路复用器可以使用且功能齐全。它可以一直将电压拉到地，但由于上限值的限制，它只能用于3.6V或更低的输出电压（V+ = 5V）。使用外部基准可以提供更大的灵活性。例如，通过使用1.25V基准电压（如LTC6655），我们现在可以在0x至2x和0x至4x范围之间进行选择，从而分别获得2.5V和5V的满量程电压。此外，还可对该器件进行配置，以复位至零或中量程代码（请参阅 "输出范围 "部分）。

封装

典型应用