datasheet芯片数据手册—新手入门学习（一）【1-7】

ITC小浪花、

已于 2024-05-23 16:01:01 修改

阅读量1.1k

点赞数 29

分类专栏： ALPG存储器测试文章标签：嵌入式硬件单片机学习

于 2024-05-14 17:16:17 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/qq_50998481/article/details/138845056

版权

ALPG存储器测试专栏收录该内容

7 篇文章 4 订阅

订阅专栏

1、内容介绍

2、Feature

3、Part Numbering Information

4、Architecture

5、Addressing&Memory Mapping

（2）NAND Flash 准备/忙碌信号配置图

（3）信号边沿上升时间和下降时间特性图

（4）低电平电流与电阻特性图

（5）上拉电阻对时间常数影响图

（6）NAND Flash操作模式选择真值表

datasheet芯片数据手册—新手入门学习（二）【8-18】

参考芯片手册已经上传，可自行下载

数据手册（datasheet），也称为技术手册或规格说明书，是一种详细描述电子元件或产品的技术规格、性能指标、使用方式和设计要求的文档。数据手册对于工程师、技术人员和设计师来说非常重要，因为它提供了必要的信息来设计和使用电子元件。

数据手册可以是纸质的，也可以是电子形式，如PDF文件。它们通常由元件制造商提供，并且可以在制造商的网站上找到。对于工程师来说，理解数据手册中提供的信息对于确保元件在设计中正确和安全地使用至关重要。

本文以NAND Flash Memory（NAND闪存） DataSheet做简要说明学习。

1、内容介绍

本文主要介绍下方红色标题内容

Features(特性或特点)：一般概述了产品的主要优势和技术规格。

Part Numbering Information (部件编号信息)：这一部分通常包含如何识别不同NAND闪存部件的信息，包括它们的型号、版本和任何特定的标识符。

General Description (一般描述)：这里会提供NAND闪存的概述，可能包括它的用途、主要特点和优势。

Architecture (架构)：详细介绍NAND闪存的内部结构，包括它的组织方式和如何管理数据。

Addressing (寻址)：解释如何对NAND闪存中的数据进行寻址，即如何指定和访问存储在闪存中的特定数据。

Memory Mapping (内存映射)：描述如何将NAND闪存映射到系统的内存地址空间中，允许像访问RAM一样的访问方式。

Array Organization (数组组织)：介绍NAND闪存中数据的物理布局，包括块、页和平面的组织方式。

Bus Operation (总线操作)：涉及NAND闪存与系统总线之间的通信协议和时序要求。

Command Definitions (命令定义)：列出NAND闪存支持的所有命令，以及每个命令的功能和用法。

Error Management (错误管理)：介绍NAND闪存在操作过程中如何处理错误，可能包括纠错码(ECC)和其他机制。

Electrical Characteristics (电气特性)：提供NAND闪存的电气参数，如电压、电流、耐压等。

Timing Diagrams (时序图)：展示NAND闪存在不同操作下的时序要求，对于确保系统兼容性至关重要。

Package Dimensions (封装尺寸)：描述NAND闪存的物理封装类型和尺寸，这对于物理设计和安装非常重要。

2、Feature

特征

在查看NAND Flash Memory的数据手册中的"Features"（特性）部分时，以下是一些关键点，通常工程师和技术人员会特别关注：

存储技术类型

这里指出使用的是单层单元（SLC）技术，它通常提供比多层单元（MLC、TLC、QLC）更高的性能和耐久性。

组织结构

页面大小：每个页面的数据量，这里指2,112字节，包括数据和额外的存储空间。
块大小：由64个页面组成，这里是128KB的数据加上4KB的额外空间。
平面大小：一个平面包含的块数，这里是2,048块。
设备大小：不同存储容量的设备所包含的块数，如4Gb设备有4,096块。

读取性能

随机读取：随机访问数据的最大延迟时间是25微秒。
顺序读取：连续访问数据的最小延迟时间是25纳秒。

写入性能

页面编程：写入一个页面的典型时间是220微秒。
块擦除：擦除一个块的典型时间是1.5毫秒。

数据保持：数据在无电源情况下能够保留的时间，这里是10年。

耐久性：NAND Flash能够承受的编程/擦除周期数量，这里是100,000次。

首块保证：第一个块（块地址00h）保证在1,000次编程/擦除周期内有效。

命令集

基本命令集：符合工业标准的NAND Flash命令集。
高级命令集：包括页面编程缓存模式、页面读取缓存模式、一次性可编程（OTP）命令、双平面命令、交错芯片操作、读取唯一ID和读取ID2等。

操作状态：通过操作状态字节可以软件方式检测操作是否完成、是否成功以及写保护状态。

硬件检测：准备/忙碌信号（R/B#）提供硬件方法来检测操作是否完成。

写保护：WP#信号可以用于整个设备的写保护。

复位要求：上电后需要进行复位。

内部数据移动：支持在读取数据的平面内进行数据移动操作。

芯片图：48引脚 TSOP 类型1封装

Options (选项)

Density (密度)
4Gb (single die) (4Gb，单芯片)
8Gb (dual-die stack 1 CE#) (8Gb，双芯片堆叠，1个CE#)
8Gb (dual-die stack 2 CE#) (8Gb，双芯片堆叠，2个CE#)
16Gb (quad-die stack) (16Gb，四芯片堆叠)

这里提到的“CE#”可能指的是片选信号（Chip Enable），用于控制对芯片的访问。

Device width (设备宽度)

x8 (8位数据宽度)

Configuration (配置)

# of die # of CE#   # of R/B # I/O
1 (单个芯片) 1 (单个CE#) 1 (通常表示“Ready/Busy”信号) Common (共用)
2 (双芯片) 1 1 Common (共用)
2 (双芯片)   2 (双CE#) 2 Common (共用)
4 (四芯片)   2 2 Common (共用)

Vcc (电源电压)

2.7-3.6V

Package (封装)

48 TSOP type I (lead-free plating) (48引脚TSOP类型1封装，无铅镀层)
48 TSOP type I OCPL3 (lead-free plating) (48引脚TSOP类型1 OCPL3封装，无铅镀层)
OCPL = off-center parting line (偏置分割线)

Operating temperature (工作温度)

Commercial (0°C to +70°C) (商用级，0°C至+70°C)
Extended (-40°C to +85°C) (扩展级，-40°C至+85°C)
For ET devices, contact factory. (对于ET设备，请联系工厂)

Notes (注释)

OCPL = off-center parting line. (OCPL = 偏置分割线。)
For ET devices, contact factory. (对于ET设备，请联系工厂。)

3、Part Numbering Information

部件编号信息

MT

这是美光科技NAND Flash Memory产品系列的型号前缀。

Design Revision (设计修订版)

A = First Revision (首次修订)

Product Family (产品家族)

29F = Single-Supply NAND Flash Memory (单电源NAND闪存)

Production Status (生产状态)

Blank = Production (空白表示生产状态，即常规生产中的部件)

Density (密度)

4G = 4Gb (吉字节)
8G = 8Gb
16G = 16Gb
ES = Engineering Sample (工程样品)
MS = Mechanical Sample (机械样品)
QS = Qualification Sample (合格样品)

Operating Temperature Range (工作温度范围)

Blank = Commercial (0°C to +70°C) (商用级，0°C至+70°C)
ET = Extended (-40°C to +85°C) (扩展级，-40°C至+85°C)

Device Width (设备宽度)

08 = 8 bits (8位)

Classification (分类)

这一部分在部件编号中是保留供将来使用的。

# of die || # of CE# || # of R/B#

这些可能是部件编号中用于指定芯片数量、片选信号(CE#)数量和准备/忙碌(R/B)信号数量的占位符。

Flash Performance (闪存性能)

Blank = Standard (空白表示标准性能)
2 = 可能表示某种特定的性能等级或特性

Package Code (封装代码)

WP = 48-pin TSOP I (lead-free) (48引脚TSOP I型封装，无铅)
WC = 48-pin TSOP I OCPL (lead-free) (48引脚TSOP I OCPL封装，无铅)

Operating Voltage Range (操作电压范围)

A = 3.3V (2.70-3.60V) (3.3伏，工作电压范围2.70至3.60伏)

Feature Set (功能集)

A = Feature Set A (功能集A)

4、Architecture

架构

I/O (输入/输出): 这是数据传输的物理接口，允许外部系统通过它发送命令、地址和数据到NAND Flash设备，以及从设备接收数据。

Control (控制): 控制单元负责解析和执行通过I/O接口接收的命令。

Address Register (地址寄存器): 用于存储当前操作的地址信息，这些地址信息用于定位NAND Flash阵列中的数据。

Status Register (状态寄存器): 包含设备的状态信息，如操作是否成功完成，是否有错误发生等。

Command Register (命令寄存器): 存储和保持发送到设备的命令，这些命令指导NAND Flash执行特定的操作，如读取、写入或擦除。

CE# (Chip Enable, 芯片使能): 控制对NAND Flash芯片的整体访问，启用或禁用芯片。

CLE (Command Latch Enable, 命令锁存使能): 用于在命令寄存器中锁存命令。

ALE (Address Latch Enable, 地址锁存使能): 用于在地址寄存器中锁存地址。

Row Decode (行解码): 根据提供的行地址选择NAND Flash阵列中的特定行（块）。

Column Decode (列解码): 根据列地址选择特定行中的特定列（页）。

Data Register (数据寄存器): 临时存储通过I/O接口传输的数据。

Cache Register (缓存寄存器): 存储最近访问的数据，以加快数据访问速度。

NAND Flash Array (NAND Flash阵列): NAND Flash设备的核心，由多个存储单元组成，以页和块的形式组织数据。

WE# (Write Enable, 写使能): 控制写操作的启动。

RE# (Read Enable, 读使能): 控制读操作的启动。

WP# (Write Protect, 写保护): 防止对NAND Flash的写入操作。

R/B# (Ready/Busy, 准备/忙碌): 指示设备是否准备好接收命令或正在执行操作。

5、Addressing&Memory Mapping

寻址方式和内存映射布局

Blocks (块):

对于4Gb和8Gb容量的设备，使用地址线的BA[17:6]来寻址，共有4,095个块。
对于8Gb单芯片选择（1 CE#）和16Gb容量的设备，使用地址线的BA[18:6]来寻址。
对于8Gb双芯片选择（2 CE#）的设备，每个CE#有4,096个块。
对于8Gb单CE#和16Gb设备，每个CE#有8,192个块。

Pages (页):

页地址（PA）使用地址线的PA[5:0]来寻址。这意味着每块内有2^(5+1) = 64个页。

Bytes (字节):

每个页包含2,048字节的数据存储区域（通常表示为2.047，这里的小数点可能是打印错误）和2,111字节的备用区域（Spare area）。

Column Address (列地址):

列地址（CA）使用地址线的CA[11:0]来寻址页内的字节。这允许在一个页内定位特定的字节。

Spare Area (备用区域):

备用区域通常用于存储与数据页相关的元数据，如ECC（错误校正码）信息。
内存映射图是理解和使用NAND Flash设备的关键，因为它定义了数据在设备内部的物理布局。

6、Array Organization

数组组织

（1）阵列组织

Cache Register (缓存寄存器):

缓存寄存器用于临时存储数据，以提高数据访问速度。图中显示缓存寄存器可以存储2,112字节。

Data Register (数据寄存器):

数据寄存器是用于存储即将写入NAND Flash或从NAND Flash读取的数据。图中显示数据寄存器的大小也是2,048字节加上64字节的额外空间。

页面和块的组织:

1个页面（Page）由2,048字节的数据区域和64字节的备用区域组成，总共2,112字节。
1个块（Block）由64个页面组成，因此块的大小是(128KB + 4KB)，即132KB。

平面和设备的组织:

每个平面（Plane）包含2,048个块，因此每个平面的存储容量是(128KB + 4KB) * 2,048，即2,112MB。
1个设备（Device）包含2个平面，因此设备的总存储容量是2,112MB * 2，即4,224MB。块的分布:
在图中，阵列被分为偶数编号块（如0, 2, 4, 6, ..., 4,092, 4,094）和奇数编号块（如1, 3, 5, 7, ..., 4,093, 4,095）。
这种分布可能与NAND Flash的物理布局或操作特性有关。

注释:

对于8Gb容量的MT29F8G08DAA设备，图中所示的4Gb阵列组织适用于每个芯片使能信号（CE#和CE2#）。

这张图说明了NAND Flash设备的内部结构，包括缓存寄存器、数据寄存器、页面、块、平面和整个设备的数据容量。了解这种组织方式对于优化数据存储、读取和写入操作非常重要，尤其是对于需要管理大量数据或执行复杂数据管理任务的系统设计者和工程师来说。

（2）阵列寻址

这张表描述了MT29F4G08AAA和MT29F8G08DAA NAND Flash设备的阵列寻址（Array Addressing）方案。它详细列出了如何通过一系列的地址周期（Cycle）来构建实际的页地址。以下是对表中信息的解释：

阵列寻址周期：

第一周期 (First):

包含列地址（Column Address）的最低位，即CA7到CA0。

第二周期 (Second):

这一周期的高四位是低电平（LOW），接下来的四位是列地址的CA11到CA8。

第三周期 (Third):

包含页地址（Page Address）的PA5到PA0，以及列地址的PA1到PA0。

第四周期 (Fourth):

包含块地址（Block Address）的BA15到BA8。

第五周期 (Fifth):

这一周期的前五位是低电平（LOW），最后两位是块地址的BA17和BA16。

说明和注意事项：

块地址与页地址的组合:

块地址（BAx）与页地址（PAx）组合起来形成实际的页地址。

列地址的约束:

如果列地址的CA11是"1"，则CA[10:6]必须为"0"。这表明在寻址过程中，某些列地址位的值会相互约束。

这张表对于理解和编程NAND Flash设备至关重要，因为它定义了如何通过一系列的地址周期来定位存储器中的特定页。这对于执行数据的读取、写入和擦除操作是必需的。通过遵循这个寻址方案，开发者可以确保数据被正确地存储在NAND Flash设备的预期位置。

7、Bus Operation

总线操作&翻译

（1）控制信号

1、CLE (Chip Lock Enable): 这个信号用于锁定地址寄存器。在某些存储设备中，它允许在写入或擦除操作之前锁定地址。

低电平 (LOW): 通常在命令周期之外的时候保持低电平，当不在加载命令信息时，CLE应被驱动为低电平。
高电平 (HIGH): 表示正在进行命令周期。命令信息从I/O引脚传输到芯片上的命令寄存器，这通常发生在WE#的上升沿期间。

2、ALE (Address Latch Enable): 这个信号用于锁存地址信息。

低电平 (LOW): 通常在地址输入周期之外的时候保持低电平，当不在加载地址信息时，ALE应被驱动为低电平。
高电平 (HIGH): 表示正在进行地址输入周期。这通常发生在WE#的上升沿期间。

3、CE# (Chip Enable, active low): 这个信号用于使能或禁用整个芯片。

低电平 (LOW): 设备被激活。当CE#为低电平时，如果设备不在忙状态（busy state），NAND Flash存储器将接受命令、地址和数据信息。
高电平 (HIGH): 设备进入待机模式（standby mode）。当设备没有执行操作时，CE#引脚通常被驱动为高电平。如果CE#在数据传输期间变为高电平，并且设备不忙，存储器将进入待机模式，这有助于减少功耗。

4、WE# (Write Enable, active low): 这个信号用于允许写入操作。

低电平 (LOW): 允许写操作。WE#为低电平时，设备准备接受数据写入。
高电平 (HIGH): 禁止写操作。WE#为高电平时，写操作被禁用。

5、RE# (Read Enable, active low): 这个信号用于允许读取操作。

低电平 (LOW): 允许读操作。RE#为低电平时，设备准备输出数据以供读取。
高电平 (HIGH): 禁止读操作。RE#为高电平时，读操作被禁用。

6、WP# (Write Protect, active low): 这个信号用于保护存储设备免受写入操作。

低电平 (LOW): 使能写保护，防止数据被写入，所有编程和擦除操作都被禁用。
高电平 (HIGH):设备不会处于写保护状态，因此可以进行编程（PROGRAM）和擦除（ERASE）操作。

在电子设备中，高电平和低电平的确切定义可能依赖于具体的电压范围，这些电压范围被称为逻辑高电平（VIH）和逻辑低电平（VIL）。在CMOS技术中，逻辑高电平通常是指接近供电电压的电压，而逻辑低电平则是指接近0V的电压。

总线操作

MT29Fxxx设备上的总线是多路复用的。数据I/O、地址和命令都共享相同的引脚，即I/O[7:0]。命令序列通常由一个命令锁存周期、地址输入周期和1个或多个数据周期组成——可以是读取或写入。

控制信号

CE#、WE#、RE#、CLE、ALE和WP#控制NAND Flash设备的读取和写入操作。在8Gb MT29F8G08DAA上，CE#和CE2#各自控制独立的4Gb阵列。在16Gb MT29F16G08FAA上，CE#和CE2#各自控制独立的8Gb阵列。
CE2#的功能与其对应的CE#相同；适用于CE#的所有操作也适用于CE2#。 CE#用于启用设备。
当CE#为低电平，且设备不在忙碌状态时，NAND Flash存储器将接受命令、地址和数据信息。 当设备不执行操作时，CE#引脚通常驱动为高电平，设备进入待机模式。如果CE#在数据传输期间变为高电平，且设备不忙碌，存储器将进入待机状态。这有助于减少功耗。
CE#“无关”操作允许NAND Flash位于与其他Flash或SRAM设备相同的异步存储总线上。然后，当NAND Flash忙于内部操作时，可以访问其他存储器总线上的设备。这种能力对于需要在同一总线上使用多个NAND Flash设备的设计方案很重要。
高电平CLE信号表示正在进行命令周期。高电平ALE信号表示正在进行地址输入周期。

命令

当以下条件满足时，命令被写入命令寄存器，位于WE#的上升沿：

CE#和ALE为低，且
CLE为高，且
设备不忙碌

作为例外，设备在忙碌时也接受读取状态、双平面/多芯片读取状态和复位命令。命令在WE#的上升沿传输到命令寄存器（见第65页的图53）。命令通过I/O[7:0]输入。

地址输入

当以下条件满足时，地址被写入地址寄存器，位于WE#的上升沿：

CE#和CLE为低，且
ALE为高

地址通过I/O[7:0]输入。不属于地址空间的位必须为低。每个命令所需的地址周期数量不同。

数据输入

当以下条件满足时，数据被写入数据寄存器，位于WE#的上升沿：

CE#、CLE和ALE都为低，且
设备不忙碌
数据通过I/O[7:0]输入。

读取操作

在发出读取命令后，数据在WE#的上升沿从存储器阵列传输到数据寄存器。R/B#在tR期间变低，并在传输完成后变高。当数据在数据寄存器中可用时，通过RE#变低来时钟输出数据。有关详细时序信息，请参阅第68页的图60。
可以使用读取状态(70h)命令、双平面/多芯片读取状态(78h)命令，或R/B#信号来确定设备何时就绪。
如果控制器使用tRC的时序为30纳秒或更长，请使用适当的时序。如果tRC小于30纳秒，请使用扩展数据输出(EDO)时序。

准备/忙碌#

R/B#输出提供了一种硬件方法来指示PROGRAM（编程）、ERASE（擦除）和READ（读取）操作的完成。该信号需要上拉电阻以正常工作。信号通常为高电平，并在相应的命令写入设备后变为低电平。信号引脚的开漏驱动器允许多个R/B#输出进行OR逻辑连接。读取状态命令可以代替R/B#使用。通常，R/B#连接到系统控制器的中断引脚。
在8Gb MT29F8G08DAA上，R/B#为由CE#启用的4Gb部分提供状态指示，R/B2#为由CE2#启用的4Gb部分提供相同的状态指示。R/B#和R/B2#可以连接在一起，或者它们可以单独使用，以为每个4Gb部分提供独立的指示。
在16Gb MT29F16G08FAA上，R/B#为由CE#启用的8Gb部分提供状态指示，R/B2#为由CE2#启用的8Gb部分提供相同的状态指示。R/B#和R/B2#可以连接在一起，或者它们可以单独使用，以为每个8Gb部分提供独立的指示。
Rp和R/B#电路的电容负载组合决定了R/B#引脚的上升时间。实际使用的Rp值取决于系统时序要求。Rp的大值会导致R/B#显著延迟。在R/B#波形的10%到90%点上，上升时间大约是两个时间常数(TC)。

TC = R × C

其中 R = Rp（上拉电阻的电阻值），C = 总电容负载。

R/B#信号的下降时间主要由R/B#引脚的输出阻抗和总负载电容决定。 Rp的最小值由R/B#信号的输出驱动能力、输出电压摆动和VCC（电源电压）决定。

$Rp_{\text{(MIN, 3.3V part)}} = \frac{VCC_{\text{(MAX)}} - V_{OL_{\text{(MAX)}}}}{I_{OL} + \frac{8mA}{Z_{IL}}}$

其中：

𝑅𝑝(MIN, 3.3V part)：3.3V供电部件的最小上拉电阻值。
𝑉𝐶𝐶(MAX)：电源电压的最小值。
𝑉𝑂𝐿(MAX)：R/B#信号在输出低电平时的最大电压值。
𝐼𝑂𝐿：设备的输出电流。
𝑍𝐼𝐿：连接到R/B#引脚的所有设备的输入电流总和。
ΣIL 是连接到 R/B# 引脚的所有设备的输入电流之和。

（2）NAND Flash 准备/忙碌信号配置图

NAND Flash设备中的READY/BUSY#（准备/忙碌#）引脚的开漏（Open Drain）输出配置。

READY/BUSY# (R/B#): 这是一个用于指示NAND Flash设备是否准备好接收新命令的信号引脚。它通常连接到系统控制器的中断引脚，以便在设备准备好时通知控制器。
Open Drain Output (开漏输出): R/B#引脚是一个开漏输出，这意味着它只能拉低（Sink Current，即流入）电流，而不是推高（Source Current，即流出）电流。开漏输出通常需要外部上拉电阻来实现高电平状态。
GND (地): R/B#引脚在不活跃时会拉低到地（GND），表示设备正在忙碌或尚未准备好。
Device (设备): 指的是NAND Flash设备本身，R/B#信号是由该设备生成的。

在电路设计中，开漏输出通常需要外部的上拉电阻来保证在没有连接负载时能够达到高电平状态。R/B#信号的这种特性允许多个NAND Flash设备的R/B#引脚可以连接到同一个上拉电阻，并且它们的R/B#引脚可以串联在一起（OR逻辑连接），以便通过单个引脚监测多个设备的准备状态。

（3）信号边沿上升时间和下降时间特性图

这张图主要展示某个电子元件或信号的上升时间（tRise）和下降时间（tFall）。这些参数通常用于描述数字信号在传输过程中从低电平变为高电平（上升沿）和从高电平变为低电平（下降沿）所需的时间。

tFall 和 tRise

tFall 表示信号的下降时间，即信号从高电平下降到低电平所需的时间。

时间刻度

图中显示了tFall和tRise随时间变化的图形，通常以毫秒（ms）为单位。

电压 (Vec 3.3)

图中可能提到了某个与3.3V相关的电压参数，这可能是指操作电压或与信号相关的阈值电压。

注释

tFall（下降时间）和tRise（上升时间）是在信号的10%和90%点计算的。

上升时间（tRise）主要取决于外部上拉电阻和外部电容负载。

在3.3V供电下，下降时间（tFall）大约是10纳秒（ns）。

有关上拉电阻（Rp）的近似值和时间常数（TC）的值，请参见第18页图11中的时间常数值。

（4）低电平电流与电阻特性图

这张图展示了不同上拉电阻（Rp）值对某个参数（可能与电流或电压有关）的影响。这个图表可能用于展示NAND Flash设备中READY/BUSY#（准备/忙碌#）信号的上拉电阻如何影响信号的电平或时间特性。以下是对图中信息的解释：

y轴 (loL vS. Rp)

代表“低电平”（Low Level）与上拉电阻（Rp）的关系。

x轴

x轴代表上拉电阻的值，单位可能是毫欧姆（mΩ）。

曲线

图中可能有多条曲线，每条曲线代表在不同的电压下，上拉电阻值对低电平的影响。

数据点

图中可能显示了在特定上拉电阻值下的低电平读数。

最大值 (+ loL at3.60V (MAX))

这可能表示在3.60V最大电压下，低电平的最大值。

时间刻度 (0.00ms - 10,000)

如果图表中还包括时间刻度，这可能表示测量或观察的时间范围从0毫秒到10,000毫秒。

这张图表对于理解在不同上拉电阻设置下，如何保证READY/BUSY#信号能够正确地达到所需的低电平状态非常重要。设计者可以根据这个图表来选择合适的上拉电阻值，以确保信号完整性并避免错误操作。

（5）上拉电阻对时间常数影响图

y轴 (TC vS. Rp):

y轴标签表明该图展示了时间常数（TC）相对于上拉电阻（Rp）的变化。

x轴

x轴代表上拉电阻的值，单位可能是千欧姆（kΩ）。

曲线

图中可能有多条曲线，每条曲线代表在不同的电阻值下时间常数的数值。

时间刻度

图中显示了不同的时间常数值，单位是微秒（μs），具体数值有1.20μs、1.00μs、800ns、600ns、400ns、200ns。

这张图表对于理解在不同上拉电阻设置下，电容充电或放电的时间特性非常重要。在设计电路时，选择合适的上拉电阻对于确保电路的响应速度和稳定性至关重要。

（6）NAND Flash操作模式选择真值表

这张图为“Mode Selection”，即“模式选择”，它列出了在不同模式下，各个信号线（CLE、ALE、CE#、WE#、RE#、WP#）的状态要求。这些信号通常用于存储设备，如闪存或SRAM等，用于控制设备的读写操作。表格中的“H”代表高电平，“L”代表低电平，而“X”代表该信号线在当前状态下是无关的（即不影响操作）。

表格分为几个部分，分别对应不同的操作模式和状态：

Read mode（读模式）：在这种模式下，设备从存储中读取数据。
Write mode（写模式）：在这种模式下，数据被写入存储设备。

Data input（数据输入）：是指在写入模式下，向存储设备输入数据的阶段。

Sequential read and data output（顺序读和数据输出）：可能指的是连续读取操作。
During read (busy)（在读操作期间（忙碌状态））：表示设备在读取数据时的状态。
During program (busy)（在编程操作期间（忙碌状态））：表示设备在写入数据时的状态。
During erase (busy)（在擦除操作期间（忙碌状态））：表示设备在擦除数据时的状态。
Write protect（写保护）：用于防止数据被写入。
Standby（待机）：设备处于低功耗状态。

表格底部的注释说明WP#（写保护信号）在待机状态下应该被偏置到CMOS的高电平或低电平。

具体请参考总线操作介绍

ITC小浪花、

关注

29
点赞
踩
20

收藏

觉得还不错? 一键收藏
打赏
2
评论
datasheet芯片数据手册—新手入门学习（一）【1-7】

数据手册（datasheet），也称为技术手册或规格说明书，是一种详细描述电子元件或产品的技术规格、性能指标、使用方式和设计要求的文档。数据手册对于工程师、技术人员和设计师来说非常重要，因为它提供了必要的信息来设计和使用电子元件。数据手册可以是纸质的，也可以是电子形式，如PDF文件。它们通常由元件制造商提供，并且可以在制造商的网站上找到。对于工程师来说，理解数据手册中提供的信息对于确保元件在设计中正确和安全地使用至关重要。
复制链接

扫一扫