功率驱动电路中元件的选择

自举电路

由自举电阻、自举二极管和自举电容组成。当下管开通时，Vcc给自举电容充电；当下管关断时，由自举电容提供Vbs驱动上管开通。

1.自举电容

下图为等效模型

在一个开关周期内，由自举电容提供给电路的电荷量（Qg*=功率器件的栅极电荷+驱动IC所需电荷，Ileak为驱动IC漏电流，Ts为周期时间）

开关开通时，通过自举电阻给自举电容充电的平均电流为：

即开关开通时，自举电阻的平均电压为：

在一个开关周期内，由自举电容提供给高边电路的电荷量（Qg为栅极驱动电荷，Ileak为漏电流，Toff为关断时间）

Vbs的纹波幅度可以表示为

我们假设4倍的时间常数，可以使自举电容充满电。那么可以分为两种情况，Ton < 4τ和Ton ≥ 4τ。

当时，

 当时，

还必须确定Vbsmax - Vdrop ≥ Vgemin。其中Vbsmax如下：

我们假设自举电容足够大，那么ΔVbs就可以忽略，即Vdrop = Vrboot。当我们确定Vdrop最大的可接受值后，则

 举例：QG* = 40 nC, f = 20 kHz, Ileak = 200 μA, Rboot = 220 Ω, Vdrop= 2 V。即确定最小占空比为11%。那么我们分别去D=10% or D=30%, and Cboot = 47 nF or 1μF，来进行分析。

图中可以看出，D > Dmin时，纹波较小。

综上所述，选取自举电容的步骤为：

（1）计算Vbsmax

（2）确定最大可接受的Vdrop

（3）计算Qtot

（4）计算Cboot。  即，Cboot = Qtot / Vdrop

（5）验证D。         即，Dmin > (4 * Rboot * Cboot) / Ts
 

2.自举二极管

在高端器件开通时，自举二极管必须能够阻止高压，并且应是快恢复二极管，以减小从自举电容向电源Vcc的回馈电荷。还要考虑二极管的额定电流。

栅极电阻

1.栅极驱动电阻

首先确定上升时间T，再确定MOS管Qg。根据Q = I * T，计算I。栅极驱动电阻 = 栅极驱动电压 / 栅极平均驱动电流。

2.栅极泄放电阻：5-10KΩ