OK6410 nandflash 1

从开发板原理图可知，NANDFLASH K9G8G08

从datasheer可知，2G x 8  Bit NAND Flash Memory

2g的地址线，需要31根地址线，但是从原理图可知，只有8条，所以地址是多次发出。而且地址，数据，命令复用。从资料中找到下述定义

可知，地址分成5次发出。恰好31个数据。

继续向下看，同样有DDR类似的命令，毕竟一共就8条DATA线。所以是需要的

如果是单片机或者类似的没有NANDFLASH 控制器的处理器，则需要使用较为繁琐的时序图完成相应的读写操作。例下图。

6410内部集成了NANDFLASH控制器，使用起来较为简单。省略了设置相应使能的步骤，只需要将要发送的数据，命令，地址写到相应的寄存器就可以了。

下面来说点NANDFLASH的特点。

位反转：Nand Flash由于本身硬件的内在特性，会导致（极其）偶尔的出现位反转的现象。
所谓的位反转，bit flip，指的是原先Nand Flash中的某个位，变化了，即要么从1变成0了，要么从0变成1了。

位反转现象

Nand Flash的位反转现象，主要是由以下一些原因/效应所导致：
1.漂移效应（Drifting Effects）
漂移效应指的是，Nand Flash中cell的电压值，慢慢地变了，变的和原始值不一样了。
2.编程干扰所产生的错误（Program-Disturb Errors）
此现象有时候也叫做，过度编程效应（over-program effect）。
对于某个页面的编程操作，即写操作，引起非相关的其他的页面的某个位跳变了。
3.读操作干扰产生的错误（Read-Disturb Errors）
此效应是，对一个页进行数据读取操作，却使得对应的某个位的数据，产生了永久性的变化，即Nand Flash上的该位的值变了。

如果只是对于单个位的跳变，也许问题看起来并不是很严重。然而，如果恰巧是某个重要文件的某位变化了，那么问题就严重了。
如果位反转，只是读取数据出来时候报告出来的位反转，那么很简单，只需要重新再去读取一次数据，即可解决此问题。
但是，如果是Nand Flash物理上的某个位真正的翻转了，那么需要通过对应的ECC校验去解决。
相对Nor Flash来说，Nand Flash中，位反转的现象，相对更加容易发生。因此，Nand Flash厂家都推荐，在使用Nand Flash的时候，最好要应用ECC算法。
当Nand Flash应用于多媒体信息，比如存储音视频文件，那么位反转所造成的问题，并不严重。
当用于存储操作系统，配置文件和其他敏感信息的时候，必须要用ECC，以实现数据的校验，保证数据的正确性。

nandflash储存数据的时候是一页一页的储存，当读写数据时，首先接收列地址（column address）(2048+64-1),确定那一行，然后根据接下来行地址（row address）找到这个数据，每一页大小为2K

为了应对位反转现象，所以每一页2K外，还额外添加64bytes的字节，用于ECC校验。

当写入2K数据后，会自动生成64字节的校验码。

当读出2K数据，重新生成校验码。与64k校验码比较，如果不同，则发生了位反转，并且可以用校验码根据一定算法算出这一位。