为什么芯片大都采用低电压大电流的供电方案？

采取低电压是为了降低功耗。

为什么CPU会发热

从含有1亿4000万个场效应晶体管FET的奔腾4到高达80多亿的Kabylake，Intel忠实的按照摩尔定律增加着晶体管的数目。这么多个FET随着每一次的翻转都在消耗者能量。一个FET的简单示意图如下：

当输入低电平时，CL被充电，我们假设a焦耳的电能被储存在电容中。而当输入变成高电平后，这些电能则被释放，a焦耳的能量被释放了出来。因为CL很小，这个a也十分的小，几乎可以忽略不计。但如果我们以1GHz频率翻转这个FET，则能量消耗就是a × 10^9，这就不能忽略了，再加上CPU中有几十亿个FET，消耗的能量变得相当可观。

实际上能耗和频率成线性相关。能耗关系公示是：

 P代表能耗。C可以简单看作一个常数，它由制程等因素决定，制程越小，C越小；V代表电压，和P是二次方的关系；而f就是频率了。理想情况，提高一倍频率，则能耗提高一倍。

通俗的讲，CPU可以看作由几十亿到上百亿个小开关组成的。开关切换的速度f决定了计算机的性能。为了高性能，必须提高开关速度f，这才是大家关心的。而V则因为省电的原因越小越好。那为什么不把V定成很低很低不到1V呢？

这里要引入门延迟（Gate Delay）的概念。简单来说，组成CPU的FET充放电需要一定时间，这个时间就是门延迟。只有在充放电完成后采样才能保证信号的完整性。而这个充放电时间和电压负相关，即电压高，则充放电时间就短。也和制程正相关，即制程越小，充放电时间就短。让我们去除制程的干扰因素，当我们不断提高频率f后，过了某个节点，太快的翻转会造成门延迟跟不上，从而影响数字信号的完整性，从而造成错误。这也是为什么超频到某个阶段会不稳定，随机出错的原因。那么怎么办呢？聪明的你也许想到了超频中常用的办法：加压。对了，可以通过提高电压来减小门延迟，让系统重新稳定下来。

也就是说，为了省电，要降低V，但为了达到数G的主频，而不得不提高电压V到一个可以接受的最小值，达到一个平衡。Vcore现在约1V。

不可忽视的其他因素

现实情况比这个更复杂。实际上，上面公式里的P只是动态能耗，主要关注占比90%的Dynamic Power，造成Dynamic Power的原因是寄生负载电容的充放电。CPU的整体功耗还包括短路功耗和漏电功耗：

短路功耗是在FET翻转时，有个极短时间会有电子直接跑掉。它和电压、频率正相关。

漏电功耗是电子穿透MOSFET的泄漏情况，它和制程与温度有关。

综合这些，我们看一个实际的例子：

这里的Transition Power就是动态能耗，可以看出它随着频率陡峭上升；短路功耗和频率几乎呈现线性关系；而Static power就是指漏电功耗，它也上升是因为频率上升导致温度上升，从而漏电加重。从中我们可以看出短路功耗也和电压有关，而电压越低，短路功耗也越低。 

1.降低电压是目前集成电路里面非常常用也是非常有效的节能手段，而且降低电压同时也要配套相应的工艺，越先进的工艺，电压要求也比较低，所以现在的CPU和GPU电压都比较低。

2.CPU或GPU上百安的电流不是一个Vcc脚提供的，而是很多电源pin分摊的，所以几百个引脚平摊下来上百安的电流也不算太夸张。

晶体管密度太大导致pn节间距很小，耐压低，不能高压。电压是由制造工艺决定的，越是制成线宽小的工艺，能承受的电压越低，同时寄生电容也更小，使得同频率下单管功耗更低。如果电压太高，意味着制程必须要高很多，如果想5V供电，需要1微米的制程才可以，太小的话，容易击穿，导致损坏。

CPU工作过程是通过内部很多开关（FET管）在不停开关开关切换来实现逻辑运算和存储，这个实际上是要对内部的电容（FET管的寄生电容）充电放电来实现。

电源只是表示最大能提供的能力，负载才决定用了多少。

计算机芯片大多都是大规模数字集成电路，其供电设计主要考虑以下几个因素：

1. 半导体硅管的正向饱和压降约0.7V，锗管约0.3V。考虑到其它因素的影响，发射极-集电极电压一般一两V即可工作，因此不需要太高的电压。
2. MOSFET开关速度快，但导通电阻更大，饱和压降更高（1.7-3V），因此需要更高的工作电压才能正常工作。
3. 半导体集成电路的硅片中电阻阻值越大面积越大，越不经济，且会造成废片率急剧上升。
4. 过高的供电电压需要使用大量大阻值电阻限压限流，以保证降低功耗。
5. 大量功耗消耗在电阻上，不利于降低电路耗散功率（即电路自身消耗的功率），使用经济性、系统供电设计、整机散热设计都会提高难度。
6. 考虑到供电电路的设计简便以及逻辑电平的兼容性（一致性），需要统一供电电压。
7. 供电电压越接近半导体的最低工作电压，意味着在电阻上的功率损耗越低，电路的能耗效率越高，越省电。
8. 逻辑电平越低，电平建立时间越短，意味着数字电路的工作频率越高，响应时间越短，性能越强。
9. 供电电压太接近工作电压的话也不行，电源波动噪声和外界干扰将对电路造成较大影响，反而会降低电路性能。因此供电电压需要有一定的“冗余”。
10. 较高的工作电压除了提高晶体管功耗外，还会对集成电路的耐压特性提高要求，加大制作难度和成本。大电流则问题不大，金属导体的散热性能和导电性能相对容易改善。

因此，一般来说，对于大规模数字电路，供电电压最好是工作电压的1.7~2倍，性能与功耗及造价能够达到最佳平衡点。这个电压值根据不同的半导体材料（决定工作电压），大约是2.5-5V之间。

至于“大电流”，因为管子数量多，动辄集成上千万颗晶体管数量累加所致，并非是有意这样设计，在保证正常工作的前提下，当然是电流越小越好，功耗就越低嘛。即便提高电压，也是需要通过降压电阻来维持晶体管的工作电压，电流还是需要那么多。降低电流只能通过改进集成电路的制程工艺，提高材料纯度，改进材料特性等等来得到。大电流有一个特点，就是，对于电源引脚的增加，同时对于电容的需求增加，频繁的跳转，电源芯片供电波动太大，所以只能是电源模块给储能电容供电，储能电容给芯片电源引脚电容供电，芯片电容再给芯片供电。

首先，半导体特征尺寸，越来越小，目的有两个，同一个die芯片（芯片的核心部分，比看到的芯片小很多，芯片为了走线方便，做了很多引脚引线），上面可以有更多逻辑单元。这是主要目的，因为晶圆（wafer）的成本是固定的。那么，die越小，单个芯片成本越低。

所以，半导体工艺最近四十年的方向，都是将特征尺寸做小，目的是，降低成本。特征尺寸做小以后，还有一个附加效应，就是跨域pn节沟道，所需要能量就不需要那么大了。从这个角度看芯片的core电压，就是越来越低，1.8V/1.2V/1V/0.8V，以前用POLA架构电源，就可以提供低电压大电流。特征尺寸小了以后，还有两个效应，一个是热效应的减少，芯片散热被优化。对于layout，更容易一点点。

除了功耗与供电电压成正比要求降低功耗外，还有一个原因是芯片对速度的要求，越高的速度对应的晶体管氧化层厚度会很小，这个决定了晶体管承受电压的能力.因此应对高频应用cpu中的晶体管的耐压也就1.几V。换个高压不说不说芯片热死了，而是击穿了。

降低器件的电压等级，是有效减低绝缘应力的办法。

功耗分析：总功率可以分为三个部分：dynamic, static, short circuit.

如图，short circuit power 来自于在输入信号的上升/下降时间不是0，所以不能简单看成0和Vdd，会在变换的过程中有介于0-Vdd的值，在这个时候nMOS和pMOS会同时导通导致短路电流。在正常情况下short circuit power一般会比dynamic power少一个数量级，因此可以先忽略。

Dynamic 来自于：输入信号从1-0，从电源看，消耗的能量是

其中一半会被PMOS消耗，一半会存在输出的电容中，因此实际消耗的能量只有一半。

输入信号从0-1，存在电容中的能量被NMOS消耗。

那么信号从1-0-1这一个循环中，消耗的能量是。

当系统的频率是f，每个周期有a的可能性输入信号会变化（1-0-1）那么功率为：

由此可见想要降低功耗有4个方法，降低a（例如对bus信号做特殊的编码），降低C（少见），降低Vdd（本题的答案），降低频率（比如笔记本电脑平时会处在低功耗模式，玩游戏把频率升起来，反应是风扇开始噪音）。

static来源于：

1.pn结可以看成一个二极管，二极管反向会有导电电流，例如inverter中输入信号是0，NMOS的d是vdd，那么n 会和p substrate 有反向电流：

2. 在Vgs小于Vth的时候，会有泄露电流（这在现代工艺中占有主导地位）

可以看出更小的vds会减少static电流。也就是说，降低vdd可以同时减少dynamic和static的功耗（short curcuit忽略），从而降低总功耗，减少发热和电量损失。

受到摆率的限制，为了提高运行速度，必须要降低电压。开关元件的功耗主要发生在切换过程中，完全断开和完全导通的时候功耗很小。为了降低功耗，必须减小开关时间占比，也必须降低电压。
8MHz左右的处理器，一般电压5V。72MHz左右的处理器，一般3.3V。150MHz频率附近的低端处理器，如DSP，内核的电压大约是1.8V或1.9V。1GHz的元件内核电压大约是1.1V或1.2V，甚至有极端的0.9V。
有时候，内核电压和IO电压不等。内核电压低而速度快，IO电压高而速度慢。有的电路或者芯片自带变压模块。不能用供电电压猜测工作电压。

参考：https://www.zhihu.com/question/303037255