温度和芯片供电电压影响芯片的速度和性能

除了工艺对芯片性能有影响外，外界环境条件如温度和芯片供电电压也会影响芯片的速度和性能。

1）、温度对数字IC芯片阈值电压Vt是有影响的，温度升高引起Vt下降。阈值电压Vt下降使芯片速度加快，但通常温升导致迁移率下降更快，总的影响是温度升高速度变慢 

 

（a）PMOSFET（b）NMOSFET的VT随温度的变化曲线

1)、无论是NMOS还是PMOS，它们VT的绝对值都是随温度升高而下降。 2)、温度每升高1 C，VT下降1.5～2mV 3)、温度升高，NMOS管的P型衬底中自由电子浓度增大，更小的VGS即可形成反型层，即相应的VT下降。

2）、芯片供电电压降低后，芯片会变慢，电压升高时，芯片会变快。

综上所述，工艺（Process）、电压（Voltage）、温度（Temperature）对IC器件功能和性能均有影响，即PVT的影响，芯片厂家一般会进行芯片级的PVT测试。