模电·晶体管的主要参数_012

妖兽喽

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分类专栏：模电文章标签：基带工程

于 2023-11-22 19:41:32 首次发布

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晶体管的主要参数

直流参数
交流参数
极限参数

在计算机辅助分析和设计中，根据晶体管的结构和特性，要用几十个参数全面描述它。这里只介绍在近似分析中最主要的参数，它们均可在半导体器件手册中查到。

直流参数

1.共射直流系数 $\={\beta}$
$\={\beta}=\frac {{I\tiny C}-{I\tiny CEO}}{{I\tiny B}}$
当 ${I\tiny C}>>{I\tiny CEO}$ 时， $\={\beta}≈\frac {I\tiny C}{I\tiny B}$ 。
2.共基直流电流放大系数 $\={\alpha}$
当 ${I\tiny CBO}$ 可忽略时， $\={\alpha}≈\frac {I\tiny C}{I\tiny E}$ 。
3.极间反向电流
${I\tiny CBO}$ 是发射极开路时集电结的反向饱和电流。 ${I\tiny CEO}$ 是基极开路时，集电极与发射极间的穿透电流， ${I\tiny CEO}=(1+{\={\beta}}){I\tiny CBO}$ 。同一型号的管子反向电流越小，性能越稳定。
选用管子时， ${I\tiny CBO}$ 与 ${I\tiny CEO}$ 应尽量小。硅管比锗管的极间反向电流小2~3个数量极，因此温度稳定性也比锗管好。

交流参数

交流参数是描述晶体管对于动态信号的性能指标。
1.共射交流电流发大系数 $\beta$
${\beta}=\frac{\Delta i\tiny C}{\Delta i\tiny B}{{\huge {\mid_{\small U\tiny CE=常量}}}}$
见下图中标注。选用管子时， $\beta$ 应适中，太小则放大能力不强，太大则温度稳定性差。
晶体管的输出特性曲线

2.共基交流电流放大系数 $\alpha$
${\alpha}=\frac{\Delta i\tiny C}{\Delta i\tiny E}{{\huge {\mid_{\small U\tiny CB=常量}}}}$
近似分析中可以认为 $\beta≈\={\beta}$ ， $\alpha≈\={\alpha}≈1$ 。
3.特征效率 $f\tiny T$
由于晶体管中PN结结电容的存在，晶体管的交流电流放大系数是所加信号频率的函数。信号频率高到一定程度时，集电极电流与基极电流之比不但数值下降，且产生相移。使电流放大系数的数值下降到1的信号频率称为特征频率 $f\tiny T$ 。

极限参数

极限参数是指为使晶体管安全工作对它的电压、电流和功率损耗的限制。
1.最大集电极耗散功率 $P\tiny CM$
$P\tiny CM$ 决定于晶体管的温升。当硅管温度大于150℃、锗管的温度大于70℃时，管子特性明显变坏，甚至烧坏。对于确定型号的晶体管， $P\tiny CM$ 是一个确定值，即 ${P\tiny CM}={i\tiny C}{\large u\tiny CE}$ =常数，在输出特性坐标平面中为双曲线中的一条，如下图所示，曲线右上方为过损耗区。
晶体管的极限参数

对于大功率的 $P\tiny CM$ ，应特别注意测试条件，如对散热片的规格要求。当散热条件不满足要求时，允许的最大功耗将小于 $P\tiny CM$ 。
2.最大集电极电流 $I\tiny CM$
$i\tiny C$ 在相当大的范围内 $\beta$ 值基本不变，但当 $i\tiny C$ 的数值大到一定程度时 $\beta$ 值将减小。使 $\beta$ 值明显减小的 $i\tiny C$ 即为 $I\tiny CM$ 。对于合金型小功率管，定义当 ${\large u\tiny CE}=1V$ 时，由 ${P\tiny CM}={i\tiny C}{\large u\tiny CE}$ 得出的 ${i\tiny C}$ 即为 $I\tiny CM$ 。
实际上，当 $i\tiny C$ 大于 $I\tiny CM$ 时，晶体管不一定损坏，但 $i\tiny C$ 明显下降。
3.极间反向击穿电压
集体管的某一电极开路时，另外两个电极间所允许加的最高反向电压称为极间反向击穿电压，超过此值时管子会发生击穿现象。下面是各种击穿电压的定义：
$U\tiny (BR)CBO$ 是发射极开路时集电极-基极间的反向击穿电压，这是集电结所允许加的最高反向电压。
$U\tiny (BR)CEO$ 是基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压，此时集电结承受反向电压。
$U\tiny (BR)EBO$ 是集电极开路时发射极-基极间的反向击穿电压，这是发射结所允许加的最高反向电压。
对于不同型号的管子 $U\tiny (BR)CBO$ 为几十伏到上千伏， $U\tiny (BR)CEO$ 小于 $U\tiny (BR)CBO$ ，而 $U\tiny (BR)EBO$ 只有1伏以下到几伏。此外，集电极-发射极间的击穿电压还有：b-e间接电阻时的 $U\tiny CER$ ，短路时的 $U\tiny CES$ ，接反向电压时的 $U\tiny CEX$ 等。
在组成晶体管电路时，应根据需求选择管子的型号。例如用于组成音频放大电路，则应选低频管；用于组成宽频带放大电路，则应选高频管或超高频管；用于组成数字电路，则应选开关管；若管子温升较高或反向电流要求小，则应选用硅管；若要求b-e间导通电压低，则应选用锗管。而且，为防止晶体管在使用中损坏，必须使之工作在上图所示的安全区，同时b-e间的反向电压要小于 $U\tiny (BR)EBO$ ；对于功率管，还必须满足散热条件。